首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   189篇
  国内免费   37篇
  完全免费   51篇
  无线电   277篇
  2020年   1篇
  2019年   1篇
  2018年   2篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   6篇
  2013年   5篇
  2012年   14篇
  2011年   11篇
  2010年   14篇
  2009年   10篇
  2008年   9篇
  2007年   19篇
  2006年   30篇
  2005年   26篇
  2004年   11篇
  2003年   20篇
  2002年   14篇
  2001年   10篇
  2000年   13篇
  1999年   10篇
  1998年   8篇
  1997年   5篇
  1996年   7篇
  1995年   6篇
  1994年   5篇
  1993年   2篇
  1992年   2篇
  1991年   11篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
排序方式: 共有277条查询结果,搜索用时 100 毫秒
1.
Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应(HBE)研究   总被引:12,自引:2,他引:10  
张万荣  曾峥 《电子学报》1996,24(11):43-47
本文研究了不同温度下Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应,研究发现,集电结处价带能量差△Ev越大,HBE越明显,在给定的△Ev下,随着温度的降低,HBE越显著。  相似文献
2.
自对准GaInP/GaAs HBT器件   总被引:10,自引:8,他引:2       下载免费PDF全文
利用发射极金属掩蔽进行内切腐蚀的方法研制成自对准 In Ga P/Ga As异质结双极晶体管 ( HBT) ,其特征频率 ( ft)达到 5 4 GHz,最高振荡频率 ( fmax)达到 71GHz,并且 ,这种方法工艺简单 ,成品率高 .文中还对该结果进行了分析 ,提出了进一步提高频率特性的方法  相似文献
3.
多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT   总被引:7,自引:4,他引:3       下载免费PDF全文
研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE50 0 ,并生长了器件级SiGeHBT材料.研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT器件,其性能为:β=60 @VCE/IC=9V/ 30 0 μA ,β=1 0 0 @5V/ 50mA ,BVCBO=2 2V ,ft/ fmax=5 4GHz/ 7 7GHz @1 0指,3V/ 1 0mA .多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻,与CMOS工艺兼容且(因多晶发射极)无需发射极外延层的生长,这些优点使其适合于商业化生产.利用60指和1 2 0指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器.60指功放在90 0MHz和3 5V/ 0 2A偏置时在1dB压缩  相似文献
4.
硅衬底微波集成电路   总被引:6,自引:0,他引:6  
毛军发 《微波学报》2001,17(1):54-61
硅衬底微波集成电路具有诱人的发展前景。本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点,分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)的电性能,介绍了目前国外硅衬底微波集成电路研究的进展,并对数字电路与RF及微波电路在硅衬底上混合集成的特点与应用作了讨论。  相似文献
5.
微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用   总被引:5,自引:5,他引:0  
徐剑芳  李成  赖虹凯 《微电子学》2005,35(5):521-526
文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向.  相似文献
6.
采用全耗尽的In Ga P材料在基区Ga As表面形成钝化边(passivation ledge)的方法,研制出了带钝化边的自对准In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT) .通过对不同尺寸、有无钝化边器件性能的比较得出:钝化边对提高小尺寸器件的直流增益有明显效果,对器件的高频特性无明显影响.此外,钝化边的形成改善了所有实验器件的长期可靠性.  相似文献
7.
郭宝增 《半导体学报》1998,19(10):764-772
本报道了Si/Si1-xGex应变异质结双极晶体管(HBT)交直流特性的仿真结果,通过用叠代法求解漂移-扩散方程的数值解,确定器件的直流特性,再利用瞬态激励法,求解器件的交流特性参数,将基区Ge摩尔含量x为0.2,0.31的HBT的模拟结果分别与有关献报道的实验结果进行了比较,两的结果符合良好。  相似文献
8.
SiGe/Si异质结双极晶体管研究   总被引:4,自引:1,他引:3  
李开成  刘道广  张静  易强 《微电子学》2000,30(3):144-146
介绍了一咱SiGe/Si分子束外延异质结双极晶体管(HBT)的研制。该器件采用3μm工艺制作,测量得其电流放大系数β为50,截止效率fr为5.1GHz,表明器件的直流特性和交流特性良好。器件的音片成品率在90%以上。  相似文献
9.
SiGe HBT及高速电路的发展   总被引:3,自引:0,他引:3  
详细讨论了SiGeHBT的直流交流特性、噪声特性,SiGeHBT的结构、制作工艺、与工艺相关的寄生效应、SOI衬底上的SiGeHBT等,以及它在高速电路中的应用,包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA),电压控制振荡器(VCO)以及涉及到的无源器件等。  相似文献
10.
InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计   总被引:3,自引:3,他引:0       下载免费PDF全文
采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gum mel- Poon模型参数,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的190 0 MHz两级AB类功率放大器.该功放的功率增益为2 6 d B,1d B压缩点输出功率为2 8d Bm,对应的功率附加效率和邻近信道功率比分别为38.8%、- 30 .5 d Bc,1d B压缩点处的各阶谐波功率均小于- 4 0 d Bc.  相似文献
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号