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1.
2.
采用复合溶胶–凝胶法结合后续热处理,制备了具有包埋结构的氧化亚硅/碳(SiOx/C)复合负极材料。扫描电子显微镜分析结果表明:氧化亚硅纳米颗粒嵌入在无定形碳中。电化学性能测试表明:SiOx/C复合材料具有较高的比容量、优异的循环稳定性和倍率性能。材料在0.1 A/g的电流密度下100次循环后的可逆比容量为710 m A·h/g,容量几乎无衰减;在1.6 A/g的电流密度下,可逆比容量为380 m A·h/g。优异的电化学性能是由于材料的包埋结构能有效地缓冲SiOx充放电过程中的体积膨胀,保证材料的结构完整性和电化学循环稳定性。 相似文献
3.
基于分子模拟对正庚烷脱氢环化过程中的决速步骤反应能垒进行理论分析,提出降低决速步骤反应能垒的可行途径,设计出通过增强双分子氢负离子转移反应提高重整反应选择性的反应路径。根据此反应思路,制备了含硼硅分子筛的催化剂,考察了不同模型化合物的催化重整反应性能。结果表明,与含硼硅β分子筛的催化剂和氧化铝重整催化剂单独使用相比,将2种催化剂机械混合后使用可以获得更高的芳烃产率和更低的气体产率。以1-己烯、环己烷和正庚烷为模型化合物的催化重整反应验证了混合催化剂具有更高氢转移活性。该新反应路径对半再生重整和连续再生重整催化剂均具有适用性。 相似文献
4.
硅基光子集成平台因其高集成度、CMOS工艺兼容性等特点在光通信领域受到了广泛的关注,而电光调制器作为光通信系统中最为重要的器件之一,承担着将电信号加载至光信号上的关键作用,为打破硅基调制器的性能限制,可利用硅和铌酸锂的大面积键合技术以及铌酸锂低损耗波导刻蚀技术实现高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器,目前该类调制器的性能可达半波电压3 V,3 dB电光带宽超过70 GHz,插入损耗小于1.8 dB, 消光比大于40 dB。文中对比了硅和铌酸锂异质集成调制器的研究现状并介绍了该异质集成薄膜调制器的结构设计与工艺实现方法。 相似文献
5.
砷污染防治技术,将三价砷[As(Ⅲ)]先氧化成五价砷[As(Ⅴ)]是保证治理效果的必要手段。文中为了提高臭氧氧化效果,将臭氧以纳米气泡(NBs)的形式通入水中。在不同As(Ⅲ)初始浓度、不同pH下,NBs系统对As(Ⅲ)氧化率均远远高于臭氧大气泡系统,最高可达96.5%[对应As(Ⅲ)初始浓度为0.2mg/L],比大气泡系统提高了44.47%。NBs系统对As(Ⅲ)的氧化率随初始浓度的增大而有略微提高。溶液初始pH值为3、9时,NBs系统对As(Ⅲ)的最高氧化率达95.1%、94.2%,高于pH值为7时的氧化率;碳酸根离子对臭氧大气泡和NBs系统均具有一定的促进作用,添加了碳酸钠的NBs系统对As(Ⅲ)的氧化率达97.8%,比未添加药剂的系统提高了1.8%。 相似文献
6.
有色冶炼过程中会产生大量的含砷酸性废水,除砷处理给企业生产运行带来了较大的压力,随着近年来冶炼废水中的砷含量逐步升高,高含砷污酸除砷处理受到了广泛的关注,如何实现经济、高效除砷成为当前的研究热点。对近年来高砷污酸处置技术:硫化法和石灰中和-铁盐法进行了总结与分析。并对尾渣固化除砷技术进行了归纳与展望。短期内硫化法除砷技术仍然为最受欢迎的主流技术,尾渣固化法在砷固定方面有较大优势,但应用过程中收到实际生产过程的制约,因此,该方法有较大的研究前景。 相似文献
7.
针对目前火电厂在优化混煤掺烧配比时,采用局部优化存在燃烧不稳定且难以实现电厂全流程经济性最优等问题,提出一种构建基于全流程优化的锅炉机组混煤掺烧优化决策模型对混煤掺烧技术的配煤方案进行优化的方法.首先构建出锅炉燃烧输入总热量(采购燃煤总低位发热量)的数学模型,据此来拟定初步的混煤采购方案;然后利用基于实验数据的统计方法与基于基本原理的理论建模相结合的方法,建立锅炉混煤掺烧全流程各子系统和设备运行及维护成本模型;最后构建以锅炉机组混煤掺烧运行时,全流程各子系统和设备单位运行及维护成本总和最低作为优化决策数学模型,并提出采用遗传算法对其进行寻优求解.将该决策模型应用于某330MW锅炉机组中进行验证,由优化后的结果可知,优化掺烧配比后不同负荷下的锅炉机组供电单位成本均有所降低.构建得到全流程优化决策模型为锅炉机组实际混煤掺烧配煤方案优化提供了定量化的理论指导. 相似文献
8.
研究了高硅铝硅合金(45wt% Si)熔体电磁分离过程中,Sb添加量、下拉速率、温度等对分离效果的影响,对Sb在高硅铝硅合金电磁分离过程中的变质机理进行了分析。结果表明,在1500℃、下拉速率为10 μm/s时,过共晶铝硅合金熔体中加入Sb进行定向凝固后,合金部分硅铝比从11.53%降至11.21%,初晶硅富集区的硅含量从86wt%增至90wt%;当1500℃、下拉速率为40 μm/s时,合金部分硅铝比从12.56%降至12.13%,初晶硅富集区的硅含量从81wt%增至86.5wt%;加入变质剂后合金部分共晶硅相在α-Al基体中分布均匀且连续,形貌有所细化。 相似文献
9.
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