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1.
大功率LED在线性及PWM调光下的电光转换效率及热分析   总被引:8,自引:8,他引:1  
在相同输入电功率下,对大功率LED在线性及PWM两种调光模式下的光参数及电参数进行了测试。比较了LED在两种调光模式下的色温、光效及电光转换效率随输入功率的变化,得出在两种调光模式下,色温随平均输入电流的降低而降低,但线性调光模式下的色温漂移大于PWM调光模式下的色温漂移;光效及电光转换效率随平均输入电流的降低而升高,但在相同输入功率下,LED在PWM调光模式下的电光转换效率大于线性调光模式下的电光转换效率,且随平均输入电流的降低,线性调光模式下的电光转换效率的上升速度要快于PWM调光模式。利用T3STER热阻测试仪,建立LED的瞬态热阻抗模型。使用电子学热仿真分析方法对LED在两种调光模式下的电光转换效率随结温变化的规律进行了仿真分析。分析得出LED在PWM调光下的光电转换效率主要受结温温升的影响,而在线性调光下,电光转换效率除了受到结温温升的影响,还受到无效电流注入的影响。因此,LED在线性调光模式下电光转换效率的上升速度要快于PWM调光模式。  相似文献
2.
倒装大功率白光LED热场分析与测试   总被引:7,自引:7,他引:13  
散热是影响大功率LED正常工作及器件寿命的关键因素,本文利用有限元法(FEM)对W级倒装大功率白光LED的空间温度场分布进行了模拟计算,结果与用自制的测试装置测量的温度分布相吻合。在此基础上,保持电流密度不变,研究芯片尽寸与结区温度的关系,计算出在当前的发光效率和封装结构条件下,由于散热条件的限制,芯片能承受的最大功率和能达到的最大尺寸。  相似文献
3.
大功率白光LED封装技术的研究   总被引:6,自引:6,他引:26  
详细分析了照明用大功率LED的封装技术,在大量实验的基础上,提出了一些具体的解决方案,设计了独特的封装结构.介绍了在色度稳定性与均匀性、改善散热条件等方面所作的探索,并对LED驱动电流和发光色温的关系进行了讨论.  相似文献
4.
大功率LED冷却用平板热管散热器的实验研究   总被引:4,自引:4,他引:4  
对一种新型平板热管散热器冷却大功率LED芯片阵列进行实验研究。在自然对流冷却条件下,分析了平板热管散热器的启动特性、均温特性以及通电电流、倾角对其传热性能的影响。利用热电转换方法得到LED芯片的结温变化。实验结果表明:平板热管散热器的总热阻在0.3053~0.3425℃/W间,且散热器整体温度分布均匀合理,具有很强的散热能力;LED结温在47.9~59.0℃间,远低于110℃。  相似文献
5.
大功率背光源用LED驱动电路的研究现状与进展   总被引:4,自引:4,他引:1  
结合具体的LED驱动电路控制芯片,对峰值电流控制型、平均电流控制型、单级单开关非隔离型LED驱动电路的原理、优缺点和性能改进措施做了论述.给出了采用频率抖动技术的LED驱动电路的传导EMI峰值及平均值测量结果和基于IR2540的平均电流控制型LED驱动电路的工作波形及效率测量结果,并对脉冲恒流源型LED驱动电路的原理做了简要的介绍,最后从恒流精度、效率、成本3个方面综合分析了LED驱动电路的发展趋势.  相似文献
6.
国内大功率半导体激光器研究及应用现状   总被引:4,自引:4,他引:10       下载免费PDF全文
近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主要研究内容和关键技术进行了总结,在外延片结构中广泛采用应变量子阱结构、无铝有源区宽波导大光腔结构及非对称波导结构来提高端面光学灾变损伤光功率密度,还从腔面光学膜、器件封装、器件可靠性、光束整形与耦合以及器件应用等几个方面给予介绍。  相似文献
7.
光束质量超过全固态激光器的千瓦直接半导体激光器   总被引:3,自引:3,他引:1  
介绍了采用多波长耦合和偏振耦合的方式实现千瓦级高功率半导体激光输出的方法.通过光束整形的方法,实现了快慢轴光束参数积对称化,激光器输出激光光束质量小于12 mm·mrad,超过了全固态激光器的光束质量;激光器光-光转换效率达到87.5%.并通过智能化控制,实现了不同波长、不同功率、不同脉冲宽度的激光输出.  相似文献
8.
S波段脉冲大功率SiC MESFET   总被引:3,自引:3,他引:0  
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。  相似文献
9.
适用于大功率光电芯片散热的一体化平板热管   总被引:3,自引:3,他引:0  
为解决大功率光电芯片散热问题,构造了一种新结构一体化平板热管。利用超轻多孔泡沫金属作为毛细吸液芯,以水、丙酮和乙醇为工质,在不同充液比、加热功率和倾角条件下对新结构热管的热性能进行了研究,结果表明,这种新结构平板热管不仅消除了热管与散热片间的接触热阻,而且使整个散热翅片也处于均温状态,当功率达到380W、热流密度超过445 W/cm2时,热管仍具有较好的均温特性,且热阻较小,可达0.04℃/W。在3种工质中,水是最佳工质选择,且当充液比为30%时具有较好的效果。实验表明,以泡沫金属为吸液芯的新结构一体化平板热管具有很好的传热性能,并扩展了承载大热流密度的能力。  相似文献
10.
一种回路热管对大功率LED散热的研究   总被引:3,自引:3,他引:1  
针对大功率LED散热能力较其它照明灯具差这一问题,研制了一种应用在多芯片大功率LED散热上的回路热管装置,并研究了热负荷、倾角等对热管的起动性、均温性和热阻等的影响。试验结果表明,所设计的热管散热器的热阻在0.48~1.47K/W之间;在蒸发器倾斜角为0°和30°时,蒸发器的均温性分别被控制在1.5℃和4.3℃以内。因此,将这种结构的热管应用在大功率LED散热系统中时,首先应该对蒸发器倾斜角度对系统散热性能的影响进行测试评估。  相似文献
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