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1.
大功率白光LED封装技术的研究   总被引:29,自引:5,他引:24  
详细分析了照明用大功率LED的封装技术,在大量实验的基础上,提出了一些具体的解决方案,设计了独特的封装结构.介绍了在色度稳定性与均匀性、改善散热条件等方面所作的探索,并对LED驱动电流和发光色温的关系进行了讨论.  相似文献
2.
大功率激光光束参数的测量方法   总被引:20,自引:2,他引:18  
利用我们正在研制的新型大功率激光光束光斑质量诊断仪,实现了大功率激光光束横截面的功率密度分布测量,并给出了计算光束位置、束宽、焦点位置、焦斑大小、发散角、焦深和光束质量因子等相关光束参数的数学处理方法。  相似文献
3.
大功率半导体激光器驱动电源   总被引:18,自引:2,他引:16  
根据半导体激光二极管的工作特性,设计了一种以VICOR电源为功率模块,以绝缘栅双极晶体管(IGBT)为大功率变换器件的大功率激光二极管驱动电源,该驱民源电路简单,能有效地抑制电源的浪涌冲击,保证了激光二极管不受外界的电干扰。在线保护机制可实时对半导体激光器工作监控,半导体激光器的慢启动电路、温控电路保证了半导体激光器安全工作。该电源已应用于机载激光雷达样机系统中,通过一年多的使用,半导体激光二极管工作正常,性能稳定可靠。  相似文献
4.
倒装大功率白光LED热场分析与测试   总被引:15,自引:6,他引:9  
散热是影响大功率LED正常工作及器件寿命的关键因素,本文利用有限元法(FEM)对W级倒装大功率白光LED的空间温度场分布进行了模拟计算,结果与用自制的测试装置测量的温度分布相吻合。在此基础上,保持电流密度不变,研究芯片尽寸与结区温度的关系,计算出在当前的发光效率和封装结构条件下,由于散热条件的限制,芯片能承受的最大功率和能达到的最大尺寸。  相似文献
5.
大功率激光光纤耦合技术研究   总被引:14,自引:0,他引:14  
李钰  张阔海  李强  左铁钏 《应用激光》2004,24(5):276-278
简要介绍了大功率激光光纤耦合技术的六个主要的研究方向。包括 :光纤的选择与光纤端面处理、激光光纤耦合条件、聚焦透镜组合的选择、透镜像差的影响、光束与光纤失准引起的耦合效率下降以及透镜的热透镜效应。  相似文献
6.
大功率白光LED封装设计与研究进展   总被引:14,自引:0,他引:14  
封装设计、材料和结构的不断创新使发光二极管(LED)性能不断提高.从光学、热学、电学、机械、可靠性等方面,详细评述了大功率白光LED封装的设计和研究进展,并对封装材料和工艺进行了具体介绍.提出LED的封装设计应与芯片设计同时进行,并且需要对光、热、电、结构等性能统一考虑.在封装过程中,虽然材料(散热基板、荧光粉、灌封胶)选择很重要,但封装工艺(界面热阻、封装应力)对LED光效和可靠性影响也很大.  相似文献
7.
大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析   总被引:14,自引:1,他引:13  
郑代顺  钱可元  罗毅 《半导体光电》2005,26(2):87-91,127
以GaN基蓝光LED芯片为基础光源制备了大功率蓝光LED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光LED.对大功率蓝光和白光LED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析.结果表明,大功率LED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机械应力都可能导致大功率LED的失效.  相似文献
8.
国内大功率半导体激光器研究及应用现状   总被引:14,自引:4,他引:10       下载免费PDF全文
近年来,国内外在大功率半导体激光器方面的研究均取得了很大的进展。其中,大功率半导体激光器列阵的研究和应用成为最大的亮点,如超高电光转换效率、高亮度和高可靠性等主要光电特性均实现了巨大的突破。针对国内大功率半导体激光器主要研究内容和关键技术进行了总结,在外延片结构中广泛采用应变量子阱结构、无铝有源区宽波导大光腔结构及非对称波导结构来提高端面光学灾变损伤光功率密度,还从腔面光学膜、器件封装、器件可靠性、光束整形与耦合以及器件应用等几个方面给予介绍。  相似文献
9.
1W级大功率白光LED发光效率研究   总被引:12,自引:2,他引:10  
李炳乾 《半导体光电》2005,26(4):314-316,361
研究了1W级大功率白光发光二板管(LED)发光效率随功率变化的关系.实验结果表明,功率在0~0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6 lm/W;当功率大于0.11W时,发光效率随功率增加开始减小,功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快.在器件额定功率1 W附近,发光效率为13 lm/W.发光效率随功率增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复合几率下降引起的.  相似文献
10.
大功率激光二极管的精密恒温制冷系统   总被引:11,自引:0,他引:11  
陈梁  刘春霞 《激光与红外》1999,29(4):249-252
介绍了一种大功率激光二极管的精密恒温制冷系统,利用半导体制冷器对大功率激光二极管进行制冷和精密温控,构成全固态制冷系统。本系统使用PC机作为控制平台,采用自整定PID算法,人机界面友好,控制精度高,温控精度可达±0.1℃,激光二极管输出光功率波动峰峰值小于1.5‰。  相似文献
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