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1.
光刻胶灰化技术用于同步辐射闪耀光栅制作   总被引:3,自引:2,他引:1  
在分析光刻胶光栅浮雕图形缺陷成因的基础上,首次将光刻胶灰化工艺引入到全息-离子束刻蚀制作闪耀光栅工艺中,并成功地为国家同步辐射实验室光化学站制作了12001/mm,闪耀波长为130nm的锯齿槽形光栅。测试结果表明光刻胶灰化处理对制作大面积优质的光刻胶光栅非常有效和实用。  相似文献
2.
激光全息用于微电子领域发展潜力的简析   总被引:2,自引:0,他引:2  
激光技术已广泛应用于微电子领域大规模集成电路生产的各个环节。本文以激光全息光刻、激光全息掩模和激光干涉成像光刻为切入点,对激光全息用于微电子领域的潜力作一分析。  相似文献
3.
采用全息光刻和湿法腐蚀光栅技术,成功制备了表面二阶金属光栅宽条型分布反馈(DFB)半导体激光器,无需二次外延生长过程,实现了宽接触室温直流下大范围稳定单纵模工作。腔面未镀膜器件,在脉冲工作条件下,注入电流为2.28A时,单面输出功率大于600mW,斜率效率达0.37mW/mA,功率效率大于11%。在连续电流注入下,当注入电流为1.6A时,单面输出功率大于200mW,光谱线宽小于0.8nm,波长随电流的调谐系数最小为0.43nm/A;注入电流为1.0A时,水平远场发散角为2.1°。  相似文献
4.
全内反射全息光刻技术   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了全内反射(TIR)全息光刻技术的发展情况、基本原理以及其中的关键技术。  相似文献
5.
激光全息光刻技术及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
论述了激光全息光刻技术的基本原理、发展状况和在制备衍射光栅及场发射平板显示器等光电子器件方面的应用。  相似文献
6.
通过耦合波理论分析,使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行数值模拟计算,得出了影响全息掩模衍射特性的因素主要是显影前后记录材料平均介电常数的改变、介质的膨胀与收缩以及非共轭再现等,为实验研究提供了理论依据.  相似文献
7.
介绍了一种新型的光刻系统-全内反射全息光刻系统。着重讨论了设计该系统时的几个重要因素,给出了用该系统开展的实验研究结果。  相似文献
8.
理论上模拟了全息光刻法制备二维硅基图形阵列的光强分布和显影过程,通过改变激光波长及入射光与样品表面的夹角即可得到不同周期的二维图形.在此基础上,采用三束光一次曝光和湿法腐蚀图形转移技术,在n型(100)硅衬底上制备出了周期在亚微米量级的均匀二维图形阵列.该方法适合大面积硅基图形阵列的制作.  相似文献
9.
通过耦合波理论分析,使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行数值模拟计算,得出了影响全息掩模衍射特性的因素主要是显影前后记录材料平均介电常数的改变、介质的膨胀与收缩以及非共轭再现等,为实验研究提供了理论依据.  相似文献
10.
使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响,并找出了影响图形质量的主要因素.在此基础上设计了实验系统,最后得到了分辨率基本上只受初始光掩模分辨率限制的光刻图形.  相似文献
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