红外焦平面成像器件发展现状

红外焦平面列阵成像技术已经进入了成熟期。本文对几种红外焦平面列阵器件如MCT、InSb和QWIP的最新进展作一评述，简要介绍其器件发展水平、技术路线和关键工艺。简要提及一种新颖的非制冷焦平面成像技术：光学读出微光机红外接收器。  

不同结构的碲镉汞长波光伏探测器的暗电流研究

摘要对B^ 注入的n-on-p平面结和分子束外延(MBE)技术原位铟掺杂的n-on-p台面异质结的碲镉汞(HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分析．与n-on-p平面结器件相比，原位掺杂的n-on-p台面异质结器件得到较高的零偏动态阻抗一面积值(RoA)．通过与实验数据拟合，从理论上计算了这两种结构的器件在不同温度下的RoA和在不同偏压下的暗电流，得到一些相关的材料和器件性能参数．  

室温短波碲镉汞结区的LBIC方法研究

室温短波碲镉汞焦平面技术在军事与航天工业上的应用越来越广泛，列阵中探测器的尺寸正不断减小，这使得常规工艺形成的光伏探测器，其有效光敏面面积扩大的问题越来越突出．我们利用激光诱导电流(LBIC)检测系统测试了室温短波碲镉汞n—on—p芯片的光响应分布，证实了有效光敏面扩大的存在．从实验结果看，结区的侧向扩散收集效应是造成目前常规工艺形成的光伏器件光敏面面积扩大的主要因素．  

碲镉汞的液相外延生长

设计了一种使用良好的石墨舟 ,建立了一套能进行开管液相外延的系统 ,并利用此系统在 Cd Zn Te衬底上和在富 Te的生长条件下生长了不同 x值的 Hg Cd Te外延薄膜 .通过对外延生长工艺的控制 ,外延薄膜的表面形貌有很大的改善 ,残留母液大为减少 ,外延薄膜的组分比较均匀 ,其电学性能得到较大改善 ,Hg Cd Te外延薄膜与Cd Zn Te衬底之间的互扩散非常少 ,外延膜的晶体结构也较完整 .  

碲镉汞薄膜的有机金属化合物汽相外延生长

利用水平，常压有机金属化合物汽相外延（ＭＯＶＰＥ）装置，ＤＭＣｄ，ＤＩＰＴ及元素汞在３６０℃，采用互扩散多层工艺，通过计算机控制，在ＧａＡｓ，ＣｄＴｅ衬底上按不同条件生长碲化镉，碲化汞和碲镉汞的初步结果，包括组分，表面形态，薄膜厚度，红外透射比和电学特性等，其中有原生的和经过一定条件退火处理的结果。  

红外探测器材料和HgCdTe材料的发展现状

简要介绍了主要的红外探测器材料，包括半导体光电探测器材料，热释电材料和热敏电阻材料，回顾了ＨｇＣｄＴｅ材料的发展历史和现状，液相外延，分子束外延和金属有机物汽相外延是目前生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的３种主要技术，作者认为，薄膜材料是今后红外探测器材料的主要研究课题。  

中红外多波长辐射温度计的设计

介绍了以高信噪比同时测量近室温目标温度和光谱发射率的中红外多波长辐射温度计，详细说明了其光学系统及电气系统设计．采用高像质、大光通量的折反式光学系统和闪耀光栅分光系统，通过多元碲镉汞探测器线列及电气系统，可同时检测目标温度及发射率．内置黑体炉和热管恒温视场光栏和孔径光栏减小了周围环境温度漂移及杂散光对温度测量的影响．  

碲镉汞材料非本征掺杂研究的发展

通过对近年来的部分英文文献进行归纳与分析，介绍了碲镉汞 (Hg1-xCdxTe, MCT)非本征掺杂的研究进展。MCT非本征掺杂是指杂质为Hg、Cd或Te以 外的其他元素的情况。描述了MCT晶体结构的基本概念。以一些常用杂质的性质为重点，讨论了MCT掺 杂的基本原理和对杂质的选择方法。在器件设计中控制杂质的空间分布和浓度是十分重要的。  

响应波段外激光辐照PC HgCdTe 探测器系统实验研究

文中对多元多光谱红外探测器系统响应波段外激光的辐照效应进行了深入的实验研究并对实验结果进行了分析。以1．06μm激光辐照三元光导型碲镉汞探测器系统的实验为例，说明了系统响应波段外激光辐照效应的实验规律。实验结果发现：探测器对系统响应波段以外的激光仍有响应信号，但响应规律与对波段内激光的响应不同，出现新的现象。研究表明：Ge窗口被激光加热是导致探测器输出信号的根本原因，信号输出曲线由探测器的电阻—温度特性决定。