排序方式: 共有20条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
青岛赛瑞达电子装备股份有限公司 《电子工业专用设备》2014,(3):70-71
闭管软着陆扩散系统采用闭管扩散的方式。碳化硅浆把石英舟放入石英管后再退出石英管,保证整个工艺过程完全不受外界环境干扰。系统整机清洁降低了石英制品清洗的频次。控制终端采用专业工控机配备进口温控仪表、质量流量计及完善的报警功能。 相似文献
2.
LC-4D化学需氧量测定仪的研制 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了自行设计的LC-4D化学需氧量测定仪的工作原理(基于闭管消解-微库仑滴定法),仪器组成,主要电路结构,仪器特点,主要工作参数及实验结果。目前该仪器已用于环保、水处理、石油化工等部门,使用结果令人满意。 相似文献
3.
闭管中非线性驻波场问题探讨刘克马大猷(中国科学院声学研究所北京·100080)1引言非线性声学是当前国际声学界受到极大关注的研究领域。因为在科研、生产、国防航天航空领域中,众多的高声强声源出现,高声强环境的产生,使得高声强在当代科学技术中起着越来越重... 相似文献
4.
闭管回流-分光光度法测定水样COD影响因素的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用闭管回流-分光光度法测定水样的化学需氧量,研究了测试条件对测定结果的影响,结果表明最佳消解解温度为150℃,最佳消解时间为120min。与标准方法比较,该方法的准确度高,标准偏差在0%-2.0%,可用于环境监测中的水体COD分析。 相似文献
5.
介绍了适用于太阳能电池生产线闭管磷扩散设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制。 相似文献
6.
7.
利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP (100)晶片进行扩散. 用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线. 结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级. 另外对扩散后的样品进行光致发光(PL) 测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响. 相似文献
8.
本文介绍了LC-4闭管消解一微机微库仑COD测定仪的研制,与LC-4D化学需氧量测定仪相比,LC-4的分析速度更快,操作更方便,灵敏度更高,可测定低至5mg/L的样品。 相似文献
9.
为了发展GaAs材料的电子器件和集成电路,必须解决怎样在GaAs表面上生长高质量的自体氧化膜的问题。目前,很多人都在这方面进行研究。 相似文献
10.
吕衍秋 庄春泉 黄杨程 李萍 龚海梅 Lü Yanqiu Zhuang Chunquan Huang Yangcheng Li Ping Gong Haimei 《半导体学报》2006,27(z1):105-108
利用闭管扩散方法以Zn3P2为扩散源,在不同扩散温度和扩散时间下对非故意掺杂InP(100)晶片进行扩散.用电化学C-V法(ECV)和二次离子质谱法(SIMS)分别测出了空穴浓度和Zn的浓度随深度的分布曲线.结果表明扩散后InP表面空穴和Zn的浓度在扩散结附近突然下降,InP表面空穴浓度主要取决于扩散温度,扩散深度随着扩散时间的增长而变大,InP表面Zn浓度一般比空穴浓度高一个数量级.另外对扩散后的样品进行光致发光(PL)测试,表明在保证表面载流子浓度的同时,适当降低扩散温度和增加扩散时间能减小对InP表面性质的影响. 相似文献