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1.
基于CzHQZn发光的白光有机电致发光器件   总被引:3,自引:2,他引:1  
利用一种新材料(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-Zinc(CzHQZn)作空穴传输层和发光层制备了白光有机电致发光器件(WOLED),器件的结构为indium-tin oxide(ITO)/4,4′,4′′-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)(22 nm)/CzHQZn(xnm)/N,N′-bis-(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine(NPBX)(ynm)/2,9-dimethyl,-4,7-diaphenyl,1,10-phenanthroline(BCP)(10nm)/tris(8-quinolinolato)aluminum(Alq3)(68-x-ynm)/LiF(0.5 nm)/Al。研究发现发光层CzHQZn和NPBX的厚度对器件的发光性能有较大的影响。当CzHQZn厚度x为22 nm、NPBX厚度y为8 mm时,得到了色度最好和效率最大的WOLED,最大电流效率为0.9 cd/A(at ...  相似文献
2.
单光子雪崩二极管的被动-主动混合抑制技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用主动快恢复技术,设计了缩短死时间的被动-主动相结合的抑制电路,制作出高量子效率、低噪声、死时间短的单光子探测器,探测器的死时间由原来的大于2μs缩短为小于100ns,计数率达到5 MHz以上.利用TAC/MCA技术对单光子雪崩二极管(SPAD)输出信号进行了光子自相关测量,研究了2个相邻单光子计数脉冲时间分布统计效应,直接观测到了采用被动-主动混合抑制技术后死时间的改善.  相似文献
3.
以CzHQZn为空穴传输及发光层的有机黄光器件   总被引:2,自引:0,他引:2  
和(0.48,0.49)的范围内,属于黄光器件.  相似文献
4.
基于TPAHQZn发光色度稳定的黄色OLED   总被引:2,自引:2,他引:0  
采用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料(E)-2-(4-(dipheny-lamino)styryl)quinolato-zinc (TPAHQZn)作为发光层,制备了结构为 ITO/ 4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine (2T-NATA)(15 nm)/ (E)-2-(4-(diphenylamino)styryl)quinolato-zinc (TPAHQZn)(x nm)/9,10-bis(2-naphthyl)anthracene(ADN)(31 nm)/ tris(8-quinolinolato) aluminum(Alq3)((65-x) nm)/LiF(0.6 nm)/Al的黄色有机电致发光器件.研究了不同厚度的发光层对器件性能的影响.TPAHQZn厚度为30 nm 的器件在14 V电压下实现了黄光发射,最大发光亮度为 2 479 cd/m2,最大电流效率为0.84 cd/A,色坐标由8 V(6.346 cd/m2)时的(0.502,0.449 5)到14 V(2 479 cd/m2 )时的(0.497 9,0.453)变化不大,器件的发光颜色稳定.  相似文献
5.
基于NPBX掺杂CzHQZn的黄色有机电致发光器件   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用一种既具有空穴传输特性又具有发光特性的新型荧光染料N-乙基咔唑-2-乙烯基-8-羟基喹啉锌[(E)-2-(2-(9-ethyl-9H-carbazol-3-yl)vinyl)quinolato-zinc,CzHQZn]掺杂在NPBX中作为空穴传输层,CzHQZn同时还作为发光的主体,制备了结构为ITO/2T-NATA(30nm)/NPBX:25%CzHQZn(xnm)/BCP(10nm)/Alq3(60-x)nm/LiF(0.5nm)/Al的有机发光器件(x为掺杂发光层的厚度),掺杂发光层的厚度按照15,20,25,30nm进行变化,相应改变Alq3的厚度,使得这两者的总厚度为60nm保持不变。当掺杂发光层的厚度是20nm,Alq3的厚度是40nm,其他层厚度保持不变时,器件在4V电压下实现了黄光发射,色坐标为(0.514 6,0.470 5),亮度是1.078cd/m2。在14V的电压下,器件最大发光亮度为449 0cd/m2,最大发光效率为0.98cd/A。  相似文献
6.
以CzHQZn为主体的有机发光器件的发光效率   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用真空热蒸镀技术,分别制备了结构为ITO/2T-NATA(25nm)/CzHQZn(10~25nm)/TPBi(35nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:x%CzHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:10%CzHQZn(xnm)/Alq3((70-x)nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED)。器件中,CzHQZn既有空穴传输特性,又是黄光发射的主体。为了提高其发光效率,利用磷光敏化技术,研究了掺杂层中不同掺杂浓度和掺杂层不同厚度时器件的发光效率。结果表明,器件的效率随着掺杂发光层的厚度和掺杂浓度的变化而改变,当发光层的厚度为18nm时,CzHQZn掺杂浓度为10%的器件性能较好;在10V电压下,器件的最大电流效率达到3.26cd/A,色坐标为(0.4238,0.5064),最大亮度达到17560cd/m2。  相似文献
7.
脉冲宽度40 fs,功率1.1 W的载波包络相位(CEP)稳定的飞秒激光脉冲在充氩气的空芯光纤内由于自相位调制频谱展宽,通过啁啾镜和斜劈补偿色散,最终可获得脉冲宽度为6 fs的载波包络相位稳定的强激光脉冲.将之应用到高次谐波实验中得到了脉冲宽度为500 as的单个阿秒脉冲.  相似文献
8.
通过研究新型荧光材料2-(2-溴-5-乙烯-噻吩)-8-羟基喹啉锌(BTHQZn)的电致发光特性,发现BTHQZn具有良好的电致发光特性和空穴传输特性,利用此特性制备了掺杂型有机电致黄光器件,结构为ITO/2T-NATA(30 nm)/CBP:5%Ir(ppy)3:10%BTHQZn(20 nm)/Alq3(50 nm)/LiF(0.5 nm)/Al,器件在12 V时实现了黄绿光发射,最大发光亮度为4 552 cd/m2,色坐标为(0.395 4,0.497 6),在11 V电压下的最大发光效率为2.82 cd/A.  相似文献
9.
针对现有基于尖峰噪声电容平衡方法的单光子探测技术工作频率较低的问题, 设计了利用高速二极管平衡的InGaAs/InP雪崩光电二极管信号提取方案.配合高速信号处理电路, 实现了工作频率最高达700 MHz的近红外单光子探测器.雪崩二极管制冷至218 K, 在脉宽小于1 ns、重复频率700 MHz的门脉冲触发下, 当探测效率为10%时, 暗计数率为7×10-6/pulse, 后脉冲率为7.4%.该方案提供了一种重复频率连续可调宽带高速单光子探测方法, 结构简单且性能良好.  相似文献
10.
针对传统光时域反射仪(OTDR)激光出射功率高、累计时间长、测量分辨率低的问题,提出了将高速InGaAs/InP雪崩光电二极管单光子探测器应用于光时域反射测量的方法。单光子探测器的工作重复频率为1 GHz,可实现“准连续”探测,无需扫频即可快速捕获单光子水平的回返光信号并输出。该方法实现了出射光脉冲宽度为50 ps、峰值功率为10 mW,测量距离为50 km,距离精度小于10 cm,且事件盲区小于1 m的光时域反射测量。  相似文献
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