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1.
高速基2 FFT处理器的结构设计与FPGA实现   总被引:20,自引:1,他引:19  
本文研究了采用AISC来实现高速实时基2 FFT处理器的设计方案.在实现中采用了单基2定点内核,设计了防溢出控制结构,在不增加系统延时的基础上,提高了运算精度.设计了对称乒乓RAM结构,在保证蝶形运算核的占用率的条件下,提高了该FFT处理器的连续运算能力.将RAM集成在FFT处理器内部,提高了使用的灵活性.本文所设计的FFT具有可配置特性,可根据需要计算2的幂次方的FFT.256点的FFT运算只需1072个时钟周期,在VertexII-xc2v1000上综合实现,频率可达112.007MHz,完成整个256点的FFT运算仅需9.57μs.  相似文献
2.
循环冗余校验码(CRC)的硬件并行实现   总被引:11,自引:2,他引:9  
讨论了并行计算循环冗余校验码(CRC)原理,并以USB协议使用的两种CRC的计算为侧给出了硬件并行实现CRC的设计方法。  相似文献
3.
基于自适应多门限算法的变换域窄带干扰抑制   总被引:8,自引:2,他引:6       下载免费PDF全文
该文分析基于门限检测的直接序列扩频通信系统变换域窄带干扰抑制技术,提出一种基于自适应多门限窄带干扰抑制算法,并对其性能进行详细分析,理论分析和数字仿真结果表明,该算法可有效抑制直扩通信系统中的窄带干扰,并且相对于传统的门限检测算法,有自适应性强,门限设计简单等优点。  相似文献
4.
1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
秦波  贾晨  陈志良  陈弘毅 《半导体学报》2006,27(11):2035-2039
阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(OPA).根据测试结果,室温下的输出电压为351.9mV,当温度在15~100℃变化时,输出电压在351.5~352.0mV之间变化,温度系数约为16.7ppm/℃.电路的功耗为0.16mW,芯片面积是0.18mm2.  相似文献
5.
BSIM Model Research and Recent Progress   总被引:7,自引:1,他引:6       下载免费PDF全文
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSIM团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSIM进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和介绍了最近几年来本人参与其中的BSIM工程的研究和进展情况,包括BSIM5的研究,BSIM4的增强和BSIMSOI的发展.BSIM5是为满足RF和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSIM4是一个成熟的工业标准仿真模型,在衬底电阻网络、隧穿电流、饱和电流原理和应力模型等方面有一系列的功能增强以支持技术进步的需求.BSIMSOI已经发展成可应用于SOI-PD和SOI-FD技术的普适模型,通过有效体电势△Vbi的改变进行器件工作模式的选择,可以帮助电路设计者实现PD和FD共存的设计趋势.  相似文献
6.
新型非致冷红外探测器   总被引:7,自引:1,他引:6  
刘兴明  韩琳  刘理天 《半导体光电》2005,26(5):374-377,385
介绍了近年来出现的各种新型非致冷红外探测器,对不同探测器的基本工作原理、器件结构、制作工艺以及性能的优缺点进行了讨论和对比,并对非致冷红外探测器的改进方向进行了预测.  相似文献
7.
低功耗CMOS低噪声放大器的设计   总被引:6,自引:0,他引:6  
肖珺  李永明  王志华 《微电子学》2006,36(5):670-673,678
针对低功耗电路设计的需求,提出了一种低功耗约束下CMOS低噪声放大器的设计方法,并与传统的设计方法进行了对比。模拟结果表明,按照该方法基于0.18μm CMOS工艺设计的工作于1.58 GHz的低噪声放大器,在仅消耗1.9 mA电流的条件下,噪声指数小于1 dB。  相似文献
8.
SnO2薄膜的湿敏效应   总被引:6,自引:0,他引:6  
报道了用喷雾热分解法在不同温度下制备二氧化锡薄膜,发现其在325℃时已晶化,得到四方相多晶SnO2。这种薄膜具有明显湿敏效应。测量表明,较高湿度区阻值随湿度变化近似线性,从高湿到低湿平均为每上升1%RH,阻值下降8.8π,响应速度小于1分钟,阻值恢复较容易。  相似文献
9.
不含抑制剂的碱性抛光液对铜布线平坦化的研究   总被引:6,自引:6,他引:0       下载免费PDF全文
本文提出一种碱性铜布线抛光液,其不含通用的腐蚀抑制剂,并对其化学机械抛光和平坦化 (CMP)性能进行了研究。首先研究了此抛光液对铜的静态腐蚀速率和抛光速率,并与含抑制 剂的铜抛光液做了对比实验。在静态条件下,此不含抑制剂的碱性铜抛光液对铜基本无腐蚀速率,而在动态抛光过程中对铜有较高的速率。而含抑制剂的抛光液对静态腐蚀速率略有降低,但是却大幅度降低了铜的去除速率。另外,对铜布线的化学机械平坦化研究表明,此不含抑制剂的碱性铜抛光液能够有效的去除铜布线表面的高低差,有较高的平坦化能力。此抛光液能够应用于铜CMP的第一步抛光,能够去除大量多余铜时初步实现平坦化。  相似文献
10.
掺氮ZnO薄膜的光电特性及其薄膜晶体管研究   总被引:6,自引:5,他引:1       下载免费PDF全文
Using NH3 as nitrogen source gas, N-doped ZnO (ZnO:N) thin films in c-axis orientation were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. The ZnO:N thin films display significant increase of resistivity and decrease of photoluminescence intensity. As-grown ZnO:N material was used as active channel layer and Si3N4 was used as gate insulator to fabricate thin-film transistor. The fabricated devices on glasses demonstrate typical field effect transistor characteristics.  相似文献
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