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1.
一种新型Ku波段龙伯透镜反射器   总被引:1,自引:0,他引:1  
与传统制造工艺相比,3D 打印技术制造龙伯透镜加工简单,精度更高,成本更低。提出一种采用超材料单元构成的新型结构的龙伯透镜反射器。通过改变单元结构的尺寸,设置梯度折射率趋于连续变化,借助电磁场三维仿真软件CST 对单元结构进行仿真,利用等效媒质理论进行计算,从而得到单元结构的有效介电常数。仿真结果表明,透镜直径仅仅为75mm 时的反射器就可实现-1.49dBm2 量级的RCS,并且具有宽角响应。  相似文献
2.
本文分别采用Multiline-TRL (Thru-Reflect-Line)和LRM (Line-Reflect-Match) 在片系统校准方法,与传统的SOLT (Short-Open-Load-Thru) 校准方法在InP基PHEMTs片上S参数测试方面进行定量的对比。首次在70 KHz~110 GHz全频段实现一次校准,减小了传统的分段测试多次校准带来的系统误差,校准更加方便简单。对比结果表明,基于Multiline-TRL校准和LRM校准后测量的S参数一致,且均优于传统的SOLT校准方法,尤其是在高频段结果更加准确。首次基于拐点进行外推,且器件展现了优良的射频特性,包括最大电流增益截止频率ft= 247 GHz,最大振荡频率fmax= 392 GHz,其准确度高于传统的基于无拐点进行的外推。首次基于LRM校准测得器件的1~110 GHz全频段S参数,建立了器件的1~110 GHz全频段小信号模型,而非基于传统的通过低频测试数据外推获得。  相似文献
3.
本文设计并实现了一种83-nm T型栅的InP基In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)。该器件的总栅宽为2×30μm,展现了良好的DC直流、RF射频以及低噪声特性,包括最大饱和电流密度Idss和最大有效跨导gm,max分别为894mA/mm和1640mS/mm。基于1~110 GHz全频段在片测试的S参数外推获得的最大截止频率ft和最大振荡频率fmax分别为247GHz和392GHz。测得的器件拐点(稳定因子k=1)频率为102GHz,因此,基于拐点外推获得的fmax更加准确。采用冷源法完成器件的在片噪声参数的测试,测得的最小噪声系数NFmin在30GHz时为1dB,相关增益Gass为14.5dB。这些良好结果的获得是由于沟道层中InAs摩尔组分的增加,沟道层厚度的减小,栅长的缩短以及寄生效应的减小。这些优良的特性使得该器件非常适合于毫米波频段低噪声单片集成电路的应用。  相似文献
4.
90-nm T-shaped gate InP-based In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As pseudomorphic high electron mobility transistors were designed and fabricated with a gate-width of 2×30 μm,a source-drain space of 2.5 μm,and a source-gate space of 0.75 μm.DC,RF and small-signal model characterizations were demonstrated.The maximum saturation current density was measured to be 755 mA/mm biased at Vgs=0.6 V and Vds=1.5 V.The maximum extrinsic transconductance was measured to be 1006 mS/mm biased at Vds=—0.1V and Vds=1.5 V.The extrapolated current gain cutoff frequency and maximum oscillation frequency based on S-parameters measured from 0.5 to 110 GHz were 180 and 264 GHz,respectively.The inflection point(the stability factor k=1)where the slope from-10 dB/decade(MSG) to-20 dB/decade(MAG) was measured to be 83 GHz.The smallsignal model of this device was also established,and the S-parameters of the model are consistent with those measured from 0.5-110 GHz.  相似文献
5.
设计了一种倒装焊结构,用于340GHz的肖特基二极管探测器。探测单元是基于砷化镓(GaAs)工艺设计的。薄膜陶瓷支撑层旨在为太赫兹检测单元提供封装。通常,导电胶用作天线和输出电路之间的附接。分别对倒装焊结构和无倒装焊结构(类引线键合结构)模型对太赫兹接收天线性能的影响进行研究。为了比较的目的,使用相同的测试系统表征FC结构模型和无FC结构模型(引线键合结构)。通过引线键合与倒装焊测试增益的结果比较,表明倒装焊结构可以作为大规模太赫兹检测阵列封装的低成本解决方案。  相似文献
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