一种增强BOOST转换器抗干扰能力的电路设计

针对自适应导通时间控制下的BOOST转换器在外界条件变化或者负载电流发生跳变时可能出现的异常工作状态,提出了一种提高其抗干扰能力的电路设计方案。通过在BOOST电源管理芯片的自适应导通定时器内增加一个由复位端和置位端信号同时控制的开关,增加了一条在可能出现异常情况下电容的放电通路,从而提高了电路的抗干扰能力,使得转换器能够在较短时间内恢复正常。仿真结果表明,在BOOST转换器的负载电流发生突增后,改进后的电路能够在8μs内恢复到正常的工作状态。提出的设计方案能够增强BOOST转换器的抗干扰能力,并且BOOST转换器能够在较短时间内恢复正常启动过程。     

应变Si1-xGex (100)电子有效质量研究

基于结合形变势的KP理论框架,对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量（包括导带能谷电子纵、横向有效质量,导带底电子态密度有效质量及电子电导有效质量）进行了系统的研究。结果表明：应变Si1-xGex/(100)Si材料导带能谷电子纵、横向有效质量在应力的作用下没有变化,其导带底电子态密度有效质量在Ge组份较小时随着x的增加而显著减小。此外,其沿[100]方向的电子电导有效质量随应力明显降低。以上结论可为应变Si1-xGex/(100)Si材料电学特性的研究提供重要理论依据。     

一种基于0.18μm CMOS工艺低功耗多频点兼容GNSS卫星导航系统接收机射频前端模块设计

本文介绍了一种全集成的L波段多频点全球卫星导航系统(Global navigation satellite system, GNSS)接收机的射频前端模块的设计和实现.该模块采用了低中频,单射频通道的设计,包括一级低噪声放大器,一级下变频器以及多相滤波器和求和电路.其中低噪声放大器采用改进的带有源极负反馈的共源共栅极结构,并保证多频点兼容且共用片外匹配网络,并通过开关进行不同工作频点的切换.另外重新设计了可用于宽带的双平衡混频器作为下变频器,其在增益,噪声和线性度等方面进行了改进.采用TSMC 0.18μm 1P4M RF CMOS进行流片,对兼容1.27GHz和1.575GHz双模低中频射频前端模块结构进行相关设计的验证.相关测试表明,对于两个工作频点,本模块可以分别提供约45dB或43dB增益,噪声系数为3.35dB或3.9dB.同时,该模块在1.8V电压下电流为11.8mA到13.5mA. 射频模块的面积仅为1.91×0.53 mm²而整体芯片面积为2.45×2.36 mm².完全满足卫星导航接收机的应用需求.     

X波段GaN五位数字移相器MMIC的设计

采用0.5μm GaN HEMT工艺设计了X波段五位数字移相器的单片微波集成电路(MMIC),描述了移相器的设计过程,并进行了版图电磁仿真。该移相器采用高低通滤波器型网络和加载线型结构。利用电路匹配技术设计移相器电路的开关结构,将GaN器件的插入损耗从14 dB降至1 dB。版图仿真结果表明,在9.2 GHz~10.2 GHz频带范围内,均方根移相误差小于3.5°,插入损耗典型值为17.4 dB,回波损耗小于-12 dB,版图尺寸为5.0 mm×4.7 mm。     

Y_2O_3/Si界面电学特性研究

为了研究不同退火温度对Y2O3/Si界面电学特性的影响,对Y2O3/Si界面做快速热退火处理。用C-V和I-V方法对Al/Y2O3/Si/Al MOS电容进行电学特性测试。结果表明:界面态密度随着退火温度升高而减小,此外,经400℃退火后,MOS电容有最大的击穿场强(5 MV/cm),这是由于在400℃退火条件下陷阱密度减小,界面特性改善;由于Y2O3的结晶温度低,在500℃下Y2O3结晶,形成漏电路径,导致漏电流增加,击穿场强减小,在600℃时击穿电场仅有1.5MV/cm;由以上结果可以得出,随着退火温度的增加,界面陷阱密度会减小,但高温(>500℃)会使Y2O3结晶,导致漏电流增大,击穿电场减小。     

动态饱和鉴相鉴频器

在鉴相鉴频器的复位路径中插入可变延迟单元,利用反馈动态调节延迟时间,可消除死区并且不受环境变化的影响;采用多级鉴相鉴频器,可扩展鉴相鉴频器的工作范围,改善输入输出的非线性,提高鉴相鉴频性能。文章综合两者的优势,提出了一种动态饱和鉴相鉴频器,并把其应用在锁相环中,结果表明该电路在增加的功耗开销小于0.44%的情况下,使得锁相环的锁定时间减小了14%。     

GaN基材料和器件的质子辐照效应北大核心CSCD

由于综合性能优势,GaN基功率器件更适合于卫星电子系统等空间设备中射频功率放大模块的发展需求。因此,GaN基器件及材料的辐照效应研究显得尤为重要。通过对GaN基材料和器件进行质子辐照研究,可以发现,低注量辐照增加了GaN材料的载流子浓度和迁移率,降低了材料的串联电阻。此外,辐照增加了GaN的张应力,引起了材料表面形貌恶化,而对位错密度影响甚小。对于GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,辐照发生在较高注量下,器件参数才发生较为明显的退化,而且阈值电压变化最为显著,分析认为,高注量辐照时,辐照感生受主缺陷造成的二维电子气(2DEG)浓度降低是上述器件退化的主要原因。     

基于ARM和ZIGBEE的智能家居系统设计

本文通过设计分为硬件部分和软件部分:基于ARM和ZIGBEE的智能家居系统,基于ARM和ZIGBEE的智能家居系统。系统以STM32单片机为核心,实现了对多个传感器模块的控制和数据采集,然后由统一汇总至ZigBee通信终端上,最后由ZigBee通信终高速传输给协调器。     

基于SoC可配置CF/CF+卡控制器的设计

基于最新的CF/CF 3.0协议,设计了一款基于AHB总线的可配置的CF/CF 卡控制器.设计采用了高性能乒乓操作方式的改进异步FIFO.针对CF/CF 卡实际使用时往往只需要其某一两种模式的特点,采用了一种可定制可裁剪CF/CF 控制器电路的设计思路,极大地提高设计效率;探讨了一种基于SoC高性能接口控制器电路通用体系架构,已成功应用到多种接口控制器的设计中.设计通过了仿真(NC-Verilog)、综合(DC)以及FPGA验证,嵌入到单板系统中,实现了与CF存储卡之间的数据传输.