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1.
阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型   总被引:12,自引:12,他引:3  
郭宇锋  李肇基  张波  方健 《半导体学报》2004,25(12):1695-1700
提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数n从0到∞时的器件击穿特性进行了研究.结果表明,该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限,使埋氧层电场从常规75V/μm提高到500V/μm以上;同时得到均匀的表面电场分布,缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾,因此SBOC结构是一种改善SOI耐压的良好结构.  相似文献
2.
SOI基双级RESURF二维解析模型   总被引:7,自引:7,他引:1  
提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DOR,doping optimal region),研究表明该判据和DOR还可用于其他单层或双层漂移区结构.根据此模型,对双级RESURF结构的降场机理和击穿特性进行了研究,并利用二维器件仿真器MEDICI进行了数值仿真.以此为指导成功研制了耐压为560V和720V的双级RESURF高压SOI LDMOS.解析解、数值解和实验结果吻合得较好.  相似文献
3.
基于粒子滤波的空-地目标跟踪算法   总被引:4,自引:4,他引:0  
宋策  张葆  尹传历  王超 《光电子.激光》2013,(10):2017-2023
针对空-地目标跟踪中目标大幅度变速运动而引 起的跟踪失败问题,基于Kristan等人提出的双步(TS)动态模型框架,对空-地目标跟 踪中目标运动特点进行分析与建模,改进TS模型中 的保守模型以适应加速运动,提出适于描述大幅度变速运动的加速度双步(TSA)动态模型作 为粒子滤波(PF)跟踪算法的动态模 型,实现对粒子状态的精确预测,进而达到使用较少粒子即可对目标鲁棒跟踪的目的。对空 -地目标跟踪的测试视频进行测 试,结果表明,本文算法可对大幅度变速运动目标稳定跟踪,正确跟踪率为92%,对目标 尺寸约为25pixel×30pixel时的处理帧率为29frame/s。本文算法具有较好的鲁棒性与实时性。  相似文献
4.
新型开关电源的关键技术   总被引:4,自引:4,他引:4  
阐述了新型开关电源的关键技术。釆用跨周期调制和电流极限状态机相结合,引入模糊控制理论和混沌理论,使新型开关电源在能量转换效率、瞬态响应速度、负载调整率、抗扰动性能等方面的特性得到显着提高;应用频率抖动(FJ)技术,实现开关电源低EMI性能。随着半导体功率开关器件的快速发展,新型开关电源将会更加短、小、轻、薄、节能、安全,实现高效率和高品质的统一。  相似文献
5.
超低比导通电阻SOI双栅槽型MOSFET   总被引:3,自引:3,他引:0  
本文提出了超低比导通电阻(Ron,sp) SOI双栅槽型MOSFET(DG Trench MOSFET)。此MOSFET的特点是拥有双栅和一个氧化物槽:氧化物槽位于漂移区,一个槽栅嵌入氧化物槽,另一个槽栅延伸到埋氧层。首先,双栅依靠形成双导电沟道来减小Ron,sp;其次,氧化物槽不仅折叠漂移区,而且调制电场,从而减小元胞尺寸,增大击穿电压。当DG Trench MOSFET的半个元胞尺寸为3μm时,它的击穿电压为93V,Ron,sp为51.8mΩ?mm2。与SOI单栅MOSFET(SG MOSFET)和SOI单栅槽型MOSFET(SG Trench MOSFET)相比,在相同的BV下,DG Trench MOSFET的Ron,sp分别地降低了63.3%和33.8%。  相似文献
6.
High voltage SOI LDMOS with a compound buried layer   总被引:3,自引:3,他引:0  
An SOI LDMOS with a compound buried layer (CBL) was proposed. The CBL consists of an upper buried oxide layer (UBOX) with a Si window and two oxide steps, a polysilicon layer and a lower buried oxide layer (LBOX). In the blocking state, the electric field strengths in the UBOX and LBOX are increased from 88 V/μm of the buried oxide (BOX) in a conventional SOI (C-SOI) LDMOS to 163 V/μm and 460 V/μm by the holes located on the top interfaces of the UBOX and LBOX, respectively. Compared with the C-SOI LDMOS, the CBL LDMOS increases the breakdown voltage from 477 to 847 V, and lowers the maximal temperature by 6 K.  相似文献
7.
一种新型高发射效率的阳极短路IGBT   总被引:3,自引:3,他引:0  
提出了一种新型的双发射短接的阳极短路IGBT结构,该结构有两个空穴放射区和二氧化硅阻挡层。首先,第二发射区可以增加空穴的发射效率同时阻止电子直接流向金属,增加了阳极上的电阻和电压,有效的抑制了负阻效应;另一方面,二氧化硅阻挡层使得大量电子聚集在阳极区附近,进一步降低了导通压降。结果表明:相对于传统NPT IGBT, NPN-IGBT和阳极短路IGBT,导通压降分别降低了10%, 17%, 30%。另外,这种阳极短路结构由于有一个电子通道,在关断过程中可以像阳极短路结构一样抽取过剩载流子,使得其关断时间很短,在同样的导通压降下关断,相对于传统NPT IGBT,NPN-IGBT和阳极短路IGBT,关断损耗分别降低了43.7%, 32%, 28%。这种新结构最终实现了导通压降和关断损耗之间很好的折中。  相似文献
8.
高动态接收机的关键问题研究   总被引:3,自引:3,他引:11       下载免费PDF全文
张伯川  张其善 《电子学报》2003,31(12):1844-1846
 为检测高动态GPS(Global Positioning System)信号,需要设计码环及载波环的捕获与跟踪数字系统.在高动态下,在GPS信号的码跟踪和载波捕获与跟踪问题中最关键的是要解决在高加速度下的载波跟踪问题.主要讨论了在高动态下,结合GEC公司的十二通道相关器GP2021,载波跟踪环路的特性并在此基础上提出了一个新的方法来改善载波跟踪环路的性能.  相似文献
9.
埋空隙PSOI结构的耐压分析   总被引:3,自引:3,他引:1  
提出了一种埋空隙PSOI (APSOI) RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布. 在相同击穿电压条件下,此结构较一般PSOI结构只需1/4厚度的埋层,当漂移区厚度和埋层厚度均为2μm时可获得600V以上的击穿电压.  相似文献
10.
基于耦合式电平位移结构的高压集成电路   总被引:3,自引:3,他引:1  
乔明  方健  李肇基  张波 《半导体学报》2006,27(11):2040-2045
设计并实现一种耦合式C型(coupled)高压电平位移结构,避免常用S型结构中LDMOS漏极高压互连线(HVI)跨过器件源侧及高压结终端时的两处高场区,以直接耦合式实现了高压电平位移和高低压隔离,且减小了芯片面积.借助Pwell,Nepi,P-sub所形成的JFET效应增加C型结构中隔离电阻;引入金属场板MFP,防止LD-MOS的栅、漏与高压结终端多晶场板短接.利用作者开发的高压SPSM CD工艺,成功研制出基于C型电平位移结构的1000V三相功率MOS栅驱动集成电路.结果表明,C型电平位移结构的最高耐压为1040V,较常用S型结构提高了62.5%,所研制的1000V电路可满足AC220V,AC380V高压领域的需要.  相似文献
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