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1.
GaN基紫外探测器及其研究进展   总被引:12,自引:3,他引:9  
宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用。GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器。对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了p型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等。最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的32×32紫外焦平面探测器进行了简单介绍。  相似文献
2.
激光辐照对HgCdTe长波光导探测器性能的影响   总被引:6,自引:2,他引:4  
对HgCdTe长波光导探测器进行了变功率激光辐照,对激光辐照前后的探测器性能进行了测试。结果表明在受到功率高于暂时损伤阈值但低于永久损伤阈值的激光辐照后,探测器性能有较大的下降。  相似文献
3.
室温短波碲镉汞结区的LBIC方法研究   总被引:6,自引:6,他引:0       下载免费PDF全文
室温短波碲镉汞焦平面技术在军事与航天工业上的应用越来越广泛,列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏面面积扩大的问题越来越突出.我们利用激光诱导电流(LBIC)检测系统测试了室温短波碲镉汞n—on—p芯片的光响应分布,证实了有效光敏面扩大的存在.从实验结果看,结区的侧向扩散收集效应是造成目前常规工艺形成的光伏器件光敏面面积扩大的主要因素.  相似文献
4.
Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展   总被引:6,自引:5,他引:1       下载免费PDF全文
文中简单介绍了紫外波段光电探测的基本特点,包括各波段特点、大气吸收等,并粗略 介绍了紫外探测的部分应用。然后对Ⅲ族氮化物宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾,重点介绍了包括P型材料的制备、金属半导体接触、材料的蚀刻等方面;最后,对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展作了一些评述。  相似文献
5.
1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响   总被引:4,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
研究了1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响.通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数,结果发现经过电子辐照,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动.在辐照剂量大于10^15/cm^2时,器件的室温电阻和响应率明显下降.探测率由于噪声的影响无明显变化趋势.  相似文献
6.
GaN折射率的椭圆偏振光谱研究   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
利用400~1200nm波段的椭圆偏振光谱对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂纤锌矿氮化镓(GaN)外延薄膜进行了研究.通过拟合实验数据获得了GaN薄膜的厚度和在可见-近红外区域的折射率色散关系,即n^2(A)=2.26^2 330.1^2/((λ/nm)^2-265.7^2).利用这一公式研究了GaN紫外-可见波段的反射光谱,计算得到的GaN薄膜厚度,与椭偏光谱结果一致,两者偏差仅为0.68%.  相似文献
7.
空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展   总被引:3,自引:3,他引:0  
文中介绍了与空间应用有关的紫外探测。首先,介绍了美、欧等西方国家在空间天文以及行星、卫星探测等方面多年来的紫外应用情况,包括卫星探测器上搭载的紫外有效载荷;然后,评述了目前在空间使用的紫外探测器状况,以及在未来的空间应用中极具发展潜力的AlGaN紫外探测器;最后,对AlGaN紫外焦平面探测器国内外近年来的研究进展进行了阐述。  相似文献
8.
时域有限差分电磁建模系统的研究与设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
基于时域有限差分(FDTD)算法并利用计算机可视化技术,对目标系统进行电磁建模研究,并设计出一套具有丰富内建图形处理功能的网格生成软件。在本系统中通过对目标系统进行3D建模和电磁学问题描述,将生成的电磁建模文件输入FDTD仿真模块即可进行模拟分析计算,直观形象地观察到电磁场的分布状态、电磁波传播、透射、散射等现象。U型天线的建模实例表明该电磁建模系统准确、高效。  相似文献
9.
低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响   总被引:2,自引:2,他引:0  
利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属一半导体一金属交叉指型肖特基紫外探测器。用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响。Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.36eV升高到400℃0.5h的0.57eV,退火延长为1h势垒反而开始下降。分析结果表明:由工艺造成的填隙Au原子引入的缺陷是器件势垒偏低的主要原因,Au填充N空位形成了施主型杂质是退火后势垒升高的主要原因。  相似文献
10.
AlGaN材料金属接触的性能和界面结构研究   总被引:2,自引:2,他引:0       下载免费PDF全文
文章通过AlGaN材料的金属接触制作工艺和接触性能、接触界面显微结构和基础理 论研究等诸方面反映AlGaN材料的欧姆接触及势垒接触研究概况和最新进展。  相似文献
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