通过设计成为城市的革新者

微创新——不同事物之间建立联系任何创意都不是一蹴而就的,它一定是来自于对使用者的情感需求的一种把握。对建筑设计而言,创新更多的是由现实条件的一些限制激发出来的。比如对天台县跑学校,我们想要能设计一个学校,它能够在特别有限的场地下,仍旧能提供给孩子一种奔跑的权利,让他在孩童时代能够有奔跑的活动空间,这是他的一种情感需     

区域中心的建筑几何诠释 评析普雷斯顿·斯科特·科恩的南京大学仙林校区学生活动中心设计

普雷斯顿·斯科特·科恩设计的南京大学仙林校区学生活动中心,通过建筑几何对具有向心性和终极性特征的校区核心建筑进行了诠释:内含作用力因果关系的几何体系表达了一种介于随意性和象征性之间的向心控制性;基于该体系的形态拉伸演变和丰富了建筑的时空体验,并以时间过程性重新定义终极性。设计对当地建造技术与经济现状的充分结合使这种诠释更具本土性。     

Sol-gel法制备(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜

采用柠檬酸络合物型溶胶 凝胶法首次制备得到了具有垂直各向异性的(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜,并对材料结构和磁光性质进行了研究,结果得到石榴石磁光记录薄膜磁滞回线具有较好的矩形比,在430nm和520nm的品质因子为2°和1.5°,最佳晶化温度为675℃。     

激光致晶态Ge2Sb2Te5相变介质的光学常数

利用椭偏仪和光谱仪研究了结晶程度对Ge2Sb2Te5相变薄膜光学常数的影响.当初始化仪转速固定时,随激光功率的增加,折射率基本随之减小,消光系数逐渐增大,透过率逐渐减小;当激光功率固定时,随转速的增大,折射率也随之增大,消光系数随之减小,透过率逐渐增加.非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化(包括原子间键合状态的变化)以及薄膜内残余应力是影响Ge2Sb2Te5相变薄膜复数折射率的主要原因.测量了CD-RW(可擦重写光盘)中Ge2Sb2Te5薄膜非晶态和晶态的反射率.     

只读式超分辨光盘的膜层设计和分析

超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法。Ge Sb Te是一种良好的相变光存储材料 ,在超分辨光盘中可作为掩膜。利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2 Sb2 Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系 ,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配。采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘 ,测量了光盘的光学性质。     

二芳基乙烯的光学性质及其在超分辨光存储中的应用

利用开环态双光子吸收转化荧光光谱、荧光淬灭光谱等探究了二芳基乙烯的光学记录特性及参数,得到其非线性吸收系数为3.46×10~(-13) m/W,双光子吸收转化的阈值功率密度为107.36GW/cm~2,荧光淬灭的阈值功率密度为2.89GW/cm~2。基于所得到的测试参数,理论计算出其在超分辨光存储中的分辨率可达60.0nm,并设计了一种基于二芳基乙烯的双光子双光束超分辨光存储信息记录和读出方法。研究结果表明,二芳基乙烯具有光诱导-光抑制、非线性吸收及荧光淬灭等特性,是一种优异的超分辨光存储备选材料。     

可记录DVD光盘压模的开发

一)绪论 光盘压模作为金属模使用在光盘复制生产。可记录 光盘有MO、MD、PD、CD-R／RW、DVD±R／RW及DVD- RAM。这些光盘制造过程大体上分为压模制造,注塑成 型,记录介质涂布,后工序等四个工艺。     

溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

研究了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数与波长关系的影响。结果表明,在波长小于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率ｎ先增加然后减小,消光系数ｋ则逐渐减小;在波长大于５００ｎｍ的情况下,随溅射功率的增加折射率ｎ逐渐减少,消光系数ｋ先减小后增加。对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率ｎ随溅射功率的增加减小后增加,消光系数ｋ则逐渐减少。薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小。讨论了溅射功率对Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５薄膜的光学常数影响的机理。     

基于时间放大的光盘抖晃测试系统设计

利用TIA(时序分析仪)或其它模拟方法来测量光盘的抖晃存在成本高、灵活性差、稳定性低等不足,而在实际的光盘生产测试过程中,更需要一种升级扩展方便、性价比高的测试设备。在粗糙脉宽检测方法的基础上,引入时间放大电路,成功地设计出一套以FPGA为核心,基于PCI Express总线的抖晃测试系统;实验表明,该系统具有结构简单、精度高、设计灵活、成本低等特点,在光盘测试和抖晃特性研究方面具有较好的应用价值和一定的市场前景。