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研制出的PHEMT采用一种新的0.1μmT型栅制备方法,将薄膜纵向可控变为横向可控,应用这一原理,对时间等参量进行控制,获得0.1~0.3μm微细金属栅条,此工艺应用于3mm器件研制,器件的直流跨导大于400mS/mm,微波性能在40GHz时,Gmax达5.67dB。特征频率fT可外推至74GHz,最高振荡频率fmax可达130GHz。 相似文献
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热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上.测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350 mA工作电流下正向电压为3.0 V.将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连. 相似文献
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文章介绍了无裂纹高导电性n型A lxGa1-xN的MOCVD生长及其电学、光学和表面形貌性质。通过A lN两步生长法,有效地解决了A lxGa1-xN外延薄膜易裂的难题。并且对其生长进行优化,减少了A lxGa1-xN外延薄膜中的受主补偿缺陷,从而实现了高导电性的n型A lxGa1-xN薄膜,其载流子浓度为4.533×1018cm-3,并且电子迁移率高达77.5cm2/V.s,已经达到了目前国际上报道的先进水平。另外光学吸收谱说明A lxGa1-xN外延薄膜在302nm处具有陡峭的带边吸收,同时结合原子力显微镜分析材料的表面形貌,证实了材料表面光滑且平整。 相似文献
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文章研究了AlN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与AlN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长AlN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的AlN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出AlN薄膜的(002)和(105)的半高宽分别为16.9arcsec和615arcsec,接近国际上报道的较好结果。原子力显微镜对表面形貌的分析表明AlN薄膜的粗糙度为5.7nm。拉曼光谱表明E2(high)模向高能方向移动,说明蓝宝石上外延的AlN薄膜处于压应变状态。光学吸收谱在204nm处具有陡峭的带边吸收,也表明了AlN外延薄膜具有较好地晶体质量。 相似文献
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Periodic triangle truncated pyramid arrays are successfully fabricated on the sapphire substrate by a low-cost and high-efficiency laser interference lithography(LIL)system.Through the combination of dry etching and wet etching techniques,the nano-scale patterned sapphire substrate(NPSS)with uniform size is prepared.The period of the patterns is 460 nm as designed to match the wavelength of blue light emitting diode(LED).By improving the stability of the LIL system and optimizing the process parameters,well-defined triangle truncated pyramid arrays can be achieved on the sapphire substrate with diameter of 50.8 mm.The deviation of the bottom width of the triangle truncated pyramid arrays is 6.8%,which is close to the industrial production level of 3%. 相似文献
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近期,实验发现PN结中局域载流子具有极高提取效率,并导致吸收系数的大幅度增加。本文报道基于上述现象的新型量子阱带间跃迁红外探测器原型器件的性能。利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100nm的有效吸收厚度,实现了31%的外量子效率。基于该数值推算得到,量子阱的光吸收系数达3.7×104 cm-1,该数值高于传统透射实验测量结果一个数量级。上述实验结果指出,利用量子阱带间跃迁工作机制,有望实现新颖的器件结构设计和提高现有器件性能。 相似文献