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1.
The MOSFET is a key device in high-fequency applications,such as swithing sup-plies,because of its high input DC impedance and the majority carriers participating in thecurrent conduction.Unfortunately,owing to the limitation of the c...  相似文献
2.
基于IP核复用技术的SoC设计   总被引:5,自引:1,他引:4  
概述了国内外IP产业的发展情况,论述了我国发展IP核复用技术SoC设计的可能性和必要性,指出我国急需发展的关键芯片及IP核种类。  相似文献
3.
一种低功耗低噪声相关双取样电路的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
为了尽量在前级消除CMOS图像传感器读出电路中的主要噪声源,本文提出一种低功耗低噪声的相关双取样电路,开关晶体管采用PMOS晶体管代替传统的NMOS晶体管,避免了NMOS管的阈值损失,有效地降低功耗而不减小信号摆幅,降低了1/f噪声。与传统CDS电路相比较,所提出的CDS电路的输出采用对称列选通开关和源跟随晶体管,减少了两个电流源晶体管和一个偏置电源,有效地降低了功耗:同时,现有工艺能制造出性能匹配很好的对称晶体管,有效地消除器件本身由于阈值偏差带来的固定平面噪声。模拟结果表明,在电源电压为3.3V的情况下,像素单元响应动态范围(输出幅值接近电源电压)较宽,像素单元及CDS正常工作时消耗的能量是1.73μW。  相似文献
4.
红外线车辆自动刹车控制系统   总被引:2,自引:0,他引:2  
为了有效防止汽车相撞的交通事故,设计了一种利用红外线发射与接收原理自动控制车辆刹车的电路系统。该系统在车速超过了某一预定值时便启动。启动后,若车辆在某一距离范围内遇到障碍物,该系统迅速发出刹车信号,并自动产生刹车动作。超出这一距离范围,则不起反应。  相似文献
5.
一种1.8 V 24×10-6/℃宽温度范围CMOS带隙基准电压源   总被引:1,自引:1,他引:0  
马建斌  金湘亮  计峰  陈杰 《电子器件》2006,29(3):697-700
阐述了一种输出电压为853 hV的带隙基准电压源电路,该电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现,可在1.8 V的电源电压下工作,在-20℃到120℃温度范围内其温度系数为24×10-6/℃.在频率低于10kHz时,电源抑制比保持在-66dB.电路版图的有效面积为0.022 mm2.该电路已成功应用于低功耗CMOS图象传感器芯片当中.  相似文献
6.
比较了双极--MOS功率半导体器件的五种基本构成方式;然后介绍该类器件发展的最新动态,着重阐述几种最新器件;最后分析预测了这类器件发展的方向。  相似文献
7.
简要介绍了当前模数转换主流技术的原理、结构、工作方式以及特点,并指出了各自所存在的问题。最后,根据对各种模数转换技术的分析,展示了模数转换技术的发展趋势。  相似文献
8.
比较了传统的CCD图像传感器和近几年发展起来的CMOS图像传感器的优缺点;讨论了CMOS图像传感器的关键技术;概述了国内外CMOS图像传感器发展的现状,预测了CMOS图像传感器的发展方向。  相似文献
9.
金湘亮  曾云 《微电子学》2001,31(3):157-160
提出了一种应用于VHF和UHF的新型功率电子器件-双极双栅MOS晶体管(BDGMOSFET),该结构是在单栅MOSFET一侧引入双极型压控晶体管(BJMOSFET),使之在正向工作时具有MOSFET和BJT的工作特性,通态电较小,同时,减少了寄生双极晶体管效应,改善了频率特性。文章对其静态特性的解析模型进行了详细研究,在该模型基础上运用通用电路模拟软件PSPICE的多瞬态分析法模拟了BDEMOSFET的直流特性,结果表明,在同等条件下,BDGMOSFET的电流密度比双栅MOSFET提高大约30%。  相似文献
10.
本文采用数值计算和解析分析相结合的方法,建立了新型功率半导体器件--有型压控晶体管(BJMOSFET)电流-电压特性的数值分析模型;运用Mathematics数学分析软件,模拟得出BJMOSFET电压转移特性曲线和电压输出特性曲线;得出的结果说明在相同的器件结构尺寸和工作情况下,与功率MOS晶体管相比,导通电压略有增加,但电流容量增加较大。  相似文献
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