大功率半导体激光器驱动电源的设计

高能激光系统通常需要多种输出模式的驱动电源,现有电源存在输出模式单一的问题。采用能量压缩技术和电流串联负反馈技术实现了多输出模式半导体激光器驱动电源。分析了特殊设计高输入阻抗差分运算电路作为负反馈网络的工作原理,推导出了精确的参考电压与输出电流的关系式。最后,将所研制的驱动电源应用于国内首台400W工业级光纤激光器系统中,驱动电源实现了0~26A连续可调、稳定度优于0.15‰的连续电流和准连续电流输出。测试结果验证了设计思路的可行性,实现了半导体激光器驱动电源的多输出模式和高电流稳定度。     

基于数字微镜器件的超振荡光场产生及实验验证

介绍了光学超振荡的原理及设计方法,利用纯振幅调制的空间光调制器(SLM)-数字微镜器件(DMD),从实验上获得局部超分辨的超振荡光场,并采用空间频谱分析的方法进行验证。实验结果表明,产生的超振荡光场中超振荡区域的特征尺寸为衍射极限的60%,经空间频谱的分析可知,所产生的超振荡光场中并没有超过衍射极限的高空间频率成分产生。     

基于群广义直觉模糊软集的空袭目标威胁评估方法

空袭目标威胁评估是提高防空武器系统应对多目标的基础. 针对威胁评估的实时性、多因素和信息不确定性问题, 构建一种基于群广义直觉模糊软集的多属性威胁评估模型. 在选择合适的威胁评估指标和量化方法的基础上, 引入多专家参量集来弥补传统广义直觉模糊软集中单个专家的评估不准确性和知识局限性等缺陷. 通过应用实例分析并与其他最新决策评估方法进行比较, 验证了该方法的可行性和有效性.

     

片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺

提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材料电阻率在106Ω·cm量级.剥离半绝缘GaAs(SI-GaAs)衬底层与Al_(0.9)Ga_(0.1)As牺牲层得到1.5μm LT-GaAs与环烯烃聚合物(COP)键合的结构.原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高倍显微镜形貌表征表明剥离后的结构表面平整光滑,表面粗糙度(RMS)为2.28 nm,EDAX能谱仪分析显示该结构中不含Al组分,满足光刻形成光电导开关的要求.     

选通电脉冲宽度和幅度对微通道板选通软X射线 皮秒分幅相机时间分辨的交互作用

 微通道板(MCP)选通软X射线皮秒分幅相机(XPFC)的动态时间分辨率是其重要的性能指标之一.通过基于均匀设计分析法建立的MCP-XPFC的动态时间分辨率回归方程着重分析了选通电脉冲的宽度和幅值对MCP-XPFC的动态时间分辨率的交互影响.在选通电脉冲V1(t) (250ps,1200V)和V2(t)(170ps,1400V)的作用下,利用MCP-XPFC的选通理论模型、均匀分析法回归方程、以及飞秒激光系统分别对相机的动态时间分辨率进行了理论计算和实验测试,并对结果误差进行了分析.对于250ps的选通脉冲适合的电压范围约为800~1200V,而对于170ps的选通脉冲适合的电压范围为1100~1200V.     

基于小波分解与多约束改进的序列图像配准

序列图像配准是光学影像超分辨率重建应用中的关键技术,针对如何提高序列图像超分辨率重建过程中配准的速度和精度问题,提出了一种基于小波分解和改进的多约束准则相结合的配准方法.首先对参考帧和待配准帧进行小波分解,生成小波图像金字塔以缩小搜索空间.其次,从金字塔最高层开始利用由局部灰度熵准则、灰度相似性准则和简化欧式距离比例不变准则构成的改进多约束准则提取同名特征点对,利用最小二乘法计算初始配准参数,然后逐层向下,对配准参数进行修正,实现由粗到精的配准.最后,利用模拟生成图像序列与实际获取图像序列进行测试.实验结果表明该方法在参数获取达到较高精度的情况下能有效提高配准速度,具有较好的效果.     

利用频率叠加的方法实现高重频高压窄脉冲源

利用传统方法实现高重频高压窄脉冲源受制于的器件性能,因而提出了频率叠加的新思路.基于超快电子学和频率叠加理论,利用MARX电路产生多路高压窄脉冲,通过同步系统控制多路触发信号延时,使多路脉冲耦合成一路输出,实现高重频高压窄脉冲输出.实验中两个单路高压窄脉冲的幅度为2.56 kV,宽度为7.13 ns,重复频率为32 k...     

分离打拿极电子倍增器性能提升技术研究

研究了磁控溅射法制备二次电子发射薄膜过程中氩气与氧气流量比和打拿极极间分压方式对电子倍增器增益及衰减特性的影响。研究表明，采用25∶5的氩气与氧气流量比所制备的MgO/(MgO-Au)双层结构薄膜具有最大的二次电子发射系数(SEY)和最小的SEY衰减率，同时利用该薄膜制作的九级打拿极电子倍增器具有最高的增益和最小的增益衰减率，这与该薄膜拥有最大的MgO晶粒尺寸和合适的导电性密切相关；采用第九打拿极与地之间的分压电阻阻值为3 MΩ且前八级打拿极极间分压电阻阻值均为6 MΩ的打拿极极间差异化分压方式制作电子倍增器能够提高器件增益，降低器件工作电压，并减缓在电子持续轰击下的增益衰减。该研究结果对高性能分离打拿极电子倍增器研制及其应用具有重要意义。