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2.
Electron beam lithography(EBL)has been playing an important role in the fabrication of large-scale integrated semiconductor devices because of its high resolution.Although high-energy electrons are widely employed in the present EBL system,high-energy electrons can penetrate through the resist layer,lose most of their energies in the substrate and,thus,cause damage to the underlying substrate.  相似文献   
3.
陈套 《科普研究》2015,10(1):49-55
本文通过对我国科普工作的发展和研究现状的梳理,研究了我国科普体系建设在政府规制和社会协同方面存在的不足:科普规制配套政策缺乏,可执行度不足,科普工作在社会事业发展中受重视程度不够高,资源整合力度不强,社会各方力量参与科普工作的积极性还没有充分调动等。基于人的全面发展和需求理论、政府社会规制理论、社会发展理论、科普系统协同发展理论、三阶段理论的支持,构建了我国科普体系建设的政府规制和社会协同发展路径,提出了科普工作的政策建议:进一步加强政策的制定完善,修订科普法规,明确各类科普力量的职责和要求;协调社会各方力量,推动共建机制的有效落实,建立"三力"动态反馈的闭合系统,提升科普能力建设。  相似文献   
4.
本文首先通过分析低能电子的反射电子能量损失谱(REELS)获取了Zn的有效能量损失函数Imi-1/ωeff(ω)},进而借助Kramers-Krongig分析得到了Zn的介电函数和光学常数.该光学常数不是通常的体光学常数,包含了表面和体的两部分贡献.根据反射电子在材料内的穿透深度可知,用本方法计算出的Zn的光学常数适用于膜厚在10nm内的材料.  相似文献   
5.
在用Monte Carlo方法模拟电子与物质相互作用过程时,常用Mott截面描述电子与原子的弹性碰撞,而用介电函数理论描述电子的非弹性散射。Penn利用光学能量损失函数Im{-1/ε(q=0,ω)}外推法获得了描述动量转移不为零的能量损失函数Im{-1/ε(q,ω)}。该介电函数主要描述由于体激发而引起的能量损失,但当入射电子能量降低,或电子掠入、出射时,电子在表面区域会引起较强的表面电子激发模式,在电子能量损失谱中对应特征的能量损失,如表面等离子体激元峰,故常用的光学能量损失函数不适于描述电子的表面激发行为。  相似文献   
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陈套  罗晓乐 《科普研究》2015,10(5):31-37
依据科普能力的内涵和文献研究高频指标,构建了我国区域科普能力的评价指标体系,运用结构方程模 型对评价体系进行了验证,通过因子分析法测算了区域科普能力和科技竞争力,比较了二者之间的匹配度,对科 普能力进行了聚类分析。发现:科普能力的提升不能仅靠科普设施,更需要科普人员和经费的投入;科普发展水 平不平衡,大多数区域科普能力较低,从东至西大致按强弱顺序排开;区域科普能力与科技竞争力匹配度不够 高,二者在较高发展水平上匹配度好。建议:制定科普事业发展的中长期规划,促进区域间科普发展的平衡;加 强科技资源向科普的转化,鼓励社会资源参与科普;科普能力强的区域,注重科普资源的开发开放、传播、扩散 和辐射,科普能力弱的地区,加强科普宣传,注重吸收和利用发达地区科普资源和成果。  相似文献   
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