中功率Ku波段光纤延迟线

介绍了光纤延迟线的工作原理.详细叙述了中功率Ku波段光纤延迟线的研制过程,其中包括:光发射模块、光接收模块、低噪声前置放大器、中功率线性放大器的研制及整个系统链路的设计链接调试等.最后给出了中功率Ku波段光纤延迟线的测试结果.     

基于VEE的信号发生器自动校准软件

主要介绍了信号发生器校准系统的组成、自动校准软件的总体结构、软件设计方法和软件验证。该软件采用模块化设计,结构清晰;程控命令库和归一化测试流程设计解决了自动校准软件对各种型号信号发生器的兼容性问题;模板文件设计符合实际工作需要,数据集Data Set和Data Grid控件的设计实现了测试数据的存储和显示功能。结果表明,该软件实现了信号发生器的自动校准。     

SiC MESFET反向截止漏电流的研究

给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升.从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB.该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容.     

基于准MMIC技术的12~18GHz宽带VCO

提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法,大大降低了调试难度,更重要的是,克服了通用pHEMT MMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制,在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善.该方法为微波、毫米波压控振荡器的设计提供了一个新的途径.     

InP导电机制的正电子湮灭和相关电学测量研究(英文)

<正> InP and its alloys are of increasing interest due to their usefulness in microwave and optoelectronic devices. For the development of an InP-based technology an intimate understanding of the material properties is required. These properties are the nature of defects which give rise to electrically active states in the forbidden gap.     

固体摄象器件的发展趋势

本文重点介绍电荷耦合器件(CCD)的发展状况和最近出现的一些新器件的结构,如:虚相CCD摄象器;电荷引发器件摄象器;帧-行间转移CCD摄象器及具有三维集成电路雏型的叠层式CCD摄象器.     

150×150元CCD面阵固体摄象器的设计考虑

本文介绍我们设计的一种二相埋沟离子注入势垒、行间转移型的150×150元CCD面阵摄象器件,并将这种器件与已研制成的三相三层多晶硅帧转移型面阵器件从原理、结构、性能、工艺等方面作了比较;该器件的版图结构,预计在转移效率、工作频率、摄象清晰度等性能有较大的改进,但在工艺上要求有高精度的离子注入、高精度的大面积光刻、低压CVD生长多晶硅和氮化硅等工艺技术;最后给出了器件的驱动时钟波形。     

宽带GaAs FET放大器的计算机辅助设计

本文介绍了一种可用于宽带GaAs FET放大器设计的计算机辅助设计方法。给出了两种宽带GaAsFET放大器的设计与实测结果。4-8GHz放大器,功率增益G_p=33±1.5dB,带内噪声系数F_n≤3.7dB,8-12GHz放大器,G_p=30±1.5dB,F_n≤6dB。     

最优化方法分析GaAs MESFET串联电阻

提出了由实测数据采用最优化分析技术给出 GaAs MESFET串联电阻的新方法.在数据处理中,考虑了部份沟道电阻贡献与栅电流有关.使用本方法计算程序的机助测试系统可迅速正确地给出结果.