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采用热等静压法制备Ni3Al合金和Cr3C2含量不同的Ni3Al基复合耐磨材料,利用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪及摩擦磨损试验机,系统地研究Cr3C2含量对材料组织特征、硬度及摩擦磨损性能的影响.结果表明:Cr3C2/Ni3Al复合材料中,Cr3C2颗粒与Ni3Al颗粒之间发生互扩散作用,使部分Cr3C2颗粒转变为M7C3(M=Cr,Fe,Ni)结构;在特定的摩擦磨损条件下,随着Ni3Al基体中Cr3C2比例增大,Cr3C2/Ni3Al复合材料的耐磨性能显著提高,达到了Ni3Al合金耐磨性能的4~10倍.此外,随着Ni3Al基体中Cr3C2比例的增大,Cr3C2/Ni3Al复合材料对对磨盘的切削、刮擦作用减弱,对磨盘的磨损量减少. 相似文献
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为了提高采用三电极法的相对介电常数测量准确性,文中根据真实电极系统的材料和尺寸,在基于有限元法的多物理场仿真软件Comsol中建立并求解了针对相对介电常数测量的3D模型。为了减少计算量同时考虑到测量系统近似轴对称,对模型进行了2D简化,3D与2D模型计算结果的比较验证了2D模型的可靠性。通过计算给出了电场、电位和表面电荷密度的分布,计算了标准中给出方法对应的误差。分析了样本厚度、相对介电常数和半径(面积)对相对介电常数计算准确性的影响,确立了相对介电常数准确性的主要影响因素。通过对样本厚度和相对介电常数分别在0.2~10 mm和1~100范围内建模,获得了大量相对介电常数真实值和对应的计算值,发现相对介电常数的误差均为负值。并获得的从样本厚度、相对介电常数测量值到相对介电常数真实值的关系,采用二维插值法修正了相对介电常数测量值。最后采用仿真计算对结果进行了验证并在绝缘材料相对介电常数实测中得到了应用。 相似文献
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Niklas Wadefalk Anders Mellberg Iltcho Angelov Erik Kollberg Niklas Rorsman Piotr Starski Herbert Zirath 《电子元器件资讯》2009,(8)
InP基高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有极其优秀的低噪声性能和更佳的高频性能[1-4].由于在InGaAs层中载流子的迁移率和电流都很高,所以漏源极电压能够保持低电位.HEMT技术在低温时也并没有遭遇排斥.在InGaAs层中,掺杂物的游离能很低,电子存在于高能带隙材料的施主能级下的能量量子阱中.因此,对于高增益的微波运转,即便在低温条件下也能得到充足的载流子浓度. 相似文献
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针对高压电器设备电场优化设计常用有限元法(FEM)结合非线性规划法,设计变量改变后需要不断重复FEM的一系列计算过程,存在着大量的重复计算,从而引起计算量大大增加。为此,笔者引入了缩减基有限元法(RBFEM),推导了基于缩减基法的有限元方程。RBFEM通过计算维数大大减小的缩减基矩阵,使得整个优化过程的计算量大大减小。利用该算法,对500 kV电力变压器设备的绝缘结构进行了优化设计,每计算一次有限元方程,缩减基法需要的时间是FEM的1/4,可大大提高优化效率。同时和利用商业有限元软件计算优化后变压器绝缘结构的电场强度值比较,误差不超过1%,验证了该算法的有效性。 相似文献
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为构建智能网联汽车(CAV)和有人驾驶汽车(HDV)混合通行情况下的交叉口通行机制与控制方法, 本文提出CAV专用道条件下交叉口协同通行模型. 首先, 设计CAV专用道条件下的交叉口布置, 对交叉口进行网格化处理,将CAV通行时隙和HDV绿灯相位对交叉口某部分网格某时段的占用统一到交叉口时空资源描述框架下; 其次, 建立兼顾CAV与HDV的交叉口时空网格资源分配模型, 构建自适应信号灯控制算法和CAV轨迹规划算法; 再次, 以车辆最小延误为目标进行自适应信号灯配时优化和CAV轨迹优化; 最后, 选取广州某典型交叉口建立仿真实验对所提方法的有效性进行了验证. 相似文献
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寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势。通过建立数学模型,理论分析了考虑各部分寄生电感后增强型GaN HEMT的开关过程,并推导了各阶段的持续时间和影响因素,然后通过建立双脉冲测试平台,对各部分寄生电感对开关特性的具体影响进行了实验验证。实验结果表明,寄生电感会使开关过程中的电流、电压出现振荡,影响开关速度和可靠性,并且各部分寄生电感对增强型GaN HEMT的开关过程影响程度不同,在实际PCB布局受到物理限制时,需要根据设计目标优化布局,合理分配各部分寄生电感以获得最优的开关性能。 相似文献
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地热能在建筑领域的成功利用,解决了过去用煤炭资源对环境的污染。新能源利用存在一定风险,技术要求明显提高,施工质量必须保障,对参建各方的管理水平也同样提出了更高的要求。 相似文献
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我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光谱方法测得生长在InGaP虚衬底上的Ge薄膜最大的张应变量可达1.8%,而生长在InAlP虚衬底上的最大张应变量可达2.0%。通过对表面Ge进行腐蚀并测试电阻的方法,我们发现Ge生长在InGaP上存在平行导电问题,而Ge生长在InAlP上则可以消除平行导电的影响。通过霍尔测试验证了Ge受到张应变时对电子迁移率的提高作用。 相似文献
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