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1.
不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究   总被引:15,自引:6,他引:9       下载免费PDF全文
摘要对B^ 注入的n-on-p平面结和分子束外延(MBE)技术原位铟掺杂的n-on-p台面异质结的碲镉汞(HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析.与n-on-p平面结器件相比,原位掺杂的n-on-p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗一面积值(RoA).通过与实验数据拟合,从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的RoA和在不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.  相似文献
2.
980 nm高功率垂直腔面发射激光器   总被引:14,自引:6,他引:8  
研究了 980nm垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的结构设计和器件制作 ,实现了室温下的脉冲激射。在脉宽为 5 0 μs,占空比为 5∶10 0 0的脉冲电流下 ,直径 4 0 0 μm的器件输出光功率最高可达 380mW ,发散角小于 10° ,光谱的半高全宽为 0 8nm。  相似文献
3.
GSMBE生长的高质量氮化镓材料   总被引:9,自引:4,他引:5       下载免费PDF全文
使用NH3作氮源,采用GSMBE方法在(0001)Al2O3衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.1.2μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽为6′,室温电子迁移率为300cm2/(V·s),背景电子浓度约为3e17cm-3.  相似文献
4.
短波红外InGaAs/InP光伏探测器系列的研制   总被引:9,自引:7,他引:2       下载免费PDF全文
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层,研制了波长扩展的InGaAs/InP光伏探测器系列,其室温下的截止波长分别约为1.9μm,2.2μm.和2.5μm.对此探测器系列在较宽温度范围内的性能进行了细致表征,结果表明在室温下其R0A乘积分别为765,10.3和12.7Ωcm2,比室温降低100K时其暗电流和R0A可改善约3个量级.瞬态特性测量表明此探测器系列适合高速工作,实测响应速度已达数十ps量级.  相似文献
5.
ZnO材料的生长及表征   总被引:7,自引:4,他引:3  
氧化锌材料是新一代宽禁带光电子半导体材料和场致发射材料,通过等离子体分子束外延设备,在a-plane的蓝宝石衬底上生长了高质量的氧化锌外延材料。在生长过程中用反射高能电子束衍射仪(RHEED),研究了生长时材料薄膜的表面形貌。为了使材料更好地应用于器件,研究了材料的掺杂性质。研究了给体束缚激子(Donor bound exeiton (DX))、自由激子(Free exciton(EX))和受体束缚激子(Aeeeptor bound exciton (AX))随温度变化的发光过程。用紫外-可见透射光谱研究了ZnO薄膜材料的透射光谱性质。结果表明,用分子束外延生长设备成功地生长了高质量的氧化锌薄膜材料。  相似文献
6.
共振隧穿二极管的设计和研制   总被引:7,自引:2,他引:5  
用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管,经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54GHz。  相似文献
7.
MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器   总被引:6,自引:4,他引:2       下载免费PDF全文
我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA  相似文献
8.
分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
本文报道在晶格失配GaAs衬底上分子束外延HgCdTe薄膜的位错密度研究结果.用位错腐蚀坑密度(EPD)、X射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法,对CdTe缓冲层以及HgCdTe薄膜的位错密度、其纵向分布及与工艺条件的相关关系进行了评价、分析.研究发现退火可以有效地降低HgCdTe薄膜的位错密度.  相似文献
9.
Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长   总被引:5,自引:3,他引:2       下载免费PDF全文
使用MBE方法在Si(111)衬底和Si SiO2 Si柔性衬底上生长了GaN外延层 ,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析 .在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层 ,其表面粗糙度为 0 6nm .研究了GaN外延层中的应力及其光学性质 ,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值 .研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量  相似文献
10.
应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器   总被引:5,自引:4,他引:1       下载免费PDF全文
利用应变补偿的方法研制出激射波长 λ≈ 3.5— 3.7μm的量子级联激光器 .条宽 2 0 μm,腔长 1 .6mm的 Inx Ga1- x As/Iny Al1- y As量子级联激光器已实现室温准连续激射 .在最大输出功率处的准连续激射可持续 30 min以上 .  相似文献
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