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1.
王忆锋  刘萍 《红外》2015,36(3):8-15
温度变化对透镜成像效果的影响称为热差.为了使透镜在一定温度范围内具有稳定的成像质量,通常需要通过采取某些补偿措施来实现消热差.归一化系数是消热差数学模型的重要组成部分.讨论了归一化系数的概念及其在消热差技术中的应用情况.基于国内相关文献资料,介绍了红外光学系统消热差技术的发展思路与动态.  相似文献   
2.
王忆锋 《红外》2016,37(12):10-12
在作者已有工作和思考的基础上,进一步 分析和探讨了可分裂的光子模型,并给出了集合或整体意义上的总 体量(例如吸收率、反射率和透射率)与单个光子的对应量(例如吸收、反 射和透射)之间的对应关系。利用可分裂的光子模型可以解释反射、衍 射、干涉等光学现象。基于蒙特卡罗方法和可分裂的光子模型,可 以对反射、衍射、干涉等光学现象进行计算机仿真。介绍了有关仿 真算法的思路。  相似文献   
3.
碲镉汞焦平面器件CMOS读出电路的发展   总被引:1,自引:1,他引:0  
王忆锋  钱明 《红外》2011,32(7):1-8
通过对近年来的部分文献资料进行归纳分析,介绍了碲镉汞焦平面器件CMOS读出电路(ROIC)的发展动态.讨论了读出电路的有关概念.列出了部分前放电路的单元结构,并分析了它们的工作特点.介绍了积分时间、积分电容以及多路传输等因素对读出电路设计的影响.  相似文献   
4.
利用转移矩阵和MATLAB求解一维薛定谔方程的一种简捷方法   总被引:2,自引:2,他引:0  
在用矩阵转移法求解一维定态薛定谔方程时,不用矩阵迭代,而是将矩阵展开为一个线性方程组,利用MATLAB提供的矩阵左除命令,即可获得各区间波函数的近似值.该方法不需要花费较多精力编程,具有概念简单、使用方便、实用性强等特点.  相似文献   
5.
利用有限差分和MATLAB矩阵运算直接求解二维泊松方程   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据有限差分法原理,将求解范围用等间距网格划分为一系列离散节点后,二维泊松方程可以转化为用一个矩阵方程表示的关于各未知节点的多元线性方程组.利用MATLAB提供的矩阵左除命令,即可得到各未知节点的函数近似值.该方法概念简单,使用方便,不需要花费较多精力编程即可以求解大型线性方程组.  相似文献   
6.
在制冷型红外成像系统中,冷屏具有定义视场角大小、限制杂散光辐射的作用.冷屏效率的计算无解析公式,一般需要用数值方法求解.介绍了用蒙特卡罗方法和MATLAB计算内含两层挡板的圆形冷屏效率的一种解决方案.  相似文献   
7.
介绍了求解二维光子晶体TM波初边值问题的一种MATLAB矩阵分解算法,该算法首先利用绝对稳定的古典隐格式差分将TM波表示为矩阵模型,再借助蛙跳采样分离出有关磁场分量和电场分量的矩阵方程,其求解可以通过调用MATLAB矩阵左除命令完成。该方法具有概念简单、使用方便、实用性强等特点。  相似文献   
8.
采用密度泛函理论(DFT)方法对9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)进行了B3LYP/6-31G水平上的分子结构优化、红外光谱、Raman光谱、紫外-可见光谱、分子前线轨道、Mulliken电荷等理论计算。研究结果表明:理论计算结果与实验数据吻合得较好,对IR、THz、UV-Vis吸收光谱和Raman散射光谱中的特征峰进行了归属,发现ADN在0.1~10 THz波谱范围内有5个明显的吸收峰,分别位于1.08、2.52、4.44、5.64及6.60 THz,其中5.64 THz的吸收是最强的,它是由萘环面外弯曲及蒽环面内摇摆振动产生的。ADN在紫外光波段有三个吸收峰,分别对应于386.34、352.98及352.50nm,其中386.34 nm的紫外吸收峰最强。ADN理论计算能隙值为3.516 eV,比实验值3.2 eV略高。ADN的Mulliken电荷计算表明,所有H原子的Mulliken电荷皆为正电荷,C原子Mulliken电荷与其具体的化学环境相关。  相似文献   
9.
王忆锋  唐利斌 《红外》2009,30(8):1-8
Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件等方面的应用潜能而被广为研究.其中,低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键.金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能及可靠性的一个问题.对于各种应用来说, GaN的欧姆接触需要得到改进.通过对相关文献的归纳分析,本文主要介绍了近年来在改进n-GaN工艺,提高欧姆接触性能等方面的研究进展.  相似文献   
10.
碲镉汞(Hgl-xCdxTe,MCT)材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实用的MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过对近年来的部分英语文献进行归纳分析,介绍了MCT表面钝化研究的进展。描述了MCT钝化的基本概念。讨论了部分MCT钝化膜的生长方法、界面性质和参数。  相似文献   
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