大面积、高性能柔性GaInP/GaAs/InGaAs叠层太阳电池的制备（英文）

柔性高效Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池正在被开发、应用于无人机、可穿戴设备和空间能源等领域.采用MOCVD技术在Ga As衬底上制备太阳电池外延层,之后通过低温键合和外延层剥离方法将外延层转移到柔性衬底上.通过外延层剥离设备设计和大量参数优化实验,实现了GaAs太阳电池结构从四英寸砷化镓晶圆上的有效分离,且不产生缺陷并保持原有的性能.近期,在50μm聚酰亚胺薄膜上制备的30 cm~2大面积柔性GaInP/Ga As/InGaAs三结太阳电池实现了31. 5%的转换效率(AM0光谱),其中开路电压3. 01 V,短路电流密度16. 8 mA/cm~2,填充因子0. 845.由于采用了轻质的聚酰亚胺材料,所得到的柔性太阳电池面密度仅为168. 5 g/m~2,比功率高达2 530 W/kg.     

稀土元素上转换材料在钙钛矿太阳能电池中应用的研究进展

无机有机杂化钙钛矿太阳能电池被认为是最有发展前景的第三代光伏技术之一,经过短短几年时间的研究,钙钛矿太阳能电池现今的最高效率已经突破22%.随着钙钛矿太阳能电池的效率越来越接近理论效率,为了进一步提升电池效率,研究人员将目光投向了钙钛矿材料不能有效吸收的近红外波段.在本文中,我们回顾了近两年来将上转换材料与钙钛矿太阳能电池相结合的研究,将它们分成较为传统的方法和新型方法.传统的方法即是使用较为单一的NYF纳米颗粒对钙钛矿太阳能电池进行掺杂,利用稀土离子的上转换效应,吸收近红外光,扩宽钙钛矿的吸收范围,从而提升太阳能电池的性能;而新型的方法即是在传统的单一使用稀土离子的基础上,添加其他离子或者引入重掺杂半导体材料来进一步提升太阳能电池性能的方法,从实验结果看,这两种方法都取得了较好的结果.     

14 nm FinFET栅围寄生电容的建模与拟合

提出了一种基于保角映射方法的14 nm鳍式场效应晶体管(FinFET)器件栅围寄生电容建模的方法。对FinFET器件按三维几何结构划分寄生电容的种类,再借助坐标变换推导出等效电容计算模型,准确表征了不同鳍宽、鳍高、栅高和层间介质材料等因素对寄生电容的依赖关系。为了验证该寄生电容模型的准确性,对不同结构参数的寄生电容进行三维TCAD仿真。结果表明,模型计算结果与仿真结果的拟合度好,准确地反映了器件结构与寄生电容之间的依赖关系。     

微波零平衡相位法检测多层复合材料的粘结缺陷

提出了一种采用微波零平衡相位法检测多层复合材料 (特别是吸音材料 )粘结缺陷的新方法。该方法的特点是 :使用数字移相器和数字衰减器作为比较基准 ;使用零平衡相位方法检测相位变化 ;使用全局曲线拟合进行数据处理。本文提供的样例试验条件为 :微波源工作频率 1.15GHz ,输出功率 10 0mW ,复合材料厚度 50mm ,粘结层缺陷空气层厚度 3mm ,检测到平均相位变化为 2 .2° ,经过曲线拟合数据处理后 ,平均相位变化可精确到 2 .17°。实验结果表明 :该系统结构简单、使用方便、灵敏度较高     

耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响

研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电中的耗尽区调制效应的存在.并利用正、反向测量模式,从实验上进一步确认这种效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.发现在热载流子应力下,正、反向测量模式时,氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电均随应力时间的增加而减小.但由于漏极和源极附近沟道区的表面势受热空穴注入影响的程度不同,热载流子应力下,正、反向测量模式的热产生漏电减小程度不同.理解热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响,有助于成功设计电路.     

大面积、高性能柔性 GaInP/GaAs/InGaAs叠层太阳电池的制备

柔性高效Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池正在被开发、应用于无人机、可穿戴设备和空间能源等领域.采用MOCVD技术在Ga As衬底上制备太阳电池外延层, 之后通过低温键合和外延层剥离方法将外延层转移到柔性衬底上.通过外延层剥离设备设计和大量参数优化实验, 实现了GaAs太阳电池结构从四英寸砷化镓晶圆上的有效分离, 且不产生缺陷并保持原有的性能.近期, 在50μm聚酰亚胺薄膜上制备的30 cm2大面积柔性GaInP/Ga As/InGaAs三结太阳电池实现了31. 5%的转换效率 (AM0光谱) , 其中开路电压3. 01 V, 短路电流密度16. 8 mA/cm2, 填充因子0. 845.由于采用了轻质的聚酰亚胺材料, 所得到的柔性太阳电池面密度仅为168. 5 g/m2, 比功率高达2 530 W/kg.     

石墨烯片上螺旋电感的射频建模和参数提取

基于物理原理,对石墨烯螺旋电感提出了一种改进的等效电路模型,该模型在传统π模型的串联支路中增加了RC并联网络.并结合分析法和优化法,对此模型提出了一种参数提取方法.结果表明,在1～40 GHz频率范围内,测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合.     

背板掺杂与窗口位置对SELBOX器件调控研究

介绍了一种采用HK-first MG-last FDSOI工艺制作的选择性埋氧(SELBOX)器件。利用TCAD,对不同背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的SELBOX器件进行直流仿真分析,再与FDSOI器件的直流参数进行比对,得到SELBOX器件的直流性能对背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的依赖关系。进一步分析SELBOX器件的下表面电势分布,发现背板掺杂类型和埋氧层窗口位置对器件直流性能的物理调控机制。仿真结果表明,背板掺杂类型决定SELBOX器件的直流性能能否得到增强,埋氧层窗口位置与漏端的距离决定器件直流性能增强的程度。     

碳点修饰石墨毡电极在ZnI_2溶液中的电化学性能

通过溶剂热法在石墨毡(GF)上制备碳点(CD),将其作为电极,在碘化锌(ZnI_2)电解液中测量其电化学性能,研究其作为ZnI_2储能器件的电极对储能器件性能的影响。主要通过不同制备时间的溶剂热法制备碳点,研究不同的制备时间对碳点制备的影响。对碳点修饰的石墨毡进行快速热退火,研究退火对石墨毡电极性能的影响。通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线衍射仪(XRD)和喇曼光谱对电极表面进行了表征。通过循环伏安曲线(CV)、电化学阻抗谱(EIS)和计时电位法研究其电化学性能。研究结果表明,通过9 h、180℃下溶剂热法制备的CD修饰GF具有最好的电化学性能。