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采用分子束外延技术(MBE)对GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气(2DEG)样品进行了制备,样品制备过程中,通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式,在300K条件下对制备的样品进行了霍尔测试,获得了室温迁移率7.205E3cm2/V?S,载流子浓度为1.787E12/cm3的GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气沟道结构,并采用Mathematica软件分别计算了不同沟道宽度时300K、77K温度下GaAs基HEMT结构的太赫兹探测响应率,为HEMT场效应管太赫兹探测器的研究和制备提供了参考依据。  相似文献
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