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We demonstrate a highly efficient inverted top-emitting organic light-emitting diode (TOLED) having stable electroluminescent spectra and color coordination with variation of viewing angles by simply tuning the reso- nance wavelength corresponding to the free emission of the emitter. Using a doped fluorescent emitting system, the inverted TOLED exhibits an enhanced maximum current efficiency of 19 cd/A and a power efficiency of 17 lm/W, which are much higher than those (11 cd/A and 5 lm/W) of the counterpart with normal structure, although both TOLEDs behave with similar stable electroluminescent spectra characteristics. The results indicate that we provide a simple and effective method of constructing an excellent inverted TOLED for potentially practical applications. 相似文献
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具有高效空穴注入的高电子传输层的白光电致发光器件 总被引:1,自引:1,他引:0
以M003或m-MTDATA作为空穴注入层,Alqa或Bphen作为电子传输层组合了4组白色有机电致发光器件.发光层为9,10-bis(2-naphthyl)-2-t-butylanthracene(TBADN)掺杂3%的P-bis(P-N,N-diphenyl-aminos-tyryl)benzene(DSA-ph)作为蓝色掺杂剂和0.05%的4-(dicyanomethylene)-2-t-bul:yl-6-(1,1,7,7,-tetramethyl-julolidy-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)作为红色掺杂剂.研究表明基于M003//Bphen结构的器件大大降低了驱动电压,改善了功率效率,在电流密度为20 mA/cm2时,其值分别为5.43 V和4.54 lm/W.与基于m-MTDA-TA//Alq3结构的器件相比,驱动电压降低了40%,功率效率提高57%. 相似文献
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研究了采用薄层WO3作为叠层有机发光器件电荷产生层时的性能并对其厚度进行了优化,器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成.研究表明,薄层WO3具有很高的透明度,并能有效地产生和注入空穴.叠层器件性能与单发光单元器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了4.2 cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2倍;同时,电荷产生层的性能与WO3薄膜厚度密切相关,WO3薄膜厚度为3 nm时,器件的效率在整个电流范围内都保持稳定.采用薄层WO3作为电荷产生层为制备高效叠层有机发光器件提供了一条有效的途径. 相似文献
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以Bphen:Li/WO3作为电荷产生层制备了低压、高效有机叠层白光器件. 实验中,首先在器件中引入高导电性的载流子注入和传输层,有效降低了器件的驱动电压,然后通过电荷产生层垂直堆叠两个低压白光器件,获得了低压、高效有机叠层白光器件. 叠层器件性能与单发光单元的器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了17cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2.3倍,同时由于在叠层结构中引入了高导电性的载流子传输层,有效降低了器件的驱动电压,显著改善了白光器件的流明效率.叠层器件的流明效率相对于单发光单元器件提高了53%. 相似文献
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摘 要
用空间电荷限制电流(SCLC)法测定了不同厚度(50-300nm)的Liq掺杂BPhen的电子迁移率。实验结果表明在33wt%Liq掺杂的BPhen中,当厚度达到150nm以后电子迁移率接近于体材料的迁移率。对于300nm厚的掺杂的BPhen,测定的电子迁移率约为5.4×10-3 cm2/Vs (电场强度为0.3MV/cm时),比本征BPhen的迁移率(3.4×10-4 cm2/Vs)高约一个数量级,而且其迁移率基本上不依赖于电场。同时还对掺杂的BPhen为有机电致发光器件(OLED)的典型厚度时的电子迁移率进行了测定。 相似文献