全文获取类型
收费全文 | 40篇 |
免费 | 22篇 |
国内免费 | 89篇 |
专业分类
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 141篇 |
一般工业技术 | 5篇 |
冶金工业 | 1篇 |
自动化技术 | 3篇 |
出版年
2023年 | 3篇 |
2022年 | 1篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 5篇 |
2018年 | 10篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 1篇 |
2014年 | 2篇 |
2011年 | 1篇 |
2010年 | 1篇 |
2009年 | 2篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 9篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 8篇 |
2003年 | 10篇 |
2002年 | 6篇 |
2001年 | 5篇 |
2000年 | 9篇 |
1999年 | 10篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 5篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 11篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 11篇 |
1992年 | 6篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 3篇 |
1989年 | 1篇 |
排序方式: 共有151条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势,是2~4 m波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来,国内外在锑化物大功率半导体激光器方面的研究取得了很大的进展,实现了大功率单管、阵列激光器的室温工作。然而,由于锑化物材料与常见的半导体单模激光器制备工艺的不兼容性,只有少数几个研究单位和公司掌握了锑化物单模激光器的制备技术。文中介绍了锑化物单模激光器常用的侧向耦合分布反馈激光器的基本原理,分析了其设计的关键技术,回顾了锑化物单模激光器的设计方案和制备技术,并针对国内外锑化物单模激光器主要研究内容进行了总结。 相似文献
2.
3.
设计了一款用于高速CMOS图像传感器的多列共享列并行流水线逐次逼近模数转换器。八列像素共享一路pipeline-SAR ADC,从而使得ADC的版图不再局限于二列像素的宽度,可以在16列像素宽度内实现。该模数转换器采用了异步控制逻辑电路来提高转换速度。半增益数模混合单元电路被用于对第一级子ADC的余差信号放大,同时被用于降低对增益数模混合单元电路中运放性能的要求。相关电平位移技术也被用于对余差信号进行更精确的放大。整个pipeline-SAR ADC第一级子ADC精度为6-bit,第二级子ADC为7-bit,两级之间存在1-bit冗余校准,最终实现12-bit精度。输入信号满幅电压为1 V。该8列共享并行处理的pipeline-SAR ADC在0.18 m 1P4M工艺下制造实现,芯片面积为0.204 mm2。仿真结果显示,在采样频率为8.33 Msps,输入信号频率为229.7 kHz时,该ADC的信噪失真比为72.6 dB;在采样频率为8.33 Msps,输入信号频率为4.16 MHz时,该ADC的信噪失真比为71.7 dB。该pipeline-SAR ADC的电源电压为1.8 V,功耗为4.95 mW,功耗品质因子(FoM)为172.5 fJ/conversion-step。由于像素尺寸只有7.5 m,工艺只有四层金属,因此这款12-bit多列共享列并行流水线逐次逼近模数转换器非常适用于高速CMOS图像传感器系统。 相似文献
4.
5.
6.
7.
采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振劝对极性半导体膜中电子-表面光学(SO)声子强耦合和电子-体纵光学(LO)声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律,对CdF2半导体膜进行了数值计算,结果表明,CdF2极性半导体膜中光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用。并且发现CdF2半导体膜小的中不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小,这表明晶格热振动将削弱电子-声子耦合。 相似文献
8.
晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响 总被引:6,自引:5,他引:1
采用 Huybrechts线性组合算符和变分法 ,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子 -表面光学 (SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合体系的影响 ,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律 ,对 Cd F2半导体膜进行了数值计算 ,结果表明 ,Cd F2 极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用 .并且发现 Cd F2 半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献 ,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小 ,这表明晶格热振动将削弱电子 -声子耦合 相似文献
9.
Material Growth and Device Fabrication of GaAs Based 1.3μm GaInNAs Quantum Well Laser Diodes 总被引:3,自引:3,他引:0
Niu Zhichuan Han Qin Ni Haiqiao Yang Xiaohong Xu Yingqiang Du Yun Zhang Shiyong Peng Hongling Zhao Huan Wu Donghai Li Sh 《半导体学报》2005,26(9):1860-1864
Material growth and device fabrication of the first 1.3μm quantum well (QW) edge emitting laser diodes in China are reported.Through the optimization of the molecular beam epitaxy (MBE) growth conditions and the tuning of the indium and nitrogen composition of the GaInNAs QWs,the emission wavelengths of the QWs can be tuned to 1.3μm.Ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated.The lasing wavelength is 1.3μm under continuous current injection at room temperature with threshold current of 1kA/cm2 for the laser diode structures with the cleaved facet mirrors.The output light power over 30mW is obtained. 相似文献
10.
测量了ZnS:Mn纳米粒子以及相应体材料在不同压力下的光致发光谱.随压力增大,来源于Mn2+离子的4T1 6A1 跃迁的桔黄色发光明显红移.体材料和 10, 4. 5, 3. 5, 3nm的ZnS:Mn纳米粒子中Mn2+发光的压力系数分别是-29. 4±0. 3和-30. 1±0. 3, -33. 3±0. 6, -34. 6±0. 8, -39±1meV/GPa,压力系数的绝对值随粒子尺寸减小而增大,该种尺寸关系由晶体场场强Dq和Racah参数B值的尺寸依赖性引起. 1nm样品的Mn2+发光的特殊压力行为是因为样品的粒子尺寸比较小,另外,分布在Y型沸石中的纳米粒子的表面状况也不同于其它样品. 相似文献