4英寸f_(max)=620 GHz的0.25μm InP DHBT北大核心

报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器件的击穿电压达到了4.2 V,电流增益截止频率为390 GHz,最高振荡频率为620 GHz。建立了用于提取器件寄生参数的小信号等效电路模型,模型的仿真结果与高频实测数据具有很好的拟合精度。     

基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器

<正>磷化铟异质结双极型晶体管(InP HBT)具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点,在超高速数模混合电路应用方而具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2mm InP HBT圆片工艺,研制出60 GHz静态分频器以及92 GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果,此电路可在2~60 GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果,此电路可在75~92 GHz范围内实现二分频。     

气相和溶液多硫化物钝化InP表面的XPS和AFM研究

利用Ｘ射线光电子谱和原子力显微镜研究经气要和溶液钝化的ＩｎＰ表面的化学键合、表面残余氧含量、表面刻效应和粗糙度。结果表明，采用气相多硫化物钝化可以获得均匀、光滑和可重复的表面质量，但其热稳定性不如溶液多硫化物钝化的ＩｎＰ表面好。     

磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备

分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析.在此基础上获得了"开盒即用(EPI-READY)"、具有良好晶格完整性、表面无损伤的InP单晶衬底抛光片.     

半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.     

磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺

针对磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT),进行了Ni/Ge/Au和Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au两种金属结构快速退火(10～40s)和长时间合金(10min)的实验.通过研究比较,得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法.利用Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au结构,在270℃下合金10min形成了典型值0.068Ω·mm的接触电阻.     

最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件北大核心

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制。图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能,器件电流增益(β)为25,击穿电压(BVCEO)为4.2 V(Je=10 μA/μm2),电流增益截止频率(ft)和最高振荡频率(fmax)分别达到390 GHz和620 GHz。基于0.25 μm InP DHBT工艺,研制了340GHz单片集成放大器,该放大器小信号S参数测试结果如图3所示,300 GHz 增益为 15 dB,340 GHz 增益为 7.5 dB。     

Large-energy-shift photon upconversion in degenerately doped InP nanowires by direct excitation into the electron gas

Realizing photon upconversion in nanostructures is important for many next- generation applications such as biological labelling, infrared detectors and solar cells. In particular nanowires are attractive for optoelectronics because they can easily be electrically contacted. Here we demonstrate photon upconversion with a large energy shift in highly n-doped InP nanowires. Crucially, the mechanism responsible for the upconversion in our system does not rely on multi-photon absorption via intermediate states, thus eliminating the need for high photon fluxes to achieve upconversion. The demonstrated upconversion paves the way for utilizing nanowires--with their inherent flexibility such as electrical contactability and the ability to position individual nanowires--for photon upconversion devices also at low photon fluxes, possibly down to the single photon level in optimised structures.