低温烧结微波介质陶瓷

在制备多层微波元件过程中，为使用Cu、Ni等低熔点导体，必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及（Zr,Sn）TiO4陶瓷，这类材料的烧结温度已降至1000℃以下；也介绍了掺加（V2O3＋CuO）的BiNbO4基陶瓷，其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。  

低温烧结铁氧体粉料的最新进展

以国家“863”计划重大项目和第八届国际铁氧体会议重要论文为据，综合分析、论述了低温烧结铁氧体粉料的进展状况。重点介绍了固相反应法NiCuZn铁氧体、MgCuZn铁氧体和六角晶系Co2Z铁氧体。同时报道了具有世界领先水平的软化学法NiCuZn铁氧体和六角晶系Co2Z铁氧体成果。  

低温烧结低介硅灰石瓷料的研制

通过对实验试样的差热分析及XRD分析,得知烧结过程中液相的存在可促使氧化钙与氧化硅形成硅灰石相。硅灰石瓷配方中SiO2过量(w≤10%)及粘土的w≤10%时能有效地降低烧成温度(1 170 ~1 230℃)。研制瓷料介电性能:er = 7.0~9.0,tgd =(1.0~5.0)104,rv≥(2.0~5.0)1013Ω·cm,aε为(0±30)106℃1。  

光纤布拉格光栅温度和应变交叉灵敏度的实验研究

测量了光纤布拉格光栅(FBG)在-150～550℃范围内中心反射波长对应变的依赖关系，得到了光栅的温度和应变交叉灵敏度系数。结果表明，不论是在低温环境还是高温环境，当光纤所受张力小于6000με时，波长变化与应变大小呈线性关系；光栅的应变灵敏度系数和交叉灵敏度系数是温度的函数，温度越低，应变灵敏度系数越大，交叉影响越显著。  

电子封装技术的新进展

本文综述了电子封装技术的最新进展。  

低温共烧陶瓷基板制备技术研究进展

对ＬＴＣＣ（低温共烧陶瓷）技术的特点及应用作了评述。对目前已研究和使用过的低介电常数和低烧结温度基板材料及综合性能，流延浆料有机添加剂进行了对比分析，描述了流延工艺过程和烧结过程，由于对基板材料选择的任意性，现有流变学模型析局限性，以及低温液相烧结动力学过程机理尚不清晰，因此完整清晰地揭示ＬＴＣＣ工艺的物理化学过程仍需作很多工作。  

微波介质材料与器件的发展

详细论述了微波介质材料与器件国内外现状和技术发展趋势, 分析了应用前景和国内市场需求,对我国“十一·五”发展方向和重点研究课题提出了建议。  

LTCC微波多芯片组件中键合互连的微波特性

键合互连是实现微波多芯片组件电气互连的关键技术，键合互连的拱高、跨距和金丝根数对其微波特性具有很大的影响。本文采用商用三维电磁场软件HFSS和微波电路设计软件ADS对低温共烧陶瓷微波多芯片组件中键合互连的微波特性进行建模分析和仿真优化。仿真优化结果与LTCC试验样品的测试结果吻合较好。  

无声放电等离子体及其应用

无声放电等离子体是一种非平衡态子体，它可用于等离子体化学、紫外与真空紫外光源以及气体激光器激励等方面。本文将概要介绍无放电及其应用的研究进展。  

VHF-PECVD低温高速生长的硅薄膜材料特性研究

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法，在保持其它参量不变的条件下，通过改变SiH，浓度(SC)成功地制备了一系列Si基薄膜样品。对材料特性的测试结果表明，同射频PECVD相比VHF-PECVD技术提高了薄膜的沉积速率．并且SC大相应的沉积速率也大；微区Raman谱测试计算结果表明，样品的晶化率(Xo)随SC、的逐渐增大而减小；X射线衍射(XRE))测试结果计算显示．样品的晶粒尺寸在20～30nm之间原子力显微镜(AFM)和微区Raman谱测试分析结果一致表明，过渡区在SC、在6％～8％之间；激活能测试结果表明，制备出接近本征的微晶Si材料。