一种基于二氧化钒材料的可调谐吸波器设计

为了在THz波段获得TE波下的可调谐吸收频谱, 采用全波仿真的方法, 设计了一款基于二氧化钒材料的可调谐THz吸波器, 对该吸波器的吸收频谱、电场图、表面电流图以及能量损耗图进行分析, 并讨论了结构参量h₄, k以及入射角度θ对吸收频域和吸收带宽的影响。结果表明, 通过外部温控的方式改变二氧化钒谐振单元的物理特性可以获得可调谐的吸收频谱并改善吸波器的吸收性能, 该吸波器在温度T≥68℃时, 可以实现在2.70THz~3.36THz频段的宽带吸收(吸收率在90%以上), 相对带宽达到21.8%;在T＜68℃时, 可以实现多个单频点的吸收; 改变结构参量h₄, k可以改变吸收频点的位置以及吸收带宽, 改变入射角度θ可以影响吸波器的吸收效果。该研究对可调谐太赫兹器件的进一步探究是有帮助的。     

W波段低损耗径向功率合成器设计

介绍了一种采用圆波导TE01模式转换实现的W波段低损耗径向功率合成器。设计出了16路圆波导TE01模径向合成器和圆波导TE01模转换器,整体结构简洁紧凑,利于加工制造。对合成器在85～105 GHz的频带内进行了背靠背测试,驻波低于1.35。扣除模式转换器的损耗,单个径向合成器损耗小于0.35 dB,合成效率大于92%。     

基于肖特基二极管改进模型的W波段宽带八次谐波混频器

在对肖特基二极管电磁模型和电路模型精确建模的基础上,设计并制作了W波段宽带八次谐波混频器.通过对肖特基二极管物理结构的分析,建立了其精确的三维电磁仿真模型和直到180 GHz的改进的宽带等效电路模型.针对W波段八次谐波混频器混频产物能量分布特点和工作带宽要求,设计了宽带射频和本振匹配网络,使混频器的工作带宽能覆盖整个W波段.测试结果显示,射频信号在75~110 GHz频率范围内,W波段八次谐波混频器最大变频损耗28 d B,最小变频损耗18 d B.     

基于Q-MMIC技术的W波段低成本PIN管开关

采用低成本方法设计了一款W波段单刀单掷开关。通过在单独加工的石英基片无源电路上安装倒装PIN管,获得了一款W波段准毫米波单片（Q-MMIC）开关。为了获得低损耗、高隔离度性能,开关设计中采用了3-D PIN管模型和电路补偿结构。测试结果表明开关在88GHz时插入损耗最小,最小值为0.5dB;在80-101 GHz频率范围内,开关导通时的插入损耗小于2 dB;在84-104 GHz频率范围内,开关隔离度大于30 dB。整个开关电路尺寸为1.5 mm× 3.0 mm。     

抑制共模噪声的SIW 平衡馈电差分缝隙天线阵*

提出一种利用差分天线在共模激励和差模激励下方向图不同来抑制共模噪声的方法,并基于该理论 设计了6×6 平衡馈电差分SIW 缝隙天线阵进行验证。该天线由6个宽边纵向SIW 缝隙天线子阵列组成。辐射缝隙 被设计为只在差模激励下辐射,达到抑制共模信号的目的。每个天线子阵采用平衡差分馈电方式,使用两个1分6 梳状功分器将6个子阵同时激励。整个天线使用标准PCB 工艺加工,为了测试共模和差模激励,分别设计了带有 180°相移的功分器和T型功分器用来生成差模和共模信号。在差模激励下,天线的最大增益为20.2dBi,S11幅值小 于-10dB 带宽为7.2%(39.6 ~43.8GHz),在共模激励下天线的最大增益为10.1dBi,在整个工作频段内S11幅值大于 -7dB。仿真和实验结果验证了该结构的SIW 缝隙天线对差模信号能够有效地辐射而对共模信号进行抑制。     

Ku波段宽带氮化镓功率放大器MMIC

基于0.25μm栅长GaN HEMT工艺,采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段GaN功率放大器.放大器设计从建立大信号模型出发,输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗,从而提高整体放大器的功率效率.测试结果表明,该放大器在14.6~18GHz频带内,小信号增益30dB,脉冲饱和输出功率达15W,功率附加效率(PAE)大于32%;在14.8GHz频点处,放大器的峰值功率达19.5W,PAE达39%.该结果表明GaN MMIC具有高频高功率高效率的优势,具有广阔的应用前景.     

基于SIR的X波段小型化带通滤波器设计

采用开环型阶梯阻抗谐振器(stepped impedance resonators,SIR)结构设计了一款工作于X波段的小型化带通滤波器。为了满足预定的设计指标,结合三维电磁仿真软件HFSS对该滤波器进行优化。设计的滤波器在相对介电常数为3.55、厚度为0.508mm的RO4003介质板上加工,实际二维面积仅为19mm×8.5mm(0.96λg×0.43λg)。测试结果显示,该滤波器具有插损低、选择性高,以及带外抑制佳的特点,并有可移植性以及工程应用价值。     

超声场辅助制备碳纳米管/氧化钨纳米棒高效光催化剂的研究

采用超声场辅助制备了碳纳米管/氧化钨纳米棒.采用扫描电子显微镜（SEM）、能谱分析仪（EDS）、高分辨透射电镜（HRTEM）等手段对样品进行了表征,结果表明：在超声波的作用下,碳纳米管分散均匀,钨酸较为均匀地负载在碳纳米管表面上,经过800℃焙烧3 h,可以生成纳米级的碳纳米管/氧化钨棒.以日光灯（11 W）为光源,考察了催化剂和双氧水对亚甲基蓝降解率的影响.采用紫外可见分光光度计测定了反应液的吸光度,结果表明：在分别单独添加催化剂和双氧水的情况下,亚甲基蓝几乎无降解,当加入30 mg催化剂和2.5 mL双氧水时,当光照时间为70 min时,脱色率达到95.3%.通过5次回收后重复实验,发现该催化剂稳定性较好,可重复使用.     

平飞模式地面振动目标的微多普勒效应分析

基于平飞双站SAR收发系统分置的特点,建立了正侧视模式下振动目标的回波信号模型,推导了由散射点振动引入的微多普勒调制的参数化表达式.理论分析表明,由目标振动引起的微多普勒调制不仅与其微动参数,载波频率有关,而且与系统的几何配置有关.文中着重讨论了目标振动方向,系统几何参数对微多普勒效应的影响,并由数值仿真验证了理论分析...     

S波段35W GaN功率MMIC

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4 GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片.放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计.经匹配优化后放大器在2～4 GHz整个频带内脉冲输出功率大于35 W,小信号增益达到22 dB,在2.4 GHz频点处峰值输出功率达到40 W,对应的功率附加效率为3...