有线接入光缆网优化及建设思路探讨

中国移动经过多年有线接入光缆网大规模建设,建设重点由解决基站、家集客光缆接入向光缆网优化及建设思路调整转变,满足全业务运营网络和业务长久可持续发展.本文结合中国移动接入光缆网发展现状及基础资源短板,探讨全业务运营下接入光缆网优化流程及建设思路调整,具备一定的指导意义.     

火药实用燃烧定律

本文应用概率论知识,通过对不同类型、不同口径以及不同药形和不同装药结构的枪炮,进行了大量的分析计算,建立了火药实用燃烧定律.在此基础上,给出了一般炮和无后座炮四种内弹道解法。并通过对多种枪炮内弹道正面问题的计算验证,证明该定律理论计算与射击结果是符合的。     

生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响

利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起.     

螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜结构特性

采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术,以SiH4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)对所制备的材料结构和形貌等特性进行表征,分析了纳米Si薄膜结构随衬底温度变化的规律。实验结果表明,在较低的衬底温度(100-300℃)范围内,可以实现高晶化度纳米Si薄膜的沉积,颗粒大小在4-8nm之间,样品的晶化度随着衬底温度升高而升高,晶粒大小也随之增大,样品表面光滑,晶粒分布均匀。     

弱点状多运动目标实时跟踪技术研究

根据确认的众多量测和众多目标跟踪窗之间的几何关系,引入确认矩阵并计算所有联合事件及其对应的参数,不论量测是否落入跟踪窗相交区域,根据JPDA算法计算每一个量测与其可能的各个源目标之间互联的概率。将互联的概率与Kalman滤波器相结合从而完成对每一个目标的预测和更新。理论及实验结果表明,该算法适用于序列图像密集杂波环境下的全程跟踪,并取得了一定的理论和仿真结果。     

响应曲面法优化GH3535平板样片中FLiNaK熔盐去污工艺条件

为了获得超声波和化学法联合去污LiF-NaF-KF（FLiNaK）熔盐的最佳工艺条件，利用响应曲面法和Box-Behnken设计（BBD）建立多项式模型，考察了反应温度、超声波功率、硝酸铝浓度和反应时间等因素对熔盐去除率的影响。结果显示：模型的相关系数r²为0.958 0，校正的相关系数r²_adj为0.915 9，表明模型的回归性显著，拟合程度高。影响熔盐去除率的因素由高到低为：反应时间>超声波功率>反应温度>硝酸铝浓度。预测的最佳去污工艺条件为：反应温度60 ℃、超声波功率300 W、硝酸铝浓度0.1 mol/L和反应时间9 min。在此条件下开展的去污实验验证熔盐的去除率为98.74%±1.12%(n=3)，与预测值99.99%的相对误差为1.25%。表明采用响应曲面法优化超声波和化学法联合去污FLiNaK熔盐的工艺条件合理，结果可靠，可为下一步工程应用提供参考。     

工业厂房墙体裂缝问题分析

通过两项工程实例，分析工业厂房墙体裂缝产生原因，并采取解决措施。     

第四代（4G）移动通信关键技术浅析

随着我国国民经济的不断发展，人民生活水平逐渐提高，对通信技术和系统的要求也在日益提高。在第三代移动通信技术正在酝酿之际，第四代移动通信技术的研究已经悄然展开。本文通过对第四代移动通信技术的特点进行分析，针对第四代移动通信关键技术进行探究。     

基于全业务承载网络的接入层纤芯分配

基于全业务承载网环境,提出了对分纤点进行分组的纤芯分配方案,并与已有的分配方案进行对比。     

蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长

利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度分布比较均匀.InAlGaN(0002)三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4.8′.通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑,测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2.2nm.利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3.76eV.