全文获取类型
收费全文 | 63篇 |
免费 | 2篇 |
国内免费 | 14篇 |
专业分类
电工技术 | 4篇 |
综合类 | 8篇 |
化学工业 | 3篇 |
机械仪表 | 6篇 |
建筑科学 | 3篇 |
能源动力 | 1篇 |
轻工业 | 1篇 |
水利工程 | 1篇 |
石油天然气 | 3篇 |
无线电 | 42篇 |
一般工业技术 | 3篇 |
冶金工业 | 1篇 |
自动化技术 | 3篇 |
出版年
2019年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 1篇 |
2015年 | 1篇 |
2014年 | 3篇 |
2013年 | 8篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 11篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 7篇 |
2008年 | 1篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 2篇 |
2003年 | 3篇 |
1995年 | 3篇 |
1993年 | 7篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 1篇 |
1988年 | 2篇 |
排序方式: 共有79条查询结果,搜索用时 125 毫秒
1.
随着大容量MP3播放器、PMP播放器、数码相机、智能手机等消费电子产品的需求持续增长,MLC的NAND闪存已经取代SLC的NAND闪存成为市场主流。而存储容量的增大所带来良率与可靠性的下降,意味着我们需要纠错能力更强大的硬件编译码器来处理可能发生的错误。针对固态硬盘需要支持多通道的NAND闪存,纠错编译码器也要有能够处理并行I/O总线的能力,本文实现了可由软件配置、最大纠错能力t为可变的1~16b的BCH纠错编译码器,在计算错误位置多项式的过程中使用了修正的欧几里德算法。 相似文献
2.
对氮化硅抗反射膜MIS/IL硅太阳电池在光照下对不稳定现象的实验研究结果表明:电池蜕变过程和辐照光源、光强、抗反射膜中的正电荷密度等密切相关,而和电池的工作状态(如开路,短路或负载等)无关。光照-退火循环实验和蜕变电池的静置恢复实验说明光照下的电池蜕变是一种由短波长光子(如紫外光)诱导产生的可恢复的物理过程。用MNOS电容器和NOS源漏器件模拟氮化硅抗反射膜MIS/IL太阳电池的活性区域,对光照前后Si_3N_4-SiO_x-Si系统的界面电荷特性研究的结果表明:紫外光照射后,Si_3N_4-SiO_x-Si界面正电荷密度减少,照度为4×10~4勒克斯、辐照时间15分钟可使正电荷密度减少4.8×10~(12)cm~(-2)。抗反射膜内正电荷密度的减少,是由于短波长光子激发热电子向氮化硅膜中注入所致。 相似文献
3.
葡萄糖异构酶细胞经丙酮处理,缓冲液抽提。DEAE—纤维素离子交挟柱层析和Sephadex G—200凝胶柱层析等方法得到分离井纯化。该法与超声破碎法相比,比活提高3.3倍,活力收率为74%,得到了高纯度异构酶,经Sephadex G—200凝胶柱层析获得较高收率的电泳纯制品。 相似文献
4.
5.
一种新型的基于开关电容相关双采样的带隙基准电路 总被引:1,自引:1,他引:0
A switched capacitor bandgap voltage reference with correlated double sampling structure embedded in a temperature sensor is implemented in a standard 0.35μm CMOS process.Due to the smaller change of the op-amp’s output voltage,this topology is very suitable for low power applications.In addition,errors caused by the finite op-amp gain,input offset voltage,and 1/f noise are eliminated with the correlated double sampling technique.Additionally,two-level process calibration techniques are designed to minimize the process spread. Finally,a method of getting a full period valid reference voltage output is discussed and experimental results are provided to verify the effectiveness of the proposed structure. 相似文献
6.
7.
本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率,速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应,正背栅耦合(背栅效应)等对器件件特性的影响。并且保证了电流,电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下) 相似文献
8.
9.
本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率、速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应、正背栅耦合(背栅效应)等对器件特性的影响,并且保证了电流、电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下)二者吻合得很好。 相似文献
10.