全文获取类型
收费全文 | 70篇 |
免费 | 16篇 |
国内免费 | 30篇 |
专业分类
化学工业 | 3篇 |
机械仪表 | 2篇 |
建筑科学 | 1篇 |
矿业工程 | 1篇 |
无线电 | 90篇 |
一般工业技术 | 7篇 |
原子能技术 | 1篇 |
自动化技术 | 11篇 |
出版年
2016年 | 2篇 |
2014年 | 1篇 |
2013年 | 2篇 |
2012年 | 4篇 |
2011年 | 4篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 1篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 9篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 11篇 |
2004年 | 11篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 1篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 7篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 6篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 2篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有116条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
为制备良好的碲镉汞金属接触,研究了热退火处理对中短波Hg空位掺杂碲镉汞金属接触的影响。对中短波HgCdTe-Sn/Au接触及中波HgCdTe-Cr/Au接触经不同条件退火后的接触进行了测量。对于短波碲镉汞,p型HgCdTe-Sn/Au接触经95 ℃,30 min退火可降低比接触电阻2个量级,而经125 ℃,30 min退火可降低3个量级;离子注入的n型HgCdTe-Sn/Au接触则容易形成欧姆接触。对于中波碲镉汞,退火前p型HgCdTe-Sn/Au接触平均比接触电阻为10-1 Ωcm2量级,经适当条件退火可以降低3个量级;此外,Sn/Au比Cr/Au更适合作为中波HgCdTe的接触金属。因而HgCdTe金属接触可通过一定退火处理得到改善。 相似文献
2.
3.
4.
5.
文章研究了AlGaN材料的MOCVD生长机制。在位监控曲线表明,AlGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于Al原子表面迁移率太小,随着TMAl流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着Al组分的增加而下降,AlGaN的表面形貌也变差。随着TMAl流量的增加,AlGaN材料的生长速率反而下降,这是由于Al原子阻止了Ga原子参与材料生长。实验还发现,由于TMAl与NH3 之间存在强烈的寄生反应,AlGaN材料中的Al组分远小于气相中的Al组分。文中简单探讨了提高AlGaN材料质量的生长方法。 相似文献
6.
7.
化学溶液分解法制备LaNiO3薄膜的研究 总被引:6,自引:2,他引:4
采用化学溶液分解法直接在单晶Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜,研究了不同热处理气氛(空气和氧气)对薄膜的结晶性、晶粒尺寸、电阻率以及其上面生长的锆钛酸铅(PZT)薄膜的影响.结果发现二种气氛得到的LaNiO3薄膜的电阻率相差较大,其中在氧气中制备的薄膜电阻率仅为在空气中得到的1/2.对LaNiO3薄膜的导电机制进行了讨论. 相似文献
8.
用于微测辐射热计的氧化矾热敏材料的温度特性 总被引:5,自引:0,他引:5
氧化矾作为非制冷微测辐射热计的热敏材料,电阻率p和电阻温度系数TCR(Temperature Coefficient of Resistance)是表征其性能的重要参数.通过对用离子束溅射得到的氧化矾薄膜在相同时间不同温度下的N2+H.退火实验,我们发现氧化矾薄膜的电阻率p和电阻温度系数TCR之问存在着密切的正相关关系,AES结果表明它们的变化对应着氧化矾热敏材料的O/v比例(或氧空位浓度)的变化.这三个参量随着退火温度的改变而变化,在350~500℃的退火温度范围内,我们发现电阻率p,电阻温度系数TCR以及O/V比例随着温度的变化均出现一个峰值.通过对氧化矾的电阻温度特性的分析,我们讨论了氧化矾薄膜的导电机制.我们认为,用本方法制备的氧化矾薄膜在室温下导电的载流子主要来自于相对较深能级杂质的电离. 相似文献
9.
10.
利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。 相似文献