高辐射强度的带THz扼流圈的偶极天线阵列模拟分析

为了提高太赫兹辐射强度, 设计了带THz扼流圈的偶极天线阵列.模拟结果表明, 增加直线阵的阵元数对平均匹配效率影响很小, 却能线性增加相干辐射强度.加入THz扼流圈可减小进入到传输线的交流分量, 进而减小共振频率的偏移, 使平均匹配效率提升了两倍.相比于网格排列的平面阵, 交错排列的阵元在垂直方向上具有更小的耦合, THz发射谱更窄.通过使用聚酰亚胺透镜代替硅透镜, 可有效提高输入电阻, 并将总效率由25%提高到35%.     

基于光混频的太赫兹双频通信天线的设计和仿真

比较了宽带天线和窄带天线的优缺点,设计了一种用于太赫兹无线通信的双频天线.其是由两个分层且垂直分布的偶极天线组成,两天线处于高度不同的介质层上以避免互相干扰和短路,并具有各自的THz扼流圈以提高性能.上层天线通过介质层开孔处的金属探针连接到低温砷化镓衬底,实现了和下层天线共用一个光照区.上层和下层天线尺寸不同,具有不同的工作频率,在各自的偏置电压回路控制下,不需要调整泵浦光就能实现垂直偏振的双频工作.通过调整尺寸,还可使工作频率落在不同的大气窗口内.在0. 21 THz、0. 35 THz、0. 41 THz、0. 68 THz、0. 85THz和0. 93 THz等大气窗口内,其保持了偶极天线在单频点具有较高性能的优点:最佳总效率分别为14. 9%、28.4%、33. 9%、28. 4%、21. 6%和19. 8%,最大实际增益分别为2. 99 d B、10. 6 d B、11. 8 d B、18. 4 d B、18. 2 d B和18. 3d B.     

InGaAsP多量子阱双稳态激光器的实验及理论研究

从实验和理论上研究了InGaAsP多量子阱（Multi-Quantum-Well，MQW）双区共腔（Common Cavity Tandem Section，CCTS）结构半导体激光器的吸收区偏置状态对双稳态特性的影响。实验结果表明:随着可饱和吸收区上的负偏置电压的增大，激光器P-I曲线中双稳态特性更加明显，V-I曲线有负微分电阻，当偏压加至-3 V时，回滞曲线环宽度增加至13.5 mA，开关比达到21:1。理论分析表明，利用吸收区的高负偏置态和短载流子逃逸时间能获得更好的双稳态特性。最大107:1的开关比也说明双区共腔激光器能在两稳态之间实现非常明确的转换。