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1.
掺钽的二氧化钛电容—压敏陶瓷电学性能研究   总被引:7,自引:2,他引:5  
通过对样品I-V特性和势垒高度等参数的测定,研究了钽对二氧化钛压敏电阻电学性能的影响。研究中发现掺入的x(Ta  相似文献
2.
(Li,Nb)掺杂SnO2压敏材料的电学非线性研究   总被引:7,自引:3,他引:4  
研究了掺锂对SnO2压敏电阻器性能的影响.研究发现Li+对Sn4+的取代能明显提高陶瓷的烧结速度和致密度,且能大幅度改善材料的电学非线性性能.掺入x(Li2CO3)为1.0%的陶瓷样品具有最高的密度(P=6.77g/cm3)、最高的介电常数(ε=1851)、最低的视在势垒电场(EB=68.86V/mm)和最高的非线性常数(α=9.9).对比发现,Na+由于具有较大的离子粒半径,其掺杂改性性能相对较差.提出了SnO2@Li2CO3@Nb2O5晶界缺陷势垒模型.  相似文献
3.
掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响   总被引:7,自引:0,他引:7  
通过对样品V-I特性和势垒特性的测试和分析,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响.snO2@Co2O3基本上不具有电学非线性,掺杂很少量的Sb2O3可明显改善材料的非线性.研究中发现掺杂x(sb2O3)为0.01%的样品具有最高的质量密度(ρ=6.90g/cm3)、最高的视在势垒电场(EB=276V/cm)和最好的电学非线性(a=12.89).提出了SnO2@Co2O3@Sb2O3的晶界缺陷势垒模型.  相似文献
4.
MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜   总被引:7,自引:1,他引:6       下载免费PDF全文
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明:生长温度为400~450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω·cm,迁移率为0.838cm2/(V·s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰.  相似文献
5.
采用准分子脉冲激光沉积法 (PLD)分别在Pt/Ti/SiO2 /Si和SiO2 /Si衬底上制备了ZrO2 薄膜 ,采用扩展电阻法 (SRP)研究了薄膜纵向电阻分布 ;采用X射线衍射法 (XRD)研究了衬底温度对ZrO2 薄膜结晶性能的影响 ;精确测试了薄膜的表面粗糙度 ;讨论了薄膜结晶性能与其电学I V特性之间的关系。  相似文献
6.
掺氮ZnO薄膜的光电特性及其薄膜晶体管研究   总被引:6,自引:5,他引:1       下载免费PDF全文
Using NH3 as nitrogen source gas, N-doped ZnO (ZnO:N) thin films in c-axis orientation were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering at room temperature. The ZnO:N thin films display significant increase of resistivity and decrease of photoluminescence intensity. As-grown ZnO:N material was used as active channel layer and Si3N4 was used as gate insulator to fabricate thin-film transistor. The fabricated devices on glasses demonstrate typical field effect transistor characteristics.  相似文献
7.
掺Y对二氧化钛低压压敏陶瓷性能的影响   总被引:4,自引:1,他引:3  
通过对样品密度、介电常数、I-V特性及晶界势垒特性的测定和分析,研究掺Y对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏-电容性能的影响.掺入x(Y2O3)0.60%的样品显示出最高的非线性常数(α=7.86)以及最高的相对介电常数(εr=8.54×104)和样品密度(可达理论密度的98.8%),与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致,是一种较为理想的压敏-电容陶瓷.提出了TiO2@Y2O3@Nb2O5晶界缺陷势垒模型.  相似文献
8.
CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应   总被引:4,自引:2,他引:2  
研究了掺CeO2对SnO2#31;Co2O3#31;Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2#31;Co2O3#31;Ta2O5#31;CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。  相似文献
9.
BST薄膜的Sol-Gel法制备及其电学性能的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
应用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备了组分为r(Ba:Sr)=0.65:0.35的BST薄膜,研究了BST薄膜的显微结构、介电特性和漏电流特性,实验结果表明:BST薄膜经650℃热处理后,巳形成完整的立方钙钛矿结构,薄膜经900℃热处理后,其表面光滑、致密、无裂纹、无针孔,圆球形的小颗粒均匀分布。当偏置电压为0时,BST薄膜的介电常数和损耗因子分别为542和0.035。漏电流特性分析结果表明:采用RuO2作为底电极,在1.5V的偏压下BST薄膜的漏电流密度为0.52μA/Cm^2,该值比Pt/RuO2混合底电极上制备的BST薄膜的漏电流密度(72nA/cm^2)大1个数量级,因此,Pt/RuO2混合底电极既克服了RuO2底电极漏电流大的缺点,又解决了Pt底电极难以刻蚀的困难,是制备大规模动态随机存取存储器的电容器列阵的最低底电极材料。  相似文献
10.
氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用PECVD法,反应温度为250℃,反应气体为NH3,SiH4,在抛光硅片上沉积0.2~0.4μm厚的氮化硅薄膜。对这种Si3N4薄膜的光学性能和电学性能进行了测试,其光学折射率为1.875,电阻率及击穿场强分别为8×1016Ω·cm及1×107V/cm,并用FTIR谱分析了薄膜的化学结构。  相似文献
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