纳米VO2薄膜相变特性的红外透射表征研究

采用双离子束溅射VOx薄膜附加热处理的方式制备纳米VO2薄膜,利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分别对其结晶结构和表面形貌进行了测试,利用傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对热驱动下纳米VO2薄膜相变过程中的光学性能进行测试与分析。实验结果表明,经400℃N2热处理后,获得了由纳米颗粒组成的VO2薄膜;在所测试的红外波段,纳米VO2薄膜内颗粒发生相变的初始温度随波长的增加而升高,薄膜的相变温度点随波长增加也逐渐升高。  

一种用于医疗无线体域网的超低功耗射频收发机

本文提出了一种用于医疗无线体域网的2.4GHz频段超低功耗射频收发机,同时该收发机还带有900MHz频段辅助唤醒通信链路。根据无线体域网的非对称通信特点,我们提出了一种带有高能效非对称架构的射频收发机。该射频收发机包含一个带有超低功耗自由振荡环形振荡器的主接收机和带有快速锁定锁相环频率综合器的高速主发射机。我们还设计了一种带有高转换效率CMOS整流器的无源唤醒接收机,它使得传感器节点不仅具有按需工作的功能,同时还具有几乎为零的待机功耗。该芯片在0.18um CMOS工艺上实现,芯片核心面积为1.6mm2。主接收机在接收100Kbps数据率的OOK调制信号时,可以实现-55dBm的灵敏度；在1V电源电压下,仅消耗210uA电流。主发射机的发射功率为 3dBm,可以实现最大数据率为4Mbps/500Kbps/200Kbps的OOK/4FSK/2FSK调制,在1.8V电源电压下分别消耗3.25mA/6.5mA/6.5mA电流。无源唤醒接收机的最小可检测输入射频能量为-15dBm,整流器的转换效率大于25%  

应用于高速CMOS图像传感器的10比特列并行循环式ADC

This paper presents a high-speed column-parallel cyclic analog-to-digital converter(ADC) for a CMOS image sensor.A correlated double sampling(CDS) circuit is integrated in the ADC,which avoids a stand-alone CDS circuit block.An offset cancellation technique is also introduced,which reduces the column fixed-pattern noise(FPN) effectively.One single channel ADC with an area less than 0.02 mm~2 was implemented in a 0.13μm CMOS image sensor process.The resolution of the proposed ADC is 10-bit,and the conversion rate is 1.6 MS/s. The measured differential nonlinearity and integral nonlinearity are 0.89 LSB and 6.2 LSB together with CDS, respectively.The power consumption from 3.3 V supply is only 0.66 mW.An array of 48 10-bit column-parallel cyclic ADCs was integrated into an array of CMOS image sensor pixels.The measured results indicated that the ADC circuit is suitable for high-speed CMOS image sensors.  

GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长

采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.  

A New Method to Investigate InGaAsP Single-Photon AvalancheDiodes Using a Digital Sampling Oscilloscope

介绍了由带尾纤的InGaAs/InP雪崩光电二极管建立的近红外单光子探测系统. 使用带宽50GHz 的数字采样示波器，首次直观地展现了门模式（即盖革模式）工作状态下，单光子探测的模式和过程. 并且在波长分别为1310和1550nm的情况下进行了定量研究. 在1550nm，工作温度203K条件下，该探测器达到了暗计数概率2.4E-3每门，量子效率52%, 50kHz的门信号重复频率；在工作温度为238K时，相应参数分别为8.5E-3,43%和200kHz.  

低温退火对稀磁半导体(Ga,Mn)As性质的影响

利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜. 双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构，晶格参数为0.5683nm，据此推导出其Mn含量为7%. 磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K. 观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响，发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度，可以达到115K.  

内嵌自组装InAs量子点调制掺杂场效应管的光电特性

研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性，获得了室温1.265μm近红外荧光发光，探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象. 制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶体管，获得了高耐压的场效应器件电学特性，并有望制成新型红外光电探测场效应管.  

Quantum Measurement of Single Electron State by a Mesoscopic Detector

对于一个实际的测量装置,即被介观测量仪器所测量的两态(量子比特)或多态量子系统做了理论研究.为了正确描述测量引起的反作用,发展了一个保持细致平衡条件的量子主方程的方法,建立的这套方案适用于任意电压和任意温度.  

Resonant Raman Scattering and Photoluminescence Emissions from Above Bandgap Levels in Dilute GaAsN Alloys

利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0 △0和E 能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E0 △0和E 能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置.  

三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿

研究了电子隧穿出射端嵌入1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光生空穴以及空穴隧穿出射端的23 nm宽的量子阱中量子化的空穴能级对空穴隧穿谷电流的限制作用,是导致高峰谷比的光生空穴隧穿现象的主要原因.