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开始……
也许在我们长大成人以后.那些小时候看的童话故事早已遗忘但是它们总是会潜移默化的影响着我们。“在很多年以后.王子与公主过着幸福的生活……”童话故事里面虽然也夹杂了坏人.黑暗.恐惧等等负面的内容.可是它依然为我们编织了一个又一个梦幻.或许现在说故事的人更倾向于传达信息、寻求共鸣多于教导。 相似文献
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利用 FLACS 软件建立某油氢合建站三维物理模型,对高压储氢瓶及加注机泄漏事故进行模拟,并分析不同罩棚形状、环境风速、风向对氢气泄漏事故的影响规律。研究表明:加氢机处发生泄漏时,现有加油站罩棚会造成氢气大量聚集,带斜角顶棚能显著降低可燃氢气云团量,油氢合建站改造过程中需将罩棚一并改造。高压储氢瓶泄漏扩散后形成的气云区域随着环境风速
的增加在水平方向逐渐增大,垂直方向逐渐减小,气云偏向地面聚集,点燃风险增加;环境风对泄漏氢气具有吹散和稀释作用,但在不利风向条件下,氢气进入高阻塞度障碍区域,可燃气云量反而增大,需考虑当地主导风速风向,对加氢站进行合理布局。 相似文献
8.
W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
基于自主研发GaAs肖特基二极管(SBD)设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频(RF)信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示,80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT(赝晶型高电子迁移率晶体管)混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。 相似文献
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