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1.
多目标混沌进化算法   总被引:9,自引:1,他引:8       下载免费PDF全文
雷德明  严新平  吴智铭 《电子学报》2006,34(6):1142-1145
 设计了多目标混沌进化算法(MCEA),在每一代遗传操作和外部档案调整完成之后,该算法从外部档案中随机选择部分个体,对这些个体的拷贝进行混沌搜索,以产生更多非劣解.将强度Pareto进化算法(SPEA)和SPEA2分别与基于Logistic映射的混沌搜索结合而产生的MCEAs应用于一些复杂多目标优化问题,计算结果表明,混沌的加入,明显改善了多目标进化算法(MOEA)各方面的性能.  相似文献
2.
势垒层对黑硅光电探测器性能影响的研究   总被引:4,自引:3,他引:1  
讨论势垒层Si3N4的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响。探测器采用金属-半导体-金属(MSM)器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒,从而减低器件的暗电流。实验表明,在相同的光照情况下,有势垒层的探测器暗电流比无势垒层的探测器暗电流至少低1个数量级,且势垒层厚度增加30nm其暗电流降低约1个数量级,而光电流无明显改变。结果表明,沉积势垒层可有效地降低黑硅MSM探测器的噪声电流,提高信噪比(SNR)。  相似文献
3.
一种新型气敏传感器的研究   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
 本文以一种新型有机半导体材料——三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物(Pr 2) 为气敏材料,利用Langmuir-Blodgett(LB)超薄膜技术,将Pr 2以1:3的配比与十八烷醇(OA)的混合LB多层膜(Pr 2/OA)拉制在自行设计的场效应晶体管上,形成了一种新型的以LB膜取代通常的MOSFET中栅金属的化学场效应管器件.将该器件放入NO2气体中,随着气体浓度和LB膜层数的变化,器件的漏电流IDS将产生0.05×10-6A~1.5×10-6A的变化,探测灵敏度可达到5ppmNO2,这种气敏传感器的气敏特性受到FET的电流放大作用和LB膜有序性的影响.  相似文献
4.
导电聚合物PEDT对固体钽电解电容器性能的影响   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用具有高导电率(1~500 S/cm)、热稳定性好的导电聚合物 PEDT(聚 3,4-乙烯二氧噻吩)取代 MnO)_2,在固体钽电解电容器芯子上制作 PEDT 阴极层。主要研究了化学聚合条件对电容器性能的影响,结果显示聚合温度对电容器的损耗有一定的影响;氧化剂与单体的体积比保持在 3~6 范围内有利于降低 Res值,达到 0.02~0.08 Ω,并改善了钽电容器的频率特性。  相似文献
5.
IRFPA的一种新的非均匀性校正算法   总被引:2,自引:2,他引:0  
提出在IRFPA非均匀性校正中使用埃尔米特插值方法,与其他传统方法相比较具有运算量小,修正效果好,易于实现等优点。在既有乘性噪声,又有较强加性噪声的情况下,仿真效果优于拉格朗日分段线性插值算法,是一种新的非均匀性校正算法。  相似文献
6.
测辐射热计微桥结构的形变分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用微加工技术制作测辐射热计阵列时,部分微桥可能发生结构变形,使阵列的性能下降甚至无法正常工作.采用有限元分析方法,对在热膨胀和薄膜应力影响下的I型和L型两种微桥的变形进行了仿真分析,揭示了热膨胀和薄膜应力分别对微桥形变的影响.  相似文献
7.
基于Wiener滤波理论的非制冷红外焦平面非均匀校正新算法   总被引:1,自引:1,他引:0  
提出了一种基于Wiener滤波理论的非均匀校正新算法。讨论了应采用的滤波器结构,滤波器阶数的确定方法以及期望响应的提取方式等关键问题。并在此基础上提出了信号处理的解决方案,可以具备良好的实时性。  相似文献
8.
混沌时间序列的遗传演化建模   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
张伟  吴智铭  杨根科 《电子学报》2005,33(4):748-751
 从实测时间序列中构造混沌系统的模型是非线性时间序列分析中的一个重要议题,本文利用遗传编程方法(GP),在尽可能大的函数空间内搜索合适的模型结构,并引入粒子群算法(PSO)在动态模型结构情况下进行非线性参数估计,取得了较好效果.此外,演化建模的实现结合了非线性时间序列分析(NTSA)的结果,以NTSA的结果指导演化建模参数的选取并作为模型优劣的评判标准,改进了经典GP算法对混沌系统建模的应用效果.  相似文献
9.
杨晓瑜  蒋亚东  吴志明  李素  文雯 《电子器件》2007,30(4):1171-1174
针对典型的50 μm×50 μm双层微桥结构的微测辐射热计单元的设计,分析了其红外吸收性能、热性能、力学支撑性能及相互间的折衷关系,指出微桥桥面的夹层结构的各层膜厚选取和桥腿宽度的选取是兼顾红外吸收和热、力性能的关键因素.以Si3N4/VOx/ Si3N4膜系为例对微桥进行了优化设计,获得了理论上最佳的夹层结构膜厚和桥腿宽度,得到时间常数20 ms和8-14 μm波段有80 %以上红外吸收率.  相似文献
10.
杨鹏  吴志明  吕坚  蒋亚东 《微电子学》2007,37(6):891-894,898
设计了一种利用不同材料电阻的比值随温度变化的特性进行二阶补偿的低压带隙基准电压源。通过温度补偿电阻进行电平平移,提高运放的共模输入范围,以降低运放对电源电压的限制。仿真结果表明,该电路输出电压为1.165 V,在-40~125℃范围内,温度系数为4.5 ppm/℃,电源抑制比达到60.6 dB。电路工作在1.5 V的电源电压下,最大消耗15μA电源电流。  相似文献
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