排序方式: 共有79条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
针对低频下数字集成电路实现时序收敛需要插入大量缓冲器而导致芯片布线困难、运行时间较长等问题,提出了一种降低时钟树级数与增加保持时间余量相结合的时钟树综合方案。基于CSMC 0.35 μm CMOS工艺,采用提出的方案,使用IC Compiler和Prime Time工具,分别完成了应用于高精度隔离型Σ-Δ ADC芯片的低速数字滤波器的物理设计以及静态时序分析。结果表明,与传统方案相比,保持时间负松弛总值降低了95.62%,时序收敛所需缓冲器个数减少了约98.13%,运行时间缩短了97.25%,有效地降低了布线拥塞程度,快速有效地实现了时序收敛。 相似文献
2.
设计了一种应用于低压差线性稳压器(LDO)的低功耗带隙基准电压源电路。一方面,通过将电路中运放的输入对管偏置在亚阈值区,大大降低了运放的功耗;另一方面,采用零功耗的启动电路,进一步降低了整体电路的功耗。该基准电压源采用旺宏0.35μm CMOS工艺流片,经测试,基准输出电压的温度系数为33 ppm/℃,总电流消耗仅为12μA。 相似文献
3.
4.
提出了一种应用于VHF和UHF的新型功率电子器件-双极双栅MOS晶体管(BDGMOSFET),该结构是在单栅MOSFET一侧引入双极型压控晶体管(BJMOSFET),使之在正向工作时具有MOSFET和BJT的工作特性,通态电较小,同时,减少了寄生双极晶体管效应,改善了频率特性。文章对其静态特性的解析模型进行了详细研究,在该模型基础上运用通用电路模拟软件PSPICE的多瞬态分析法模拟了BDEMOSFET的直流特性,结果表明,在同等条件下,BDGMOSFET的电流密度比双栅MOSFET提高大约30%。 相似文献
5.
6.
在数模混合集成电路中,时钟信号是数据传输的基准,它对芯片能否正常工作起决定性的作用。由于数模混合集成电路的特殊性,在对时钟信号进行时钟树综合时,要对其进行特殊的处理。以串行外设接口及电平移位模块为例,提出了一种针对数模混合芯片中数字电路的时序收敛方案,验证结果表明此方案能够使时序很好地收敛。 相似文献
7.
8.
提出一种应用于CMOS图像传感器的新型光电检测器件-双极型光栅晶体管,并建立了其瞬态等效电路模型,利用电路模拟软件HSPICE的多瞬态分析法对双极型光栅晶体管的光电流特性进行了仿真,分析得出这种新型器件在0.6μmCMOS工艺参数下,由于引入pn注入结加速了光电荷的读出速率,光电流随外加电压呈指数式增长,与普通光栅晶体管相比,蓝光响应特性有较大改善。 相似文献
9.
10.
设计了一种高性能的全差分型折叠式共源共栅放大器。一方面,电路中使用了斩波技术和AB类推挽技术,以提高放大器的精确度和动态性能;另一方面,放大器中的电流源采用自级联结构,可以进一步提高电路的电压裕度和鲁棒性。本电路基于华润上华CMOS 0.35 μm工艺实现,版图面积为640 μm×280 μm,Spectre后仿真结果表明,在电源电压为5 V且斩波频率为156.25 kHz的情况下,等效输入噪声为1.11 nV/Hz1/2,失调电压为61.5 μV,功耗为1.22 mW。 相似文献