MOCVD两步生长法制备GaN量子点

报道了用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上成功地制备出ＧａＮ量子点。     

YVO4相图的研究

本文对钒酸钇的相图进行了系统的研究,详细地分析了钒酸钇熔体体系的二元相图、三元相图以及一些中间体系的相图;对比分析了相图对晶体生长的作用．并对用Ｃｚ法生长钒酸钇的过程中出现的黑相进行了物相分析,认为出现黑相的原因是生长过程中钒的变价和挥发造成的．     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

65mJ室温Fe~(2+):ZnSe中红外激光器

Fe~(2+):ZnSe晶体作为3~5μm波段极具潜力的中红外激光介质之一,在材料特性和转换效率等方面具有明显优势。对Fe~(2+):ZnSe晶体的吸收特性进行了研究,利用自制放电引发的非链式脉冲HF激光抽运Fe~(2+)掺杂浓度为4×1018 cm~(-3)、尺寸为10mm×10mm×5mm的Fe~(2+):ZnSe晶体,在室温下获得了65mJ的高能量Fe~(2+):ZnSe中红外激光输出,光光转换效率为31%,输出激光能量相对于晶体吸收抽运光能量的斜率效率可达37%。     

Cr∶LiSAF再生放大系统

设计了灯抽运Cr∶LiSAF(Cr∶LiSrAlF6)飞秒再生放大系统 ,对 80fs光脉冲 (展宽后约 10 3ps)进行了再生放大研究 ,获得了再生放大的输出能量与输入能量和放大倍率与放大往返次数间的关系 ,得到了 8× 10 5的放大倍率和 0 4mJ的单脉冲再生放大输出     

Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性

Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料，可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同，它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0．8at％，分凝系数为0．8，与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0．78相当；用称重法测定其密度为5．00g／cm^3；用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12．5W／mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。     

新型光折变晶体Ce:BSO中的各向异性光散射

各向异性光散射现象已在几种光折变晶体中观察到,如BaTiO_3,Fe:LiNbO_3,Cu:LiTaO_3。这几种晶体共同特点是均具有较高的光折变灵敏度,因而晶体中缺陷引起的杂散光与入射光相互作用时能够得到放大,产生各向异性光散射。普通BSO(Bi_(12)SiO_(20))晶体光折变灵敏度较低,未发现各向异性散射现象。我们在首次生长的新型光折变晶体Ce:BSO中观察到一种新的很强的各向异性光散射,并利用BSO晶体的光折变理论给予较圆满的解释。     

Cr2+:ZnSe激光晶体在中红外波段获得瓦级输出

中红外全固态激光器在遥感、探测、医疗和生物成像中有着重要应用,但由于激光的振荡阈值与波长的四次方成反比,因而产生中红外波段的激光需要生长出低损耗、高质量的激光晶体。Cr2 ∶ZnSe激光晶体具有宽的吸收和发射带宽、较高的激光增益,是非常有潜力的可调谐中红外激光晶体材料。采用真空高温扩散法制备Cr2 ∶ZnSe晶体,将ZnSe晶体和金属Cr粉放置在真空石英管中,扩散温度为950℃,扩散时间为10天。Cr∶ZnSe晶体呈深红色,吸收光谱如图1所示,在1776 nm处的吸收系数为13.5 cm-1。将Cr2 ∶ZnSe晶体加工成厚1.7 mm,直径10 mm的薄片,利用我…     

弛豫型铁电晶体92%PZN-8%PT的熔盐法生长

本文报道了弛豫型铁电晶体９２％ＰＺＮ－８％ＰＴ的熔盐法生长。单晶最大尺寸超过２５ｍｍ,为Ｒ３ｍ的空间群。讨论了工艺条件特别是原料、冷阱技术、温度梯度等对晶体生长的影响,测定了该晶体的部分重要的压电性能。     

激光晶体ZnWO_4:Cr~(3+)的光谱特征

通过对ZnWO_4:Cr~(3+)激光晶体发光特性的研究发现,随掺杂浓度的变化,荧光强度明显改变,在掺人Cr_2O_3浓度为0.005％和0.08％时有两个峰值;并发现低浓度与高浓度的激发峰分别为622nm和608nm。激发波长变化时,荧光强度发生改变,用532nm激发时,仍有较强的荧光。