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1.
标准CMOS工艺新型多晶硅PIN-LED的设计与实现   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用联华电子公司(UMC)0.18μm标准CMOS工艺设计并制备了多晶硅PIN-LED,测试结果表明,i区宽为10μm器件的正向导通电压为1.5V,反向击穿电压为8.8V;当其工作在正向载流子注入模式时发射950~1 250nm波段的红外光,工作在反向雪崩击穿模式时发射650~1 000nm波段的可见光。实验结果表明,本文以多晶硅材料制备的PIN-LED与单晶硅材料制备的Si-LED具有类似的电学特性与光学特性。  相似文献
2.
单层多晶的EEPROM   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处 ,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEP ROM ,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM (singlepolyEEPROM ) ,展示了singlepolyEEPROM的应用前景 ,同时提出了singlepolyEEPROM所面临的问题 ,并有针对性地给出了几种解决方案  相似文献
3.
采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。  相似文献
4.
刘兴明  韩琳  刘理天 《电子器件》2005,28(2):415-420,431
简要概述了室温红外探测器技术的最新研究现状,首先根据工作机理的不同对红外探测器进行了分类,详细阐述了室温红外探测器的优点所在;接着在给出了室温红外探测器典型结构的基础上,对这些典型结构进行了比较和讨论;给出了最近出现的几种新型探测器,介绍了其工作原理、制作工艺和主要性能指标;最后对室温红外探测器的发展方向进行了预测。  相似文献
5.
本文设计了一种高增益低噪声混频器,提出了一种新的吉尔伯特混频器负载级电路.该混频器在3.3V工作电压下,基于Chartered 0.25 μ m标准CM0S工艺设计模型进行仿真验证,优化结果表明,该混频器的增益达到9.02dB,噪声系数为8.88dB,谐波失真降低为-17.29dB.  相似文献
6.
针对传统双层多晶EEPROM的诸多不足之处,介绍了相对较有潜力的单层多晶的EEPROM,主要对比了传统的双层多晶的EEPROM和单层多晶的EEPROM(single poly EEPROM),展示了single poly EEPROM的应用前景,同时提出了single poly EEPROM所面临的问题,并有针对性地给出了几种解决方案.  相似文献
7.
基于标准CMOS工艺的n+源/漏区和p-sub,设计 了一种楔形n+pn+ 结构的硅基发光二极管(Si-LED)阵列,并经UMC 0.18μm 1P6M CMO S工艺制备。 测试结果表明, 设计的Si-LED 在 0.9~1.5V范围内正常工作,与CMOS电路的电源电压兼容,其发光 峰值波长在1100nm附近;注 入电流为390mA时,器件的发光功率可达1800nW,平均功率转换效率为3.5×10-6 。由于工作电压低、发光功率高,设计的LED器件有望在光互连领域得到广泛应用。  相似文献
8.
采用UMC0.18μm标准CMOS工艺,实现了输出频率为36.56GHz的振荡器。基波振荡单元使用交叉耦合振荡电路实现,两个基波振荡单元之间通过交叉互连实现相位钳位,得到四路振幅相等相位差为90°的正交振荡信号,四路正交信号通过线性叠加结构实现对基波信号的四倍频。突破了工艺截止频率的限制,显著的提高了振荡频率。芯片测试结果表明:工作电压1.8V时,消耗的电流为40mA,基波信号频率为9.14GHz,校正后输出功率为-10.85dBm,在1MHz频偏处相位噪声为-112.54dBc/Hz;四倍频信号频率为36.56GHz,校正后输出功率为-37.17dBm。本文中的振荡器可以广泛的应用于毫米波通信系统,有高集成度、低成本等优点。  相似文献
9.
秦海英 《电子世界》2013,(12):64-65
随着射频无线通讯事业的发展,高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成,属于一种多数载流子器件,高频性能非常优越。本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上,提出的集成肖特基二极管设计方法,并且该方法在charted 0.35μm工艺中以MPW的方式得以实现。为了使串联电阻有效的降低,特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管,以所测得的C-V、I-V及S参数对肖特基二极管的势垒电压、饱和电流及反向击穿电压继续拧计算,最后给出能够用于SPICE仿真的模型设计。  相似文献
10.
面向无源超高频射频识别标签芯片设计了一种低成本的非易失存储器(NVM)。采用PMOS晶体管实现存储单元,制造工艺与标准CMOS工艺兼容,可以降低制造成本。提出了一种新型的操作模式,可减轻写操作对栅氧的破坏。存储器中的所有存储单元共享一个灵敏放大器,数据通过共享的灵敏放大器依次串行读出,这样既节省了面积,又降低了读操作的功耗。基于0.18μm标准CMOS工艺设计实现了存储容量为1 kbit的存储器芯片,该存储器的核心面积为0.095 mm2,并完成了实测。实测结果表明,电源电压为1.2 V,读速率为1 Mb/s时,功耗为1.08μW;写速率为3.2 kb/s时,功耗为44μW。  相似文献
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