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1.
GaAs高速动态分频器在片测试研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
本文研制出多触头微波探针,建立了微波探针在片检测系统.针对GaAs高速集成电路──动态分频器电路芯片进行了在片测试和筛选.  相似文献
2.
针对电子技术实验无法进行多芯片同时测试的问题,提出了一种基于FPGA和上下位机联动配置技术的智能式多芯片测试方案.该方案实现了同一插槽测试不同芯片和集成电路测试台上多个芯片同时测试的功能.介绍了Verilog硬件描述语言编程下载和上位机控制方法与实现技术,有效解决了实验室常用芯片中不同类型芯片电源管脚上电的难题,利用FPGA器件实现了低功耗和系统可再编程升级,对于提高高校电子技术基础实验的水平和效率具有重要的实用价值.  相似文献
3.
介绍了两种适于毫米波应用的RF MEMS实时延时线的设计。首先,在设计中采用了一种新颖的RF MEMS拓宽调节范围的变容器结构,得到了最大变容比为5.39的在片测试结果。其工艺设计基于表面微机械工艺,采用了由5个掩模版组成的工艺流程。然后,在RF MEMS变容器设计的基础上,完成了用于原理论证的Ka波段RF MEMS实时延时线的仿真设计、工艺流片和在片测试。Ka波段RF MEMS实时延时线的在片测试结果显示,在28GHz时处于下降状态的插入损耗为-2.36dB;两端口在28GHz时的回波损耗都小于-15dB,而在5~40GHz的整个测试频率范围内的回波损耗都小于-10dB。在Ka波段RF MEMS实时延时线设计基础上,60GHz RF MEMS实时延时线的仿真设计已经完成并准备投片。  相似文献
4.
讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题,并在讨论以上问题的基础上,实现工程化应用,该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值5W的GaAs功率单片放大器进行测试验证,测试结果和装架测试结果相比较,输出功率误差<0.2dB。  相似文献
5.
为了提高数字集成电路芯片的驱动能力,采用优化比例因子的等比缓冲器链方法,通过Hspice软件仿真和版图设计测试.提出了一种基于CSMC2P2M0.6μmCMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的电原理图设计和版图设计,整体电路采用Hspice和CSMC2P2M的0.6μmCMOS工艺的工艺库(06mixddct02v24)仿真,基于CSMC2P2M0.6μmCMOS工艺完成版图设计,并在一款多功能数字芯片上使用,版图面积为1mm×1mm,并参与MPW(多项目晶圆)计划流片。流片测试结果表明,在输出负载很大时,本设计能提供足够的驱动电流,同时延迟时间短、并占用版图面积小。  相似文献
6.
针对微波在片测试项目多、参数复杂、数据处理灵活性大的特点,开发了工艺控制微波数据处理软件,但该软件存在离散数据剔除难的问题。文章讨论了如何对离散数据进行剔除的几种算法:模拟EXCEL表格画图法、一致性剔除离散算法、累积均方差剔除离散法、拟合正态分布曲线算法,最终选定拟合正态分布曲线算法作为剔除离散方法。将剔除离散数据功能完善到工艺控制微波数据处理软件,将使微波在片测试数据处理最终实现自动化。  相似文献
7.
对于AC-DC电路测试,圆片测试(CP)一般采用开环测试的方法,测试项目较少,从而使CP的测试时间大大减少,提高了测试效率以及测试产能。CP测试的目的是测试基准电压以及输出波形等参数,并对相应参数进行工艺上的修调,使得这些参数达到中心值,保证芯片基本功能的准确;但CP测试并不是应用环境下的芯片状态,所以当AC-DC电路进行成品测试(FT)的时候,通过模拟芯片的应用环境来测试芯片在应用端的参数,从而确保芯片在工作环境中能正常应用,达到检测芯片的目的。主要介绍了AC-DC电路在闭环应用环境下各项参数的测试方法,确保电路功能的稳定性以及可靠性。  相似文献
8.
设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。  相似文献
9.
根据RSDS接口规范,围绕接口接收器最小建立保持时间的性能,重点研究低摆幅差分信号放大器的设计.基于特许0.35ìmCMOS工艺,先介绍使用基本OTA结构实现差分信号放大,并结合流片测试结果分析其优缺点.针对输出信号抖动的问题,提出一种对称输出结构,仿真结果表明该电路结构使放大器输出的占空比相关抖动峰峰值减小了80%,有效地改善了接收器最小建立保持时间.  相似文献
10.
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