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1.
高速基2 FFT处理器的结构设计与FPGA实现   总被引:22,自引:1,他引:21  
本文研究了采用AISC来实现高速实时基2 FFT处理器的设计方案.在实现中采用了单基2定点内核,设计了防溢出控制结构,在不增加系统延时的基础上,提高了运算精度.设计了对称乒乓RAM结构,在保证蝶形运算核的占用率的条件下,提高了该FFT处理器的连续运算能力.将RAM集成在FFT处理器内部,提高了使用的灵活性.本文所设计的FFT具有可配置特性,可根据需要计算2的幂次方的FFT.256点的FFT运算只需1072个时钟周期,在VertexII-xc2v1000上综合实现,频率可达112.007MHz,完成整个256点的FFT运算仅需9.57μs.  相似文献
2.
硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究   总被引:20,自引:0,他引:20       下载免费PDF全文
 本文论述了硅基MEMS标准工艺,其中包括三套体硅标准工艺和一套表面牺牲层标准工艺.深入地研究了体硅工艺和表面牺牲层工艺中的关键技术.体硅工艺主要进行了以下研究:硅/硅键合、硅/镍/硅键合、硅/玻璃键合工艺及其优化;研究了高深宽比刻蚀工艺、优化了工艺条件;解决了高深宽比刻蚀中的Lag效应;开发了复合掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀和单一材料掩膜高深宽比多层硅台阶刻蚀工艺研究.表面牺牲层工艺主要进行了下列研究:多晶硅薄膜应力控制工艺;防粘附技术的研究与开发.  相似文献
3.
循环冗余校验码(CRC)的硬件并行实现   总被引:13,自引:2,他引:11  
讨论了并行计算循环冗余校验码(CRC)原理,并以USB协议使用的两种CRC的计算为侧给出了硬件并行实现CRC的设计方法。  相似文献
4.
RSA密码协处理器的实现   总被引:11,自引:0,他引:11       下载免费PDF全文
李树国  周润德  冯建华  孙义和 《电子学报》2001,29(11):1441-1444
 密码协处理器的面积过大和速度较慢制约了公钥密码体制RSA在智能卡中的应用.文中对Montgomery模乘算法进行了分析和改进,提出了一种新的适合于智能卡应用的高基模乘器结构.由于密码协处理器采用两个32位乘法器的并行流水结构,这与心动阵列结构相比它有效地降低了芯片的面积和模乘的时钟数,从而可在智能卡中实现RSA的数字签名与认证.实验表明:在基于0.35μm TSMC标准单元库工艺下,密码协处理器执行一次1024位模乘需1216个时钟周期,芯片设计面积为38k门.在5MHz的时钟频率下,加密1024位的明文平均仅需374ms.该设计与同类设计相比具有最小的模乘运算时钟周期数,并使芯片的面积降低了1/3.这个指标优于当今电子商务的密码协处理器,适合于智能卡应用.  相似文献
5.
2-GHz CMOS射频低噪声放大器的设计与测试   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
林敏  王海永  李永明  陈弘毅 《电子学报》2002,30(9):1278-1281
 本文采用CMOS工艺,针对无线通信系统前端(Front-end)的低噪声放大器进行了分析、设计、仿真和测试.测试结果表明,该放大器工作在2.04-GHz的中心频率上,3dB带宽约为110MHz,功率增益为22dB,NF小于3.3dB.测试结果与仿真结果能够很好地吻合.  相似文献
6.
基于自适应多门限算法的变换域窄带干扰抑制   总被引:9,自引:2,他引:7       下载免费PDF全文
该文分析基于门限检测的直接序列扩频通信系统变换域窄带干扰抑制技术,提出一种基于自适应多门限窄带干扰抑制算法,并对其性能进行详细分析,理论分析和数字仿真结果表明,该算法可有效抑制直扩通信系统中的窄带干扰,并且相对于传统的门限检测算法,有自适应性强,门限设计简单等优点。  相似文献
7.
新型非致冷红外探测器   总被引:7,自引:1,他引:6  
刘兴明  韩琳  刘理天 《半导体光电》2005,26(5):374-377,385
介绍了近年来出现的各种新型非致冷红外探测器,对不同探测器的基本工作原理、器件结构、制作工艺以及性能的优缺点进行了讨论和对比,并对非致冷红外探测器的改进方向进行了预测.  相似文献
8.
面向集成电路制造的基于Petri网的生产调度   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
薛雷  郝跃 《电子学报》2001,29(8):1064-1067
 本文提出了一个新的面向集成电路(IC)制造的调度方法,核心内容包括两方面:首先,用本文提出的扩展定时Petri 网对IC生产工艺进行描述;其次,对所得Petri 网模型的状态空间进行搜索,得到以Transition序列表示的最优或近似最优调度.该方法可以很好地描述IC制造系统中存在的多制造路径、资源共享、可变晶片组及并发等特性,通过引入测试弧增强Petri 网的建模能力,进而在调度模型上对设备维护、设备优先级以及操作优先级进行描述,而且支持多目标的评价函数,使得到的调度结果更具实用价值.文中给出试验结果表明了算法的有效性.  相似文献
9.
1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
秦波  贾晨  陈志良  陈弘毅 《半导体学报》2006,27(11):2035-2039
阐述了电源电压为1V的非线性补偿CMOS电压带隙基准源,该基准源具有很高的温度稳定性.基准源电路中运用了rail-to-rail运算放大器(OPA).根据测试结果,室温下的输出电压为351.9mV,当温度在15~100℃变化时,输出电压在351.5~352.0mV之间变化,温度系数约为16.7ppm/℃.电路的功耗为0.16mW,芯片面积是0.18mm2.  相似文献
10.
BSIM Model Research and Recent Progress   总被引:7,自引:1,他引:6       下载免费PDF全文
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkeley加州大学的BSIM团队对国际工业标准芯片仿真物理模型BSIM进行了一系列的研究和发展工作.本文分析和介绍了最近几年来本人参与其中的BSIM工程的研究和进展情况,包括BSIM5的研究,BSIM4的增强和BSIMSOI的发展.BSIM5是为满足RF和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点.BSIM4是一个成熟的工业标准仿真模型,在衬底电阻网络、隧穿电流、饱和电流原理和应力模型等方面有一系列的功能增强以支持技术进步的需求.BSIMSOI已经发展成可应用于SOI-PD和SOI-FD技术的普适模型,通过有效体电势△Vbi的改变进行器件工作模式的选择,可以帮助电路设计者实现PD和FD共存的设计趋势.  相似文献
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