Layer-by-layer assembly of nanocomposite films with thickness up to hundreds of nanometers

1 Introduction In 1991, DECHER and his co-worker extended ILER’s pioneering work on fabrication of inorganic colloidal particle-based layer-by-layer assembled films to the preparation of polyelectrolyte-based layer-by-layer assembled films[1?3]. Now the…     

纳米光栅的表面等离激元增强型GaN-LED

为提高传统GaN基LED的发光效率,提出了一种基于纳米光栅结构的透射式表面等离激元增强型GaN-LED。该增强型LED包含覆盖在p型GaN光栅槽内的低折射率SiO2膜、Ag膜以及槽表面的ITO薄膜。详细阐述了该结构增强LED发光特性的基本原理,利用基于有限元法的模拟软件COMSOLTM-RF Module对该结构进行参数优化和数值模拟分析。研究结果表明,在周期p=280 nm,占空比f=0.5,SiO2层的厚度dSiO2=25 nm,银层的厚度dAg=15 nm,ITO层的厚度dITO=30 nm时,该结构在可见光范围内具有较高的传输效率,其零阶透射率高达0.716,零阶反射率为0.224,-1阶透射率峰值0.183,且Purcell因子增强了近16.4倍。该结构可以同时提高GaN基LED的内量子效率、光萃取效率和SPP萃取效率。     

化学还原法合成硫化铅纳米棒及其表征

硫化铅纳米材料具有特殊的光电性能。许多方法用于合成各种形貌的硫化铅纳米材料。主要介绍以硝酸铅、四氢呋喃、硫粉和硼氢化钾为原料，通过化学还原方法来合成硫化铅纳米棒。在合成过程中，硝酸铅、四氢呋喃、硫粉和硼氢化钾的混合物在无水的条件下进行磁力搅拌，半导体硫化铅纳米棒即形成。硫化铅纳米棒分别通过x射线粉末衍射、透射电镜、紫外，可见光，近红外光分光光度仪和荧光分光光度仪进行表征。在透射电镜图中，硫化铅纳米棒的直径和长度分别为500hm和11μm。由于量子限域效应，分散在丙酮中的硫化铅纳米棒的紫外，可见光，近红外光吸收峰在1731nm，比硫化铅块体有明显的蓝移。通过532nm的绿色激光激发，硫化铅纳米棒在1516nm处发出荧光。     

新型双通道可选择性SPR光纤传感器的研究

设计了一种双通道表面等离子体共振光纤传感器,分析了Au、Cu两种材料对波长调制型表面等离子体共振光纤传感器的影响,优化了金属厚度并且选取优化后的金属厚度dAu=47 nm,dCu=53 nm进行数值仿真分析。结果表明,金属层为金的通道比金属层为铜的通道灵敏度高,但是金属层为铜的通道比金属层为金的通道检测精度高4倍;金属层为金的传感通道适合检测折射率较低的物质,而金属层为铜的传感通道适合检测折射率较高的物质,该传感器的提出扩大了单一传感器的应用范围,并且文中提出的传感器比传统的SPR传感器检测精度高,灵敏度和单通道传感器一样。     

氮化镓基Micro-LED的研究现状

氮化镓基Micro-LED在显示、可见光通信、光遗传学、无掩膜光刻、高压LED和光镊等领域具备潜在的应用前景。文章介绍了Micro-LED阵列的制备流程,总结了Micro-LED的量子效率、调制带宽和可靠性等特性,并重点描述了Micro-LED在显示和可见光通信领域的应用。     

金属脊-三角形半导体型混合表面等离子体波导研究

提出了一种新颖的基于金属脊-三角形半导体的混合表面等离子体波导结构,基于有限元法对该波导结构进行了数值仿真和分析。主要研究了该结构的电场分布、传输长度、归一化模场面积和质量因数。结果表明：在工作波长为1550nm时,通过优化参数,其有效模场面积达到0.00193,传输长度为37.7um,质量因数为4853,该结构具有较低的损耗。与金属平板混合波导结构相比,本文设计的结构具有更大的质量因数,更强的光场限制能力,波导的综合性能更好。这种波导结构在微纳米光子学、光电子通讯和光信息存储等领域具有广阔的应用前景。     

尖晶石型结构的X射线衍射分析和计算

本文对尖晶石型材料结构参数进行研究,设计了一个通用的尖晶石型结构材料的X 射线粉末衍射结构修正程序。应用这个程序,从一张粉末衍射图可一次计算出尖晶石型结构材料的晶格常数,阳离子占位百分比,氧参量,温度因子等多种结构参数,并可推测出固溶复合尖晶石的各相成份和含量。     

高分子化8-羟基喹啉及其金属配合物的合成与光谱分析

通过缩合反应将氯甲基化8-羟基喹啉接枝到丙烯酰胺-丙稀酸共聚物主链上，形成带8-羟基喹啉侧基的高聚物。采用红外光谱、紫外-可见光吸收光谱分祈了高聚物的结构。由于主链上存在大量水溶性基团，所得产物具有较好的水溶性。制备了高分子化的8-羟基喹啉的几种金属配合物，采用荧光光谱对8-羟基喹啉高聚物及其金属配合物进行测试，结果显示这些金属配合物具有较好的光致发光性能。     

单片集成发光与探测的micro-LED阵列及显示与可见光通信应用

GaN基micro-LED阵列作为新兴的光源技术,已被证明可以在光通信及显示等领域发挥重要作用。如果阵列中的micro-LED能够探测毗邻区域像素的发光性能,将有望形成单片集成发光探测的多功能micro-LED阵列,从而推进未来物联网技术中满足小型化、低功耗需求的光子集成芯片的发展。文章通过实验验证了InGaN/GaN多量子阱结构可以在不同偏压下实现发光和探测的双重功能,从而证明了micro-LED阵列单片集成发光和实时探测的可行性,并进一步将其应用于高稳定性可见光通信以及显示阵列坏点实时检测中,拓宽了micro-LED阵列集成发光探测多功能的潜在应用领域。