不取旋波近似情形二能级原子的共振荧光谱

一般的二能级原子的共振荧光理论都是取旋波近似后得出来的．施波近似成立的前提是驱动场频率则，原子跃迁频率驱动场的Rabi频率．但在强场作用情形Rabi频率可达到同一量级．从实验角度来看，一千瓦级CW激光，功率密度为是可能的．按公式对3S－3P钠原子跃迁，可得．若采用COIL准连续激光，功率密度百千瓦量级，故达到是有希望的．故发展不取旋波近似的二能级原子共振荧光理论是有意义的．计算结果表明不取旋波近似的二能级原子的共振荧光显得很复杂．中峰出现分裂，而边峰也有一系列不对称的谐波．不取旋波近似情形二能级原子的共振荧光…     

高能球磨FeCo+MnO的结构与磁性研究

用高能球磨采用两种方案制备了FeCo MnO体系,并用X射线衍射和振动样品磁强计对其结构和磁性质做了分析.发现采用直接氧化Mn而得到MnO的方法,所得体系的MnO较纯;而通过分解MnCO3得到MnO的体系,MnO纯度较低,有较多Mn3O4杂质,两种方法制备的FeCo MnO体系的矫顽力和剩磁比都比单纯FeCo体系的增加很多,且前一种方法比后一种方法制备的FeCo MnO体系的矫顽力和剩磁比较大.然后研究了球磨时间及退火处理对FeCo MnO体系矫顽力及剩磁比的影响,发现球磨时间为120h体系的矫顽力和剩磁比最大;经过退火处理后,体系的矫顽力和剩磁比都有较大幅度的增加.     

高强度气体放电灯HID灯声共振检测方法研究

评述已有检测HID灯声共振的方法:通过测量ΔR/R来检测声共振,并进行间接参数取样;利用光电二极管,通过对光强度变化测量,检测声共振发生时的频率;借助检测电流,测量声共振频率;也可用声音传感器采集声音信号来判断其是否发生声共振;分析不同方法的工作原理、特点,及其测量结果的一致性,比较各自的优缺点,为以后抑制声共振,设计电子镇流器电路提供理论指导和参考。     

我国Mn-Zn铁氧体的现状及发展前景

Mn-Zn铁氧体的产量约占软磁铁氧体总产量的70％，是当前软磁材料中最受关注和最为活跃的领域。多年来相关工作者对其生产技术的发展和应用研究倾注了极大的精力，使我国铁氧体产业得到了迅猛发展。     

低温电沉积硅工艺研究进展

半导体硅的传统制备工艺主要有直拉法、区熔法及气相沉积法等,这些制备工艺都需要在高温下进行,且涉及到大型设备,制备成本较高,操作较为复杂。采用低温电沉积法制备硅具有简单可控、低成本的特点,因而受到了研究者青睐。主要从电极、溶剂的选取及电沉积方法等方面阐述了低温电沉积硅工艺研究现状,同时对低温电沉积硅存在的问题和发展趋势进行了讨论。     

“课程思政”在大学物理教学中的探索与实践

大学物理"课程思政"功能在服务于大学生立德树人根本任务这方面还未能充分发挥,为了利用好课堂教学这个主渠道,以提升大学生的智育和德育共同发展为主要目标,在大学物理教学工作中进行了一些探索和实践。在课程改革中强化顶层设计,内容不断充实融入思政元素,赋予该课程弘扬社会主义核心价值观的思政功能。课堂教学中注重在知识传播中强调价值引领,使得大学生逐渐理解并深化实施"课程思政"的重要意义。在教师队伍建设中,发挥党员先锋作用,以党员教师为骨干,以中青年教师为主力,使思政教育从专人转向人人。上述改革措施有效挖掘了大学物理课程的思政功能,探索出一条适合其教学特点的"课程思政"新途径。     

V85Ti10Y5和V85Ti10Cu5氢分离合金组织与性能研究

利用高真空非自耗电弧熔炼炉制备了V85Ti10Y5和V85Ti10Cu5氢分离合金。通过SEM、TEM、XRD、氢渗透实验、PCT吸氢实验、恒压缓冷实验,研究了Y、Cu元素的加入对合金氢渗透性能、氢溶解性能及抗氢脆性能的影响。结果表明:铸态V85Ti10Y5和V85Ti10Cu5合金组织均由V-基体和第二相组成,但前者第二相是弥散分布的富Y颗粒,而后者为既在晶内析出又沿晶界连续分布的铜钛金属间化合物。V85Ti10Y5合金中Y2O3的生成及V85Ti10Cu5合金中部分固溶Cu的斥氢作用和Cu2Ti形成使V中Ti的固溶量减少,进而降低合金中的氢浓度,减小氢固溶产生的内应力,提高抗氢脆性能。V85Ti10Y5和V85Ti10Cu5合金在缓冷过程中均未发生氢脆现象,表现出优异的抗氢脆性能,而且在673 K时的氢渗透率分别为0.139×10-6 mol H2 m-1 s-1 Pa0.5和0.174×10-6 mol H2 m-1 s-1 Pa0.5,是Pd77Ag23氢渗透率的5.5和6.9倍,与商用钯合金相比均展现出较高的渗透率。     

硅业副产物四氯化硅在离子液体中溶解—-电沉积的研究

研究多晶硅工业的主要副产品四氯化硅(SiCl_4)在离子液体中的溶解、电沉积过程。结果表明,SiCl_4在离子液体中的溶解度随温度升高而降低,离子液体的导电率随温度升高而增加。在阴离子为[TNf_2]的情况下,阳离子为[N_(1114)]的季铵盐类离子液体比咪唑类[Bmim]离子液体具有更好的SiCl_4溶解度和导电性。SiCl_4在季铵盐类离子液体的溶解度随烷基主链长度增加而增大,随侧链长度增加而降低。[N_(1114)][TNf_2]和SiCl_4之间形成C-Cl、Si-O和C-Si键,在[N_(1114)][TNf_2]-SiCl_4体系中S_i~(4+)的还原电位为-2.2V。在温度25℃、SiCl_4浓度0.3mol/L、电流密度20A/m~2、电解时间2h的条件下可电沉积得到较为致密的硅薄膜,呈球形颗粒状分布。     

Dense-1D-U-Net:用于自参考光谱干涉飞秒脉冲相位测量

超快激光脉冲形状宽度测量的核心是光谱相位的精确测量。本文提出了一种结合深度学习的自参考光谱干涉(SRSI)方法,并用该方法进行了飞秒脉冲相位的测量。该方法基于针对一维信号的Dense-1D-U-Net神经网络,采用经典的编码-解码网络结构并加入稠密连接和跳跃连接来提高网络的性能。结合SRSI法的特点,本文设计出结合了稠密连接块的Dense-1D-U-Net神经网络。基于大量接近真实光谱相位的模拟光谱相位数据可以发现,基于Dense-1D-U-Net的SRSI算法的计算结果的均方根误差相比传统SRSI算法至少降低一个数量级。与有无稠密连接、跳跃连接的对照组神经网络进行对比,分析了Dense-1D-U-Net的优势。最后用实验测量数据验证了使用模拟数据训练的Dense-1D-U-Net具有计算实验数据的能力。Dense-1D-U-Net神经网络未来可以拓展应用到超快光谱等其他一维信息研究领域。     

HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究

报道了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果.系统地介绍了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,Br2-CH3OH与HgCdTe化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制.阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdTe光伏器件电学特性的影响.