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1.
离子束刻蚀碲镉汞的沟槽深宽比改进   总被引:1,自引:1,他引:0  
高深宽比离子束刻蚀技术是实现碲镉汞红外焦平面探测器的关键工艺技术.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大,沟槽深宽比较低.针对Ar离子束刻蚀机,尝试了三种提高深宽比的方法:选择不同的光刻胶做掩模、改变刻蚀角度和使用三栅离子源,并通过扫描电子显微镜(SEM)观察了碲镉汞刻蚀图形的剖面轮廓并计算了深宽比.分析了这些工艺方法对刻蚀图形轮廓的影响,获得了一些有助于获得高深宽比的离子束刻蚀沟槽的实验结果.  相似文献   
2.
《红外技术》2017,(6):489-494
针对碲镉汞光伏器件的暗电流随着物理面积增大而急剧增加,研究了子像元结构在降低大面积短波碲镉汞光伏器件暗电流方面的有效性。发现子像元结构在室温下相比常规结构可以有效降低器件的暗电流,但当温度降到180 K时,常规结构器件反而具有最小的暗电流,经过分析认为是子像元边界处引入的表面漏电所致。如果器件的表面态密度和表面固定电荷过多,会使得子像元边界在低温下引入表面隧穿电流和表面欧姆电流,这些与边界有关的表面漏电会成为低温下暗电流的主要成分,从而使子像元结构失去降低器件暗电流的优势。文章中同时给出了低温下子像元结构可以有效降低器件暗电流的条件,并针对不同的子像元结构,提出了漏电体积这一参量来评价不同结构子像元降低器件暗电流的效果。  相似文献   
3.
钱大憨 《红外》2011,32(1):10-15
薄膜与衬底的结合性能一直备受关注.在各种情况下,薄膜的性能都依赖于其与衬底的附着力大小.为了提高附着强度,需要深刻理解附着力的机理和开发合适的附着力测试技术.从基准附着力、热力学附着能和实际附着力三个不同角度提供了附着力评价途径.作为广泛使用的附着力粘接测试技术,拉脱法和压带剥落法等方法在大量样品测试方面具有独特优势,...  相似文献   
4.
贾嘉  李向阳  侯云  黄志明  蔡愚 《红外》2015,36(12):8-12
红外地平仪是卫星姿态控制系统的重要设备之一,而热敏电阻红外探头又是 红外地平仪的一个关键部件,其质量会直接影响地平仪的性能和可靠性。随着近代空间技术的 不断发展,下一代红外地平仪对研制高可靠性、长线列的红外热敏探测器的需求日益迫切。近 年来,人们采用化学溶液法在制备锰钴镍氧(Mn-Co-Ni-O或MCN)薄膜材料方面取得了突破。该材料的 致密性远远超过陶瓷体材料,可以为长寿命、高可靠性的热敏器件提供一个很好的解决方案。而MCN 薄膜型探测器的类微电子制备技术也为实现长线列的多元热敏探测器奠定了基础。采用微 电子工艺制作了地平仪用锰钴镍薄膜型红外热敏探测器,并对其中的一些关键工艺(如刻蚀和 退火等)进行了颇有裨益的研究。这些新工艺和新方法对于实现薄膜热敏红外探测器在我国空间观测与遥感技术领 域的工程应用以及提高红外地平仪的可靠性和使用寿命都有着重要意义。  相似文献   
5.
乔辉 《红外》2015,36(3):16-20
采用等温气相外延方法(Isothermal Vapor Phase Epitaxy,ISOVPE)在CdZnTe衬底上生长出碲镉汞外延材料.在此基础上研制出在近室温条件下工作、具有集成浸没透镜结构的碲镉汞光伏器件,器件的工作波段为2.5 μm~3.2 μm.由于采用ISOVPE工艺生长的碲镉汞外延材料的组分梯度较大,文中采用多次湿法腐蚀-透射光谱测试的方法对材料的截止波长进行较精确的定位.在CdZnTe衬底上采用单点金刚石工艺得到直径为1.5 mm的超半球结构集成浸没透镜,然后利用激光诱导电流(LBIC)测试方法评价加工浸没透镜前后的器件光学响应面积.通过比较透镜加工前后器件的电流-电压特性曲线,对浸没透镜加工过程的影响进行了评价,发现透镜加工完成后器件的零偏压电阻略有增加,这与超半球结构会减小器件的辐射入射角相符合.在透镜加工前后对器件的黑体信号和噪声进行了测试,发现具有浸没透镜的器件的信号比之前增加了20~30倍,其噪声由于零偏压电阻的增加而略有降低.因此器件的黑体探测率实现了最高达4倍的增加.  相似文献   
6.
碲镉汞富碲垂直液相外延技术   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后,实现了碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性,所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了±0.005,厚度控制能力达到了±5μm ,40×30mm2外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10-3,同生长批次材料片与片之间的组分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上,表面起伏小于1μm.经热处理后,中波汞空位p型材料在77K下具有较高的空穴迁移率.另外,和水平推舟技术相比,垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能材料方面具有明显的优势,这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都具有重要的意义.  相似文献   
7.
碲镉汞线列光导器件的失效模式及原因分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结,并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺寸、器件物理、器件制备工艺和器件测试等几个方面因素对器件失效的可能原因进行了分析,首次提出碲镉汞线列光导器件的优值因子作为失效判据,为进一步理解碲镉汞线列光导器件的物理机理以及更好优化器件的筛选过程提供了参考,为碲镉汞线列光导器件应用中出现的失效问题提供了分析和解决的方向。  相似文献   
8.
钱大憨  贾嘉  陈昱  王韡  汤亦聃  朱龙源  李向阳 《红外技术》2011,33(6):328-331,344
制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化.通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,发现在延伸台阶的侧面有孔洞出现.通过改进镀膜工艺,延伸台阶侧面的金属薄膜致密无孔洞.这表明宏观...  相似文献   
9.
对采用单层ZnS和双层CdTe/ZnS两种钝化层结构的长波碲镉汞光伏器件进行了实时γ辐照效应研究.通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,两种器件表现出不同的辐照效应.结合光伏器件的电流机制分析,对器件的电阻-电压曲线进行数值拟合,发现器件的主要电流机制在偏压较大时为间接隧道电流,在偏压较小及零偏压附近时为产生-复合电流.对辐照前后器件的电阻-电压曲线进行对比分析,认为CdTe/ZnS双层钝化结构有助于降低辐照位移效应的影响,使得器件间接隧道电流随辐照剂量无明显的增加;同时发现辐照电离效应的影响与器件材料的初始性能参数密切相关,拟合得到ZnS单层钝化结构的器件具有较高的少子产生-复合寿命,受电离效应的影响较大,导致其产生-复合电流随着辐照剂量增加持续增大.  相似文献   
10.
用水平集方法建立了碲镉汞的离子束刻蚀轮廓的数值模型,模型的输入参数包括掩膜厚度、掩膜侧壁倾角、掩膜沟槽宽度、离子束散角、刻蚀速度等参数.对碲镉汞的刻蚀轮廓和刻蚀速度减缓现象进行了模拟和实验验证,结果表明,在沟槽宽度为4~10μm的范围内,计算得到的刻蚀深度和SEM测量结果相差6~20%.对掩膜的轮廓演变进行了模拟,给出了一个优化设计掩膜厚度来提高深宽比的实例.  相似文献   
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