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1.
多芯片组件热分析技术研究   总被引:13,自引:0,他引:13  
多芯片组件(MCM)是实现电子系统小型化的重要手段之一。由于封装密度大、功耗高,MCM内部热场对器件的性能和可靠性的影响日益严重。文章讨论了MCM内部热场影响器件可靠性的机理,比较了MCM热场计算的方法和特点,研究了有限元分析的方法和求解过程,进行了实际计算,并提出了几种有效的降低MCM结温的方法。  相似文献
2.
2~6GHz单片功率放大器   总被引:8,自引:0,他引:8  
报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的 Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在 2 .0~ 6.7GHz频带上线性增益为 17d B,平坦度为± 0 .75d B,输入和输出驻波分别小于 2。全频带上 ,饱和输出功率为 1~ 1.4 W,功率附加效率大于2 0 %。该宽带单片功率放大器在 76mm Ga As单片 MMIC工艺线上用全离子注入、0 .5μm栅长工艺研制完成 ,电路芯片面积为 0 .1mm× 2 .6mm× 2 .7mm。  相似文献
3.
GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理   总被引:7,自引:1,他引:6  
从可靠性物理角角度,深入分析了引起砷化镓微波单片机集成电路(GaAs MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件。  相似文献
4.
GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
黄云 《微电子技术》2003,31(1):49-52
本文介绍了GaAs MMIC的可靠性研究与进展,重点介绍了工艺表征工具(TCV)、工艺控制监测(PCM)和统计工艺控制(SPC)等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术,为国内GaAs MMIC可靠性研究提供了新的思路。  相似文献
5.
1~7GHz全单片低噪声放大器   总被引:4,自引:1,他引:3  
一种性能优异的全单片宽带低噪声反馈放大器已研制成功。此两级放大器的特点是 ,性能稳定 ,频带宽 ,噪声低 ,增益高而平坦 ,可直接由 +5 V单电源供电 ,无需外加偏置电路 ,输入输出由 MIM电容隔直 ,使用方便。它由栅长为 0 .5 μm Ga As工艺制作而成 ,所有电路元器件皆集成在 3 .0 mm× 2 .0 mm的 Ga As衬底上。经测量 ,在频率 1~ 7GHz的范围内 ,放大器增益大于 2 0 d B,带内增益波动小于± 0 .75 d B,噪声系数 NF<2 .5d B,输入输出驻波 VSWR约 2 .0 ,1分贝压缩点输出功率大于 1 4d Bm。文中介绍了放大器的设计原理和工艺过程 ,并给出了测量结果。测量结果与设计符合得很好。最后值得指出的是 76mm Ga As圆片的成品率高 ,性能一致性好。  相似文献
6.
高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器   总被引:4,自引:2,他引:2       下载免费PDF全文
报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μm PHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9~4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器.  相似文献
7.
雷达低角跟踪技术研究   总被引:3,自引:3,他引:0  
张小红  杨敏 《现代雷达》2004,26(11):8-11
随着飞行器技术突飞猛进的发展,其目标特性具有低空发现距离近;信噪比低;速度快,亚音速飞行等特点。雷达由于多路径效应的影响,很难迅速、准确的搜索、捕获、跟踪低空目标。为了有效地解决雷达的低角跟踪问题,本文对国内外低角跟踪雷达研究现状及发展趋势进行了介绍,分析了一些主要的雷达低角跟踪技术。另外,基于毫米波材料研究的突破和制造工艺的成熟,通过介绍复合型毫米波器件和毫米波单片集成电路,重点阐述了毫米波技术在低角跟踪技术中的应用。  相似文献
8.
MMIC和RFIC的CAD   总被引:3,自引:3,他引:0  
微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的功能是设计精度的关键所在。本文对微波单片集成电路和射频集成电路设计的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了元器件模型和仿真器功能在微波射频集成电路设计中的问题和应用。  相似文献
9.
X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器   总被引:3,自引:0,他引:3  
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计,设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中,开展了关键工艺的专题研究。研究结果为:单级单片放大器在10:5-11.6GHz范围内,NF≤1.82dB,G≥7.72dB;在11.7-12.2GHz范围内,NF≤1.80dB,G≥6.8dB;双级放大器在10.4-11.1GHz范围内,NF≤1.96dB,G≥15.3dB,最低噪声系数为1.63dB,最高增益为16.07dB。  相似文献
10.
W及以上波段MMIC放大器的研究进展   总被引:3,自引:1,他引:2  
在阐述W及以上波段MMIC放大器性能的基础上,回顾了以InP HEMT MMIC放大器为主流技术的W及以上波段MMIC放大器的研究进展,介绍了基于InP HBT、GaAs MHEMT和SbHEMT的MMIC放大器的研制水平,指出目前研制的W及以上波段MMIC放大器的应用领域,突显其在MMIC高端技术领域的重要性.针对欧美国家在该领域飞速发展而我国处于相对劣势的现状,对我国研发W及以上波段MMIC放大器提出初步建议.  相似文献
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