数字全息测量技术中消除零级衍射像的方法

提出一种数字全息的零级衍射像消除方法 ,该方法不需要相移器材或其他辅助设备 ,直接利用图像处理手段对数字全息图进行数字处理 ,完全消除零级衍射像 ,有效改善真实像质量。  

BGA空洞形成的机理及对焊点可靠性的影响

BGA空洞是BGA组装过程常见的工艺缺陷,系统介绍了BGA空洞形成的机理与主要影响因素,讨论了BGA空洞的接受标准及其对焊点可靠性的影响,提出了消除及减少空洞缺陷的主要措施.  

复杂目标后向激光雷达散射截面计算与缩比模型测量比较

研究了复杂目标激光雷达散射截面(LRCS)与电磁波段雷达散射截面的差异，提出使用可视化技术计算复杂目标后向激光雷达散射截面的流程框图，并使用该技术对某飞机全尺寸模型进行了计算。将计算结果按缩比关系换算，得到了1：8缩比模型的散射截面。利用标准板定标法，在外场环境对1：8缩比模型进行了实际测量，获得了缩比模型散射截面的实验数据。对计算数据与测量数据进行了对比分析，结果表明，在目标主要散射方位，理论计算和测量结果一致；通过缩比模型的测量可以获取全尺寸目标的激光散射特性。  

“神光”装置中空间滤波器的鬼点分析

在设计“神光”装置各光学元件时 ,鬼点反射是主要考虑的因素之一。通过分析神光装置主放大器后的空间滤波器的鬼点 ,确定了空间滤波器中透镜的选型 ,以及主放大器中钕玻璃片与空间滤波器透镜间的距离。  

高功率激光装置中的鬼点反射分析

介绍了高功率激光装置中的鬼点反射及其带来的破坏影响 ,分析并计算了神光 Ⅱ装置中主放大器部分的鬼点反射 ,给出了避开鬼点反射损伤的方法。  

激光诱导Al等离子体连续辐射研究

分析了Ａｌ等离子体连续辐射特征。根据连续辐射强度的同时分布，简要讨论了激光诱导等离子了体连续辐射的产生机理。我们认为激光诱导等离子体的连续辐射的主要机制提轫致辐射和复合辐射。在激光脉冲作用到靶上的瞬间，轫致辐射占主导地位，在等离子体演化初期，复合辐射和轫致辐射共同产生等离子体连续辐射，在等离子体演化后期，连续辐射主要是轫致辐射产生的。  

S-Band 1mm SiC MESFET with 2W Output on Semi-Insulated SiC Substrate

介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道和衬底之间的缓冲层为非有意掺杂的弱n型.欧姆接触用的帽层掺杂浓度约1019cm-3.器件制备采用了ICP刻蚀等技术.微波测试结果表明,1mm栅宽功率器件封装后在2GHz下输出功率达到了2W.  

空分多址系统中的快速PDA算法

空分多址系统中(SDMA)的多用户检测技术(MUD)是决定系统性能的关键。由于最优算法的不可实现性,寻找次最优的简单实用的算法是人们研究的热点。迭代式概率数据辅助(PDA)算法的性能接近于最优算法,但其运算量降低了一半。该文分析了迭代式PDA算法错误判决的分布,提出了快速PDA算法,引入最大似然因子,将迭代式转化为一次判决方式,进一步减小了运算量。仿真结果表明快速PDA算法与迭代式PDA算法的性能十分接近。  

S波段10 W SiC MESFET的研制

采用在75 mm 4H-SiC半绝缘衬底上实现的国产SiC MESFET外延材料进行器件研制,在该器件的具体研制工艺中利用感应耦合等离子体干法腐蚀,牺牲层氧化等工艺技术,研制出2 GHz工作频率下连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的MESFET功率样管,该器件的特征频率达6.7 GHz,最高振荡频率达25 GHz.对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果.  

非制冷热释电薄膜红外探测器热绝缘结构的研制

采用由多孔 Si O2 薄膜和过渡 Si O2 薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘 .利用溶胶凝胶方法制备了多孔 Si O2 薄膜以及过渡 Si O2 薄膜 ,通过优化制备工艺 ,使得多孔 Si O2 一次成膜厚度达到30 70 nm ,孔率达到 5 9% ;过渡 Si O2 一次成膜的厚度达到 1 88nm,孔率达到 4 % .AFM表明 ,由过渡 Si O2 薄膜与多孔Si O2 组成的复合薄膜结构的表面粗糙度远小于多孔 Si O2 薄膜的表面粗糙度 .该热绝缘结构有利于探测器后续各层功能薄膜的集成