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1.
高亮度发光二极管及其在照明领域中的应用   总被引:28,自引:0,他引:28  
介绍了高亮度发光二极管(LED)的研究现状,分析了LED作为照明光源的特点,并对LED在照明领域中的应用进行了展望.  相似文献
2.
半导体照明中的非成像光学及其应用   总被引:21,自引:0,他引:21  
以GaN基功率型发光二极管(LED)为代表的半导体照明光源,具有其他传统光源无法比拟的诸多优点,被公认为21世纪最有价值的新型光源。充分发挥功率型LED的优势,利用非成像光学进行面向实际应用的功率型LED封装光学系统设计,以高端半导体照明光源的制造为突破点,带动整个半导体照明产业的快速进步,已成为半导体照明技术发展的战略选择。回顾了非成像光学的历史、研究进展以及在半导体照明中的应用,并通过设计实例,介绍了面向功率型LED光线耦合、二维给定光分布以及三维给定光分布问题的非成像光学系统设计原理与解决方案。  相似文献
3.
一种高功率LED封装的热分析   总被引:21,自引:6,他引:15  
建立了大功率发光二极管(LED)器件的一种封装结构并利用有限元分析软件对其进行了热分析,比较了采用不同材料作为LED芯片热沉的散热性能.最后分析了LED芯片采用chip-on-board技术封装在新型高热导率复合材料散热板上的散热性能.  相似文献
4.
用FPGA实现OLED灰度级显示   总被引:18,自引:7,他引:11  
根据有机发光二极管 (OL ED)器件的发光特性 ,分析了 OL ED器件实现灰度级显示的机理 ,比较了 OL ED显示屏各种控制电路的问题 ,提出基于子场技术的设计方案。利用现场可编程门阵列 (FPGA)设计控制电路 ,实现单色 OL ED的灰度级显示。分别对 32 0× 2 4 0和 6 4 0× 4 80的 OL ED屏 ,对实现 16级灰度的设计方案进行仿真 ,得到各个控制信号的时序图 ,并对此仿真结果进行了分析。结果表明 ,FP-GA设计实现的控制电路 ,能够实现 OL ED所要求的灰度级显示。该控制电路可用于无源或有源选址的OL ED显示。  相似文献
5.
大功率白光LED的制备和表征   总被引:16,自引:7,他引:9  
用 1mm× 1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管 (LED)芯片和YAG∶Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其 2 0 0mA下的发光功率为 13.8mW ,约为相同LED外延片制备的普通尺寸LED的 10倍。同时改变注入电流 ,发现功率曲线直到 2 0 0mA仍没有出现饱和或下降的趋势 ,白光的色温从 5 30 0K下降至 4 80 0K。同时研究了不同荧光粉混合比例对白光色度的影响  相似文献
6.
大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析   总被引:15,自引:1,他引:14  
郑代顺  钱可元  罗毅 《半导体光电》2005,26(2):87-91,127
以GaN基蓝光LED芯片为基础光源制备了大功率蓝光LED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光LED.对大功率蓝光和白光LED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析.结果表明,大功率LED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机械应力都可能导致大功率LED的失效.  相似文献
7.
LED用于LCD背光源的前景展望   总被引:15,自引:2,他引:13  
随着液晶显示(LCD)模组不断向更亮、更轻、更薄、尺寸更大的方向发展,对背光源的要求也就越来越高,本文介绍了目前LCD的背光源:冷阴极荧光灯(CCFL)、电致发光(EL)和发光二极管(LED)背光源,特别是LED背光源及其相关动态,通过LED与CCFL和EL的比较,预测LED将成为LCD理想的背光源。  相似文献
8.
有机多层白光发光二极管   总被引:15,自引:6,他引:9       下载免费PDF全文
以四苯基二胺衍生物(TPD)为空穴传输材料,以蓝光染料酚基吡啶铍(BePP2)、黄光染料红荧烯(Rubrene)、绿光染料8-羟基喹啉铝(Alq3)分别为蓝、绿、红三基色染料,采用多层结构制备了有机多层白光发光二极管.该白光器件的色坐标为(0.33,0.36)(在7V下),接近等能点白光(0.33,0.33);该器件在17V下的亮度可以达到3000cd/m2,流明效率为0.3lm/W,是目前报道的比较好的结果  相似文献
9.
半导体照明关键技术研究   总被引:14,自引:0,他引:14  
以GaN基功率型发光二极管为核心的半导体照明光源,已经展示了广阔的应用前景,但其流明效率和公认的200 lm/W的路线图目标相比还有较大的发展空间.从材料外延、管芯制作、器件封装和系统应用等方面介绍了半导体照明关键技术的最新进展,其中包括清华大学集成光电子学国家重点实验室的研究成果,并展望了未来的研究方向.  相似文献
10.
1W级大功率白光LED发光效率研究   总被引:14,自引:3,他引:11  
李炳乾 《半导体光电》2005,26(4):314-316,361
研究了1W级大功率白光发光二板管(LED)发光效率随功率变化的关系.实验结果表明,功率在0~0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6 lm/W;当功率大于0.11W时,发光效率随功率增加开始减小,功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快.在器件额定功率1 W附近,发光效率为13 lm/W.发光效率随功率增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复合几率下降引起的.  相似文献
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