K分布杂波背景下次序统计恒虚警检测器的性能

本文证明了在形状因子已知条件下次序统计恒虚警（ＯＳ－ＣＦＡＲ）检测器在Ｋ分布杂波背景下能保持恒虚警的特性，分析了均匀Ｋ分布杂波背景下检测器的性能，研究了不同参考单元数的信杂比损失，对于未知形状因子，本文提出了一种有效的估计方法。  

非高斯杂波下修正的SDD-GLRT距离 扩展目标检测器

 在球不变随机向量非高斯杂波背景下,针对SDD-GLRT方法在统计平均意义下对距离扩展目标进行最优检测所带来的检测损失,通过充分利用目标散射点的先验信息,基于有序统计检测理论,提出了修正的SDD-GLRT距离扩展目标检测方法.理论分析表明,在不存在目标的假设下,虚警概率与纹理分量的混合分布、杂波协方差矩阵以及确知信号的方向向量无关,即修正的SDD-GLRT方法具有恒虚警率(constant false alarm rate,CFAR)特性.仿真结果表明,随着积累脉冲数及目标散射点所占距离单元个数的增加,修正的SDD-GLRT检测性能得到提高.在散射点分布稀疏条件下,修正的SDD-GLRT的检测性能要明显好于SDD-GLRT和NSDD-GLRT,且在估计目标散射点个数存在微弱偏差和不同杂波尖峰情况下,修正的SDD-GLRT具有很好的鲁棒性.  

有序统计恒虚警（OS—CFAR）检测器在韦尔尔扰背景中的性能

本文研究韦尔干扰背景前的有序统计恒虚警算法，并在均匀干扰背景中分析它的性能，对于未知的形状参数Ｃ，本文基于来自参考滑窗随机变量的期望和中提提出一种估计方法，同时在均匀干扰背景中研究了这种估计方法的性能，结果表明，这种估计方案具有很的随加恒虚警损失，当Ｎ＝１６，Ｃ＝２，Ｋ＝１２时，它的恒虚警损失比两参数有序统计恒虚警检测器小。  

各向异性压电陶瓷材料

本工作制备了添有少量Pb(Zn_(1/3) Nb_(2/3))O_3,Bi(Zn_(1/2) Ti_(1/2))O_3和MnO_2的高电阻率,高密度的改性(PbCa)TiO_3压电陶瓷。这种陶瓷在150℃和施加40—50kV/cm电场条件下极化之后显示出大的各向异性压电特性。它具有高的厚度扩张模式机电藕合系数Kt,高的机械品质因素Qm低的介电常数,而平面耦合系数Kp值极小。于是,这种新的压电材料适于制作高频陶瓷滤波器超声换能器,金属探伤检测器,以及声表面波器件等。  

椭圆偏光解析法对液晶界面层分子有序度的研究

论述了向列相液晶分子取向有序度的评价方法以及与宏观物理张量之间的关系， 阐述了椭圆偏光解析法测量分子取向有序度的原理，并应用在基板表面液晶界面层中的测量。实验结果表明， 即使是在强摩擦条件下基板表面附近 ５０ｎｍ 厚的液晶层中，分子取向有序度低于液晶体内部的值。讨论了实验误差， 确认了这一结果的合理性， 为澄清液晶取向排列原动力模型提供了实验依据。  

Si基光电子学的研究与展望

Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要，在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿。其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路．本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科，近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展，并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势。  

基于准最佳加权有序统计的最大选择CFAR检测算法

为了提高恒虚警检测器在均匀背景中的检测性能及增强对干扰的鲁棒性，本文提出了一种准最佳加权（ＱＢＷ）有序统计方法．基于这种方法，还提出了准最佳加权最大选择恒虚警检测器（ＱＢＷＧＯ－ＣＦＡＲ），它的前、后沿滑窗均采用ＱＢＷ方法来产生局部估计，将局部估计中的最大值作为检测器对杂波功率水平的估计，设置自适应检测门限，应用文献［３］提出的自动筛选技术在ＳｗｅｒｌｉｎｇⅡ型目标及瑞利杂波假设下，推导出了它的Ｐｆａ、Ｐｄ、ＡＤＴ及杂波边缘虚警尖峰的数学解析表达式分析结果表明，它在均匀背景及多目标和杂波边缘引起的非均匀背景中的性能，均比ＧＯＳＧＯ或ＯＳＧＯ获得了改善．在特殊情况下，ＱＢＷＧＯ退化为ＧＯ和ＭＸ－ＣＭＬＤ  

电化学制备亚微米氧化铝有序多孔膜方法研究

采用电化学阳极氧化法制备亚微米氧化铝有序多孔膜，研究了铝电极预处理过程、扩孔时间、阳极氧化时间和阳极氧化电压对亚微米氧化铝有序多孔膜孔径、孔密度以及孔排列有序性的影响规律，并且建立了一个理想模型来探讨亚微米氧化铝多孔膜的生长过程。  

用偏光显微镜解析界面层分子有序度

阐述了用偏光显微镜测量液晶盒中分子有序度分布的方法。采用楔形液盒获得了仅有十几个ｎｍ的界面层信息，并提出具有创意性的偏光解析方法。通过这一工作得出以下结论：在高分子膜表面通过摩擦过程获得的液晶取向排列，其界面子有序度为体内部序度的６０％以下，有序度远低于体内部；由于固体界面对液晶排列的影响，产生一个有序度连续变化的界面层，其厚度大约于体内部；由于固体界面对液晶排列的影响，产生一个有序度连续变化的界  

硅基氧化铝纳米有序孔列阵制备

本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术．在Ｐ型〈１００〉晶向，电阻率为０．５Ω·ｃｍ的清洁硅片上，用电子束蒸发一层４００ｎｍ厚的９９．９９％高纯铝膜，然后将其作为阳极，浸入１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４溶液中，在直流恒压４０Ｖ、恒温０℃条件下进行电化学氧化处理．处理结束后，分别用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对样品实施了平面形貌和横断面形貌观察，结果表明，在硅片上形成了一层厚约７００ｎｍ，孔间距５０ｎｍ，孔径１７ｎｍ，局域呈六度对称的氧化铝纳米有序孔列阵．这种纳米多孔列阵可用作制