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1.
本文以自动倒车控制为例,阐述常规模糊控制与模糊插值控制的成功应用。从倒车模型的建立,到算法的实现步骤,给出详细的介绍,以期提高案例教学在计算智能课程教学中的比重和易接受性,激发学生的求知探索欲,达到预期教学目的。 相似文献
2.
《Planning》2015,(1)
本文针对应用型本科院校工科专业线性代数教学的特点,阐述了实施案例教学的必要性。提供了实施案例教学的不同类型的方法,以期有效提高线性代数课程的教学质量。 相似文献
3.
华玲玲 《数字社区&智能家居》2008,(7):135-136
结合近年来实施多媒体教学的实践,指出了提高多媒体教学效果应处理好的几个问题,并就进一步推进多媒体教学模式和教学方法改革提出了一些思路。 相似文献
4.
用能量为1.5MeV,剂量为1.8×101 8e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性。实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温红外光谱中向高频方向移动,300℃热处理时该亚稳态缺陷转化为VO缺陷;400℃热处理样品中出现了VO2的稳态缺陷,450℃热处理该稳态缺陷的峰值强度达到最大,当退火温度达到550℃时,该稳态缺陷完全消失并转化为其它复杂的缺陷。这种稳态的VO2缺陷经历450℃长时间热处理表现出良好的热稳定性,而在500℃短时热处理后转化为其它缺陷。 相似文献
5.
为解决EMD-IT去噪算法中阈值难以确定的问题,提出一种基于高斯白噪声能量分布的阈值估计方法。将含噪信号进行经验模态分解并估计各固有模态函数(IMF)中噪声的能量;根据模态单元阈值的含义,在各IMF中利用去除掉的模态单元包含的总能量等于噪声能量这一准则估计阈值。合成数据和实际心电信号的去噪仿真实验验证了该方法的有效性,其是自适应的且避免了阈值选择的主观性。 相似文献
6.
孙士国 《沈阳工业大学学报》2018,40(6):687-691
针对λ网络中的高性能传输问题,提出了一种分布式速率分配算法.该算法基于离散时间系统模型对λ网络进行建模,得到其速率分配问题的数学依赖关系,根据最大-最小公平准则,利用本地信息来分配每个源端和目的端之间的容量,以确保较低期望速率会话的速率最大化,并把剩余容量均匀地分配给全部会话,直至网络被充分利用.结果表明,所提出的分布式速率分配算法能快速收敛到一个最大-最小公平速率分配方式,而且还能实现自适应期望速率的快速变化. 相似文献
7.
在自组网中,ZRP的域间路由维护策略使ZRP具有较多的丢包数目和较多的路由重发现次数。前者使ZRP的数据包投递率较低,从而使其可靠性较低;后者使ZRP的传输时延和路由开销较高。针对上述问题,提出一种基于分段修复的区域路由协议SRZRP(Segmented Repairment based Zone Routing Protocol)。在SRZRP中,每个节点通过维护一个基于域内拓扑结构的有向无环图来保存到达其域内每个节点的多条备份路由,尽量利用备份分段路由进行域间路由修复。理论分析表明,SRZRP具有较高的可靠性。仿真结果表明,SRZRP提高了数据包投递率,说明SRZRP提高了协议的可靠性;同时,SRZRP降低了平均端到端时延和路由开销。 相似文献
8.
9.
对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1100℃下进行常规一步退火。研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响。结果表明:经过RTP再经高温一步退火后,硅晶体内形成了密度较高的氧化诱生层错以及完整的位错环,样品表面形成了一定宽度的清洁区;清洁区的宽度随RTP温度及降温速率的升高而变窄。当RTP温度达到1280℃时,样品中的层错和位错环明显减少,此时当RTP降温速率增加至150℃/s时,大部分层错消失,样品中出现了大量的点状腐蚀坑。 相似文献
10.
采用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了名义组分为La0.60Sr0.40-xNaxMnO3(x=0.00,0.10,0.15,0.20,0.30,0.33,0.35)的类钙钛矿型稀土锰氧化物多晶样品。发现用Na+替代部分Sr+2后,可使样品的居里温度降至室温附近,并且使样品的室温磁电阻比替代前明显增大。在1.8T的磁场作用下,样品La0.60Sr0.07Na0.33MnO3在292K时磁电阻为24.4%,比不含Na的La0.60Sr0.40MnO3增大了2.8倍;样品La0.60Sr0.25Na0.15MnO3在285K~345K温区内磁电阻保持在3.9%(±0.2%)左右,受温度影响不大,因此显著提高了样品的室温磁电阻和其温度稳定性。迄今为止还未见这类材料在室温附近具有如此宽范围和高温度上限的MR温度稳定性报道。这对于该类磁电阻材料的应用有很大意义。 相似文献