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1.
基于自适应多门限算法的变换域窄带干扰抑制   总被引:8,自引:2,他引:6       下载免费PDF全文
该文分析基于门限检测的直接序列扩频通信系统变换域窄带干扰抑制技术,提出一种基于自适应多门限窄带干扰抑制算法,并对其性能进行详细分析,理论分析和数字仿真结果表明,该算法可有效抑制直扩通信系统中的窄带干扰,并且相对于传统的门限检测算法,有自适应性强,门限设计简单等优点。  相似文献
2.
GaAs MMIC用无源元件的模型   总被引:5,自引:3,他引:2       下载免费PDF全文
制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.  相似文献
3.
基于MEMS技术的红外成像焦平面阵列   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
选用Au和LPCVD的低应力SiNx薄膜材料,采用MEMS技术研制了新型间隔镀金热隔离结构的薄膜镂空式非制冷红外成像焦平面阵列,并应用光学读出的方法成功地在室温(27.47℃)背景下获得了人体的热像.实验证明间隔镀金热隔离结构的引入有效抑制了热传导对变形梁温升的限制,从而大大降低了系统的噪声等效温度差(NETD),NETD达到约200mK.  相似文献
4.
图形化蓝宝石衬底技术综述   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述,介绍了PSS技术演化、PSS的制作方法与主要的图形结构、PSS上GaN外延层生长机制以及PSS对LED性能的影响。PSS结构对LED的IQE与LEE均有提高,但对二者哪个提高更为有效没有定论,最近的研究结果倾向于以为对LEE提高更为有效。PSS对LED的IQE与LEE提高的机制目前并不是非常清楚,对公开发表的PSS对LEE的提高机制提出了不同看法。不同PSS结构与尺寸对GaN质量以及LED性能的影响方面的研究目前还非常缺乏。  相似文献
5.
基于光场数字重聚焦的三维重建方法研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了光场数字重聚焦聚焦三维重建新方法,探 讨了光场数字重聚焦参数λ的取值以及拍摄条件对 重建结果的影响。空间中,每一个点和每一个方向的辐射函数总和就是光场,光场数据包含 了空间全部三维信息。借 助计算成像技术,光场数据可以重构出序列数字重聚焦图像,实现空间的三维重建。实验时 ,首先用Lytro光场相 机获取空间数据;然后用LytroDesktop软件进行数字重聚焦处理,重构出序列焦平面图像; 最后用Halcon软件的 聚焦深度(depth-from-focus)函数实现三维重建。实验结果显示,参数λ 表征了重构平面的深度信息,λ的性质显著地影响重 建结果,λ数量多于8、正负λ数目相当时,三维重建结果好。拍摄时,设置的相机参数、 目标的反射及场景背景等 因素都会对重建结果产生影响。适合参数下,本文方法能够正确重构不同深度结构的目标, 重构结果可以任意视角 查看。本文方法利用单视图重构设备,实现多视图三维重建结果,拍摄装置小巧,拍摄过程 快捷,系统稳定性好,降 低了拍摄难度和重建算法的复杂度,拓展了DFF算法的适用深度范围, 适合大景深场景和运动目标的三维重建。  相似文献
6.
一种RFID标签数字电路的ASIC设计与实现   总被引:3,自引:0,他引:3  
徐涛  周玉梅  蒋见花  刘海南 《电子器件》2006,29(4):1049-1052
结合UHF频段EPCGlobal Class0协议,设计出一种符合协议要求的被动式射频身份识别(RFID)标签的数字电路。对电路的框架设计和模块具体实现方法进行了详细阐述,基于Chartered 0.35um工艺标准单元库用Synopsys相关工具对该电路进行了前端综合和后端物理实现,并对电路的主要性能进行了简要的分析。仿真及测试结果表明该标签数字电路功能符合协议要求,与该协议下阅读器兼容。  相似文献
7.
双栅氧CMOS工艺研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
双栅氧工艺(dual gate oxide)在高压CMOS流程中得到了广泛的应用,此项工艺可以把薄栅氧器件和厚栅氧器件集成在同一个芯片上.文章介绍了常用的两种双栅氧工艺步骤并分析了它们的优劣.在此基础上,提出了一种实现双栅氧工艺的方法.  相似文献
8.
面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器   总被引:3,自引:3,他引:0       下载免费PDF全文
介绍了一种由商用InGaP/GaAs异质结双极晶体管工艺制成、基于负阻原理的单片压控振荡器,此电路定位于5GHz频段下的无线应用.在实际使用中,除了旁路和去耦电容外,无需外接其他外部元件.测试得到的输出频率范围超过300MHz,为4.17~4.56GHz,与仿真结果非常吻合;相位噪声为-112dBc/Hz@1MHz;在3.3V电源电压下,其核心部分的直流功耗为15.5mW,输出功率为0~2dBm.为了与其他振荡器比较,还通过计算得到了相位噪声优值,约为-173.2dBc/Hz.同时,还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法.  相似文献
9.
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0.2V,膝点电压仅为0.5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz,最大振荡频率为72GHz,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.  相似文献
10.
基于SiGe BiCMOS技术的低功耗23G VCO   总被引:3,自引:3,他引:0       下载免费PDF全文
黄银坤  吴旦昱  周磊  江帆  武锦  金智 《半导体学报》2013,34(4):045003-4
A 23 GHz voltage controlled oscillator(VCO) with very low power consumption is presented.This paper presents the design and measurement of an integrated millimeter wave VCO.This VCO employs an on-chip inductor and MOS varactor to form a high Q resonator.The VCO RFIC was implemented in a 0.18μm 120 GHz f_t SiGe hetero-junction bipolar transistor(HBT) BiCMOS technology.The VCO oscillation frequency is around 23 GHz,targeting at the ultra wideband(UWB) and short range radar applications.The core of the VCO circuit consumes 1 mA current from a 2.5 V power supply and the VCO phase noise was measured at around -94 dBc/Hz at a 1 MHz frequency offset.The FOM of the VCO is -177 dBc/Hz.  相似文献
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