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利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了SnZn相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2CuZn+SnZn]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[CuZn+SnZn]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与SnZn相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。 相似文献
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为了研究微光机电系统的元器件微角反射器的制作理论和过程,采用自组装方法设计制作角反射器,通过光刻和选择性蚀刻确定角反射器图案,当把牺牲层腐蚀掉后,由晶格失配双层结构形成的铰链在应力驱动下带动镜面发生旋转并最终达到平衡位置,从而完成自组装制作过程。采用适于求解弹性应力几何非线性问题的有限元方法进行了计算分析,并仿真得到不同角度的微反射镜和微立方箱。通过分别调整镜面和铰链尺寸、应变双层厚度和上盖层厚度,仿真分析了镜面的线度、角度和平整度对旋转角度的影响。结果表明,自组装方法是制作微光机电系统中3维微/纳米元器件的一种非常有效的方法,具有很好的发展前景。 相似文献
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